采购热线 400-661-9010
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：MC33153PG
上升时间：17ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：1
下降时间：17ns
工作温度：-40℃~150℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：2A
电源电压：11V~20V
峰值灌电流：1A
驱动配置：低端
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：MC33153DR2G
上升时间：17ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：1
下降时间：17ns
工作温度：-40℃~150℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：2A
电源电压：11V~20V
峰值灌电流：1A
驱动配置：低端
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：MC33153DR2G
上升时间：17ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：1
下降时间：17ns
工作温度：-40℃~150℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：2A
电源电压：11V~20V
峰值灌电流：1A
驱动配置：低端
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
生产批次：{"11+"：864，"12+"：28，"16+"：23741，"21+"：76608，"22+"：15000，"23+"：2500，"MI+"：22500}
销售单位：个
规格型号(MPN)：MC33153DR2G
上升时间：17ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：1
下降时间：17ns
工作温度：-40℃~150℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：2A
电源电压：11V~20V
峰值灌电流：1A
驱动配置：低端
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：MC33153DR2G
上升时间：17ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：1
下降时间：17ns
工作温度：-40℃~150℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：2A
电源电压：11V~20V
峰值灌电流：1A
驱动配置：低端
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：MC33153DR2G
上升时间：17ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：1
下降时间：17ns
工作温度：-40℃~150℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：2A
电源电压：11V~20V
峰值灌电流：1A
驱动配置：低端
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：MC33153DR2G
上升时间：17ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：1
下降时间：17ns
工作温度：-40℃~150℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：2A
电源电压：11V~20V
峰值灌电流：1A
驱动配置：低端
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
生产批次：{"08+"：35，"11+"：14855，"12+"：50，"13+"：38，"MI+"：1990}
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：MC33153PG
上升时间：17ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：1
下降时间：17ns
工作温度：-40℃~150℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：2A
电源电压：11V~20V
峰值灌电流：1A
驱动配置：低端
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：MC33153DG
上升时间：17ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：1
下降时间：17ns
工作温度：-40℃~150℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：2A
电源电压：11V~20V
峰值灌电流：1A
驱动配置：低端
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：MC33153PG
上升时间：17ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：1
下降时间：17ns
工作温度：-40℃~150℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：2A
电源电压：11V~20V
峰值灌电流：1A
驱动配置：低端
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：MC33153DR2G
上升时间：17ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：1
下降时间：17ns
工作温度：-40℃~150℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：2A
电源电压：11V~20V
峰值灌电流：1A
驱动配置：低端
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：MC33153PG
上升时间：17ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：1
下降时间：17ns
工作温度：-40℃~150℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：2A
电源电压：11V~20V
峰值灌电流：1A
驱动配置：低端
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：MC33153DR2G
上升时间：17ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：1
下降时间：17ns
工作温度：-40℃~150℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：2A
电源电压：11V~20V
峰值灌电流：1A
驱动配置：低端
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
生产批次：{"11+"：864，"12+"：28，"16+"：23741，"21+"：76608，"22+"：15000，"23+"：2500，"MI+"：22500}
销售单位：个
规格型号(MPN)：MC33153DR2G
上升时间：17ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：1
下降时间：17ns
工作温度：-40℃~150℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：2A
电源电压：11V~20V
峰值灌电流：1A
驱动配置：低端
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：MC33153DR2G
上升时间：17ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：1
下降时间：17ns
工作温度：-40℃~150℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：2A
电源电压：11V~20V
峰值灌电流：1A
驱动配置：低端
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：MC33153DR2G
上升时间：17ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：1
下降时间：17ns
工作温度：-40℃~150℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：2A
电源电压：11V~20V
峰值灌电流：1A
驱动配置：低端
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
生产批次：{"08+"：35，"11+"：14855，"12+"：50，"13+"：38，"MI+"：1990}
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：MC33153PG
上升时间：17ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：1
下降时间：17ns
工作温度：-40℃~150℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：2A
电源电压：11V~20V
峰值灌电流：1A
驱动配置：低端
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：MC33153DR2G
上升时间：17ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：1
下降时间：17ns
工作温度：-40℃~150℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：2A
电源电压：11V~20V
峰值灌电流：1A
驱动配置：低端
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
生产批次：{"11+"：864，"12+"：28，"16+"：23741，"21+"：76608，"22+"：15000，"23+"：2500，"MI+"：22500}
销售单位：个
规格型号(MPN)：MC33153DR2G
上升时间：17ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：1
下降时间：17ns
工作温度：-40℃~150℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：2A
电源电压：11V~20V
峰值灌电流：1A
驱动配置：低端
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
生产批次：{"08+"：35，"11+"：14855，"12+"：50，"13+"：38，"MI+"：1990}
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：MC33153PG
上升时间：17ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：1
下降时间：17ns
工作温度：-40℃~150℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：2A
电源电压：11V~20V
峰值灌电流：1A
驱动配置：低端
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：MC33153DR2G
上升时间：17ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：1
下降时间：17ns
工作温度：-40℃~150℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：2A
电源电压：11V~20V
峰值灌电流：1A
驱动配置：低端
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：MC33153DR2G
上升时间：17ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：1
下降时间：17ns
工作温度：-40℃~150℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：2A
电源电压：11V~20V
峰值灌电流：1A
驱动配置：低端
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：MC33153DR2G
上升时间：17ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：1
下降时间：17ns
工作温度：-40℃~150℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：2A
电源电压：11V~20V
峰值灌电流：1A
驱动配置：低端
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：MC33153DR2G
上升时间：17ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：1
下降时间：17ns
工作温度：-40℃~150℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：2A
电源电压：11V~20V
峰值灌电流：1A
驱动配置：低端
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
生产批次：{"08+"：35，"11+"：14855，"12+"：50，"13+"：38，"MI+"：1990}
包装规格(MPQ)：50psc
规格型号(MPN)：MC33153PG
驱动配置：低端
峰值灌电流：1A
下降时间：17ns
包装方式：管件
工作温度：-40℃~150℃
上升时间：17ns
ECCN：EAR99
电源电压：11V~20V
驱动通道数：1
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：2A
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
生产批次：{"08+"：35，"11+"：14855，"12+"：50，"13+"：38，"MI+"：1990}
包装规格(MPQ)：50psc
规格型号(MPN)：MC33153PG
驱动配置：低端
峰值灌电流：1A
下降时间：17ns
包装方式：管件
工作温度：-40℃~150℃
上升时间：17ns
ECCN：EAR99
电源电压：11V~20V
驱动通道数：1
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：2A
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
生产批次：{"11+"：864，"12+"：28，"16+"：23741，"21+"：76608，"22+"：15000，"23+"：2500，"MI+"：22500}
规格型号(MPN)：MC33153DR2G
驱动配置：低端
峰值灌电流：1A
下降时间：17ns
工作温度：-40℃~150℃
上升时间：17ns
ECCN：EAR99
电源电压：11V~20V
包装方式：卷带（TR）
驱动通道数：1
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：2A
包装清单：商品主体 * 1
库存：
