包装规格(MPQ):60psc
销售单位:个
规格型号(MPN):TC1411NCPA
上升时间:25ns
ECCN:EAR99
驱动通道数:1
下降时间:25ns
工作温度:0℃~150℃
负载类型:N沟道,P沟道MOSFET
峰值拉电流:1A
电源电压:4.5V~16V
峰值灌电流:1A
驱动配置:低端
包装方式:管件
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):MC33153PG
上升时间:17ns
ECCN:EAR99
驱动通道数:1
下降时间:17ns
工作温度:-40℃~150℃
负载类型:IGBT,N沟道MOSFET
峰值拉电流:2A
电源电压:11V~20V
峰值灌电流:1A
驱动配置:低端
包装方式:管件
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):100psc
销售单位:个
规格型号(MPN):TC1411EOA
上升时间:25ns
ECCN:EAR99
驱动通道数:1
下降时间:25ns
工作温度:-40℃~150℃
负载类型:N沟道,P沟道MOSFET
峰值拉电流:1A
电源电压:4.5V~16V
峰值灌电流:1A
驱动配置:低端
包装方式:管件
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:门极驱动器
行业应用:其他
是否隔离:隔离
销售单位:个
规格型号(MPN):TC1411NEUA713
上升时间:25ns
ECCN:EAR99
驱动通道数:1
下降时间:25ns
工作温度:-40℃~150℃
负载类型:N沟道,P沟道MOSFET
峰值拉电流:1A
电源电压:4.5V~16V
峰值灌电流:1A
驱动配置:低端
包装方式:卷带(TR)
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:门极驱动器
行业应用:其他
是否隔离:隔离
销售单位:个
规格型号(MPN):TC1411NEOA713
上升时间:25ns
ECCN:EAR99
驱动通道数:1
下降时间:25ns
工作温度:-40℃~150℃
负载类型:N沟道,P沟道MOSFET
峰值拉电流:1A
电源电压:4.5V~16V
峰值灌电流:1A
驱动配置:低端
包装方式:卷带(TR)
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:门极驱动器
行业应用:其他
是否隔离:隔离
销售单位:个
规格型号(MPN):TC1411NCOA713
上升时间:25ns
ECCN:EAR99
驱动通道数:1
下降时间:25ns
工作温度:0℃~150℃
负载类型:N沟道,P沟道MOSFET
峰值拉电流:1A
电源电压:4.5V~16V
峰值灌电流:1A
驱动配置:低端
包装方式:卷带(TR)
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:门极驱动器
行业应用:其他
是否隔离:隔离
销售单位:个
规格型号(MPN):TC1411NEUA713
上升时间:25ns
ECCN:EAR99
驱动通道数:1
下降时间:25ns
工作温度:-40℃~150℃
负载类型:N沟道,P沟道MOSFET
峰值拉电流:1A
电源电压:4.5V~16V
峰值灌电流:1A
驱动配置:低端
包装方式:卷带(TR)
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:门极驱动器
行业应用:其他
是否隔离:隔离
销售单位:个
规格型号(MPN):MC33153DR2G
上升时间:17ns
ECCN:EAR99
驱动通道数:1
下降时间:17ns
工作温度:-40℃~150℃
负载类型:IGBT,N沟道MOSFET
峰值拉电流:2A
电源电压:11V~20V
峰值灌电流:1A
驱动配置:低端
包装方式:卷带(TR)
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):100psc
销售单位:个
规格型号(MPN):TC1411EOA
上升时间:25ns
ECCN:EAR99
驱动通道数:1
下降时间:25ns
工作温度:-40℃~150℃
负载类型:N沟道,P沟道MOSFET
峰值拉电流:1A
电源电压:4.5V~16V
峰值灌电流:1A
驱动配置:低端
包装方式:管件
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:门极驱动器
行业应用:其他
是否隔离:隔离
销售单位:个
规格型号(MPN):MC33153DR2G
上升时间:17ns
ECCN:EAR99
驱动通道数:1
下降时间:17ns
工作温度:-40℃~150℃
负载类型:IGBT,N沟道MOSFET
峰值拉电流:2A
电源电压:11V~20V
峰值灌电流:1A
驱动配置:低端
包装方式:卷带(TR)
包装清单:商品主体 * 1
库存:
生产批次:{"11+":864,"12+":28,"16+":23741,"21+":76608,"22+":15000,"23+":2500,"MI+":22500}
销售单位:个
规格型号(MPN):MC33153DR2G
上升时间:17ns
ECCN:EAR99
驱动通道数:1
下降时间:17ns
工作温度:-40℃~150℃
负载类型:IGBT,N沟道MOSFET
峰值拉电流:2A
电源电压:11V~20V
峰值灌电流:1A
驱动配置:低端
包装方式:卷带(TR)
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):60psc
销售单位:个
规格型号(MPN):TC1411CPA
上升时间:25ns
ECCN:EAR99
驱动通道数:1
下降时间:25ns
工作温度:0℃~150℃
负载类型:N沟道,P沟道MOSFET
峰值拉电流:1A
电源电压:4.5V~16V
峰值灌电流:1A
驱动配置:低端
包装方式:管件
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:门极驱动器
行业应用:其他
是否隔离:隔离
销售单位:个
规格型号(MPN):MC33153DR2G
上升时间:17ns
ECCN:EAR99
驱动通道数:1
下降时间:17ns
工作温度:-40℃~150℃
负载类型:IGBT,N沟道MOSFET
峰值拉电流:2A
电源电压:11V~20V
峰值灌电流:1A
驱动配置:低端
包装方式:卷带(TR)
包装清单:商品主体 * 1
库存:
生产批次:{"04+":1440,"05+":4920,"07+":8760,"15+":1680,"16+":6200}
销售单位:个
规格型号(MPN):UC2715DP
上升时间:30ns
ECCN:EAR99
驱动通道数:2
下降时间:25ns
工作温度:-40℃~150℃
负载类型:N沟道,P沟道MOSFET
峰值拉电流:2A
电源电压:7V~20V
峰值灌电流:1A
驱动配置:低端
包装方式:管件
包装清单:商品主体 * 1
库存:
生产批次:{"04+":1440,"05+":4920,"07+":8760,"15+":1680,"16+":6200}
销售单位:个
规格型号(MPN):UC2715DP
上升时间:30ns
ECCN:EAR99
驱动通道数:2
下降时间:25ns
工作温度:-40℃~150℃
负载类型:N沟道,P沟道MOSFET
峰值拉电流:2A
电源电压:7V~20V
峰值灌电流:1A
驱动配置:低端
包装方式:管件
包装清单:商品主体 * 1
库存:
生产批次:{"13+":825,"06+":2100,"08+":6200,"07+":225,"04+":415,"05+":4125}
包装规格(MPQ):75psc
销售单位:个
规格型号(MPN):UC3714D
上升时间:30ns
ECCN:EAR99
驱动通道数:2
下降时间:25ns
工作温度:0℃~150℃
负载类型:N沟道,P沟道MOSFET
峰值拉电流:2A
电源电压:7V~20V
峰值灌电流:1A
驱动配置:低端
包装方式:管件
包装清单:商品主体 * 1
库存:
生产批次:{"03+":150,"MI+":446,"10+":19709,"16+":2200,"05+":10400}
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):UC3715N
上升时间:30ns
ECCN:EAR99
驱动通道数:2
下降时间:25ns
工作温度:0℃~150℃
负载类型:N沟道,P沟道MOSFET
峰值拉电流:2A
电源电压:7V~20V
峰值灌电流:1A
驱动配置:低端
包装方式:管件
包装清单:商品主体 * 1
库存:
生产批次:{"07+":6600,"04+":440}
包装规格(MPQ):40psc
销售单位:个
规格型号(MPN):UC3715DP
上升时间:30ns
ECCN:EAR99
驱动通道数:2
下降时间:25ns
工作温度:0℃~150℃
负载类型:N沟道,P沟道MOSFET
峰值拉电流:2A
电源电压:7V~20V
峰值灌电流:1A
驱动配置:低端
包装方式:管件
包装清单:商品主体 * 1
库存:
生产批次:{"03+":4,"04+":1425,"05+":5150,"06+":675,"10+":13000,"12+":975,"9999":150,"MI+":188}
包装规格(MPQ):75psc
销售单位:个
规格型号(MPN):UC2715D
上升时间:30ns
ECCN:EAR99
驱动通道数:2
下降时间:25ns
工作温度:-40℃~150℃
负载类型:N沟道,P沟道MOSFET
峰值拉电流:2A
电源电压:7V~20V
峰值灌电流:1A
驱动配置:低端
包装方式:管件
包装清单:商品主体 * 1
库存:
生产批次:{"04+":2500,"15+":2170}
销售单位:个
规格型号(MPN):UC3714DTR
上升时间:30ns
ECCN:EAR99
驱动通道数:2
下降时间:25ns
工作温度:0℃~150℃
负载类型:N沟道,P沟道MOSFET
峰值拉电流:2A
电源电压:7V~20V
峰值灌电流:1A
驱动配置:低端
包装方式:卷带(TR)
包装清单:商品主体 * 1
库存:
生产批次:{"03+":4,"04+":1425,"05+":5150,"06+":675,"10+":13000,"12+":975,"9999":150,"MI+":188}
包装规格(MPQ):75psc
销售单位:个
规格型号(MPN):UC2715D
上升时间:30ns
ECCN:EAR99
驱动通道数:2
下降时间:25ns
工作温度:-40℃~150℃
负载类型:N沟道,P沟道MOSFET
峰值拉电流:2A
电源电压:7V~20V
峰值灌电流:1A
驱动配置:低端
包装方式:管件
包装清单:商品主体 * 1
库存:
生产批次:{"03+":150,"MI+":446,"10+":19709,"16+":2200,"05+":10400}
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):UC3715N
上升时间:30ns
ECCN:EAR99
驱动通道数:2
下降时间:25ns
工作温度:0℃~150℃
负载类型:N沟道,P沟道MOSFET
峰值拉电流:2A
电源电压:7V~20V
峰值灌电流:1A
驱动配置:低端
包装方式:管件
包装清单:商品主体 * 1
库存:
生产批次:{"07+":6600,"04+":440}
包装规格(MPQ):40psc
销售单位:个
规格型号(MPN):UC3715DP
上升时间:30ns
ECCN:EAR99
驱动通道数:2
下降时间:25ns
工作温度:0℃~150℃
负载类型:N沟道,P沟道MOSFET
峰值拉电流:2A
电源电压:7V~20V
峰值灌电流:1A
驱动配置:低端
包装方式:管件
包装清单:商品主体 * 1
库存:
生产批次:{"04+":2500,"15+":2170}
销售单位:个
规格型号(MPN):UC3714DTR
上升时间:30ns
ECCN:EAR99
驱动通道数:2
下降时间:25ns
工作温度:0℃~150℃
负载类型:N沟道,P沟道MOSFET
峰值拉电流:2A
电源电压:7V~20V
峰值灌电流:1A
驱动配置:低端
包装方式:卷带(TR)
包装清单:商品主体 * 1
库存:
生产批次:{"13+":825,"06+":2100,"08+":6200,"07+":225,"04+":415,"05+":4125}
包装规格(MPQ):75psc
销售单位:个
规格型号(MPN):UC3714D
上升时间:30ns
ECCN:EAR99
驱动通道数:2
下降时间:25ns
工作温度:0℃~150℃
负载类型:N沟道,P沟道MOSFET
峰值拉电流:2A
电源电压:7V~20V
峰值灌电流:1A
驱动配置:低端
包装方式:管件
包装清单:商品主体 * 1
库存:
生产批次:{"13+":825,"06+":2100,"08+":6200,"07+":225,"04+":415,"05+":4125}
包装规格(MPQ):75psc
销售单位:个
规格型号(MPN):UC3714D
上升时间:30ns
ECCN:EAR99
驱动通道数:2
下降时间:25ns
工作温度:0℃~150℃
负载类型:N沟道,P沟道MOSFET
峰值拉电流:2A
电源电压:7V~20V
峰值灌电流:1A
驱动配置:低端
包装方式:管件
包装清单:商品主体 * 1
库存:
生产批次:{"03+":150,"MI+":446,"10+":19709,"16+":2200,"05+":10400}
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):UC3715N
上升时间:30ns
ECCN:EAR99
驱动通道数:2
下降时间:25ns
工作温度:0℃~150℃
负载类型:N沟道,P沟道MOSFET
峰值拉电流:2A
电源电压:7V~20V
峰值灌电流:1A
驱动配置:低端
包装方式:管件
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):60psc
销售单位:个
规格型号(MPN):TC1411NEPA
上升时间:25ns
ECCN:EAR99
驱动通道数:1
下降时间:25ns
工作温度:-40℃~150℃
负载类型:N沟道,P沟道MOSFET
峰值拉电流:1A
电源电压:4.5V~16V
峰值灌电流:1A
驱动配置:低端
包装方式:管件
包装清单:商品主体 * 1
库存:
生产批次:{"08+":2500}
销售单位:个
规格型号(MPN):UC3715DTR
上升时间:30ns
ECCN:EAR99
驱动通道数:2
下降时间:25ns
工作温度:0℃~150℃
负载类型:N沟道,P沟道MOSFET
峰值拉电流:2A
电源电压:7V~20V
峰值灌电流:1A
驱动配置:低端
包装方式:卷带(TR)
包装清单:商品主体 * 1
库存: