销售单位：个

规格型号(MPN)：RT7020GS

上升时间：70ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：2

下降时间：35ns

工作温度：-40℃~125℃

负载类型：IGBT，N沟道MOSFET

峰值拉电流：600mA

电源电压：10V~20V

峰值灌电流：300mA

驱动配置：半桥

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：RT7020GS

上升时间：70ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：2

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工作温度：-40℃~125℃

负载类型：IGBT，N沟道MOSFET

峰值拉电流：600mA

电源电压：10V~20V

峰值灌电流：300mA

驱动配置：半桥

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：RT7020GS

上升时间：70ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：2

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工作温度：-40℃~125℃

负载类型：IGBT，N沟道MOSFET

峰值拉电流：600mA

电源电压：10V~20V

峰值灌电流：300mA

驱动配置：半桥

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：RT7020GS

上升时间：70ns

ECCN：EAR99

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工作温度：-40℃~125℃

负载类型：IGBT，N沟道MOSFET

峰值拉电流：600mA

电源电压：10V~20V

峰值灌电流：300mA

驱动配置：半桥

包装方式：卷带（TR）

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销售单位：个

规格型号(MPN)：RT7020GS

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ECCN：EAR99

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工作温度：-40℃~125℃

负载类型：IGBT，N沟道MOSFET

峰值拉电流：600mA

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驱动配置：半桥

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销售单位：个

规格型号(MPN)：RT7020GS

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ECCN：EAR99

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工作温度：-40℃~125℃

负载类型：IGBT，N沟道MOSFET

峰值拉电流：600mA

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驱动配置：半桥

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包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：RT7020GS

上升时间：70ns

ECCN：EAR99

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工作温度：-40℃~125℃

负载类型：IGBT，N沟道MOSFET

峰值拉电流：600mA

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驱动配置：半桥

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销售单位：个

规格型号(MPN)：RT7020GS

峰值灌电流：300mA

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电源电压：10V~20V

ECCN：EAR99

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包装方式：卷带（TR）

驱动配置：半桥

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驱动通道数：2

工作温度：-40℃~125℃

负载类型：IGBT，N沟道MOSFET

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：RT7020GS

峰值灌电流：300mA

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电源电压：10V~20V

ECCN：EAR99

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包装方式：卷带（TR）

驱动配置：半桥

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负载类型：IGBT，N沟道MOSFET

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销售单位：个

规格型号(MPN)：DGD2101MS8-13

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ECCN：EAR99

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负载类型：IGBT，N沟道MOSFET

峰值拉电流：600mA

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驱动配置：高压侧或低压侧

包装方式：卷带（TR）

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销售单位：个

规格型号(MPN)：IRS2304STRPBF

上升时间：70ns

ECCN：EAR99

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工作温度：-40℃~150℃

负载类型：IGBT，N沟道MOSFET

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驱动配置：半桥

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

生产批次：{"17+"：6222，"30+"：3000，"9999"：175}

销售单位：个

规格型号(MPN)：IRS2308PBF

上升时间：100ns

ECCN：EAR99

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负载类型：IGBT，N沟道MOSFET

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驱动配置：半桥

包装方式：管件

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：IRS2005STRPBF

上升时间：70ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：2

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工作温度：-40℃~150℃

负载类型：IGBT，N沟道MOSFET

峰值拉电流：600mA

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驱动配置：半桥

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包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：IRS2108STRPBF

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ECCN：EAR99

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负载类型：IGBT，N沟道MOSFET

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销售单位：个

规格型号(MPN)：IRS2112STRPBF

上升时间：75ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：2

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工作温度：-40℃~150℃

负载类型：IGBT，N沟道MOSFET

峰值拉电流：600mA

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生产批次：{"18+"：655，"22+"：3513，"23+"：5654，"MI+"：3800}

包装规格(MPQ)：95psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IRS2004SPBF

上升时间：70ns

ECCN：EAR99

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工作温度：-40℃~150℃

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峰值拉电流：600mA

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驱动配置：半桥

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销售单位：个

规格型号(MPN)：IRS2108STRPBF

上升时间：100ns

ECCN：EAR99

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工作温度：-40℃~150℃

负载类型：IGBT，N沟道MOSFET

峰值拉电流：600mA

电源电压：10V~20V

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驱动配置：半桥

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包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：IRS2112STRPBF

上升时间：75ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：2

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工作温度：-40℃~150℃

负载类型：IGBT，N沟道MOSFET

峰值拉电流：600mA

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驱动配置：半桥

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：95psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IRS2101SPBF

上升时间：70ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：2

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工作温度：-40℃~150℃

负载类型：IGBT，N沟道MOSFET

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电源电压：10V~20V

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驱动配置：高压侧或低压侧

包装方式：管件

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：DGD2003S8-13

上升时间：70ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：2

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工作温度：-40℃~125℃

负载类型：N沟道MOSFET

峰值拉电流：600mA

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驱动配置：半桥

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：95psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IRS2103SPBF

上升时间：70ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：2

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工作温度：-40℃~150℃

负载类型：IGBT，N沟道MOSFET

峰值拉电流：600mA

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驱动配置：半桥

包装方式：管件

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销售单位：个

规格型号(MPN)：DGD2304S8-13

上升时间：70ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：2

下降时间：35ns

工作温度：-40℃~150℃

负载类型：IGBT，N沟道MOSFET

峰值拉电流：600mA

电源电压：10V~20V

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驱动配置：半桥

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：IRS2005MTRPBF

上升时间：70ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：2

下降时间：30ns

工作温度：-40℃~150℃

负载类型：IGBT，N沟道MOSFET

峰值拉电流：600mA

电源电压：10V~20V

峰值灌电流：290mA

驱动配置：半桥

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：DGD2104MS8-13

上升时间：70ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：2

下降时间：35ns

工作温度：-40℃~150℃

负载类型：IGBT，N沟道MOSFET

峰值拉电流：600mA

电源电压：10V~20V

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驱动配置：半桥

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

生产批次：{"13+"：42，"21+"：120，"23+"：12000，"9999"：394}

销售单位：个

规格型号(MPN)：IRS2104PBF

上升时间：70ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：2

下降时间：35ns

工作温度：-40℃~150℃

负载类型：IGBT，N沟道MOSFET

峰值拉电流：600mA

电源电压：10V~20V

峰值灌电流：290mA

驱动配置：半桥

包装方式：管件

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：DGD2104MS8-13

上升时间：70ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：2

下降时间：35ns

工作温度：-40℃~150℃

负载类型：IGBT，N沟道MOSFET

峰值拉电流：600mA

电源电压：10V~20V

峰值灌电流：290mA

驱动配置：半桥

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：IRS2308STRPBF

上升时间：100ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：2

下降时间：35ns

工作温度：-40℃~150℃

负载类型：IGBT，N沟道MOSFET

峰值拉电流：600mA

电源电压：10V~20V

峰值灌电流：290mA

驱动配置：半桥

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：IRS2104STRPBF

上升时间：70ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：2

下降时间：35ns

工作温度：-40℃~150℃

负载类型：IGBT，N沟道MOSFET

峰值拉电流：600mA

电源电压：10V~20V

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驱动配置：半桥

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：IRS2109STRPBF

上升时间：100ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：2

下降时间：35ns

工作温度：-40℃~150℃

负载类型：IGBT，N沟道MOSFET

峰值拉电流：600mA

电源电压：10V~20V

峰值灌电流：290mA

驱动配置：半桥

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：IRS2004STRPBF

上升时间：70ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：2

下降时间：35ns

工作温度：-40℃~150℃

负载类型：IGBT，N沟道MOSFET

峰值拉电流：600mA

电源电压：10V~20V

峰值灌电流：290mA

驱动配置：半桥

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1