包装规格(MPQ)：50psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IR2011PBF

上升时间：35ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：2

下降时间：20ns

工作温度：-40℃~150℃

负载类型：N沟道MOSFET

峰值拉电流：1A

电源电压：10V~20V

峰值灌电流：1A

驱动配置：高压侧或低压侧

包装方式：管件

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：50psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：MC33153PG

上升时间：17ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：1

下降时间：17ns

工作温度：-40℃~150℃

负载类型：IGBT，N沟道MOSFET

峰值拉电流：2A

电源电压：11V~20V

峰值灌电流：1A

驱动配置：低端

包装方式：管件

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：50psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IR2011PBF

上升时间：35ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：2

下降时间：20ns

工作温度：-40℃~150℃

负载类型：N沟道MOSFET

峰值拉电流：1A

电源电压：10V~20V

峰值灌电流：1A

驱动配置：高压侧或低压侧

包装方式：管件

包装清单：商品主体 * 1

生产批次：{"17+"：1039，"18+"：8900}

包装规格(MPQ)：50psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IRS2011PBF

上升时间：25ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：2

下降时间：15ns

工作温度：-40℃~150℃

负载类型：N沟道MOSFET

峰值拉电流：1A

电源电压：10V~20V

峰值灌电流：1A

驱动配置：半桥

包装方式：管件

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：50psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IR2011PBF

上升时间：35ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：2

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工作温度：-40℃~150℃

负载类型：N沟道MOSFET

峰值拉电流：1A

电源电压：10V~20V

峰值灌电流：1A

驱动配置：高压侧或低压侧

包装方式：管件

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销售单位：个

规格型号(MPN)：IRS2011PBF

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ECCN：EAR99

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工作温度：-40℃~150℃

负载类型：N沟道MOSFET

峰值拉电流：1A

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驱动配置：半桥

包装方式：管件

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销售单位：个

规格型号(MPN)：IRS2011PBF

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ECCN：EAR99

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工作温度：-40℃~150℃

负载类型：N沟道MOSFET

峰值拉电流：1A

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峰值灌电流：1A

驱动配置：半桥

包装方式：管件

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包装规格(MPQ)：50psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IR2011PBF

上升时间：35ns

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工作温度：-40℃~150℃

负载类型：N沟道MOSFET

峰值拉电流：1A

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包装方式：管件

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销售单位：个

规格型号(MPN)：UC3715N

上升时间：30ns

ECCN：EAR99

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工作温度：0℃~150℃

负载类型：N沟道，P沟道MOSFET

峰值拉电流：2A

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峰值灌电流：1A

驱动配置：低端

包装方式：管件

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规格型号(MPN)：UC3715N

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负载类型：N沟道，P沟道MOSFET

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负载类型：N沟道，P沟道MOSFET

峰值拉电流：2A

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包装方式：管件

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生产批次：{"08+"：35，"11+"：14855，"12+"：50，"13+"：38，"MI+"：1990}

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销售单位：个

规格型号(MPN)：MC33153PG

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ECCN：EAR99

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工作温度：-40℃~150℃

负载类型：IGBT，N沟道MOSFET

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销售单位：个

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负载类型：N沟道MOSFET

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销售单位：个

规格型号(MPN)：MC33153PG

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ECCN：EAR99

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工作温度：-40℃~150℃

负载类型：IGBT，N沟道MOSFET

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销售单位：个

规格型号(MPN)：IRS2011PBF

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ECCN：EAR99

驱动通道数：2

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工作温度：-40℃~150℃

负载类型：N沟道MOSFET

峰值拉电流：1A

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ECCN：EAR99

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工作温度：-40℃~150℃

负载类型：IGBT，N沟道MOSFET

峰值拉电流：2A

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包装方式：管件

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销售单位：个

规格型号(MPN)：MC33153PG

上升时间：17ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：1

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工作温度：-40℃~150℃

负载类型：IGBT，N沟道MOSFET

峰值拉电流：2A

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包装方式：管件

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规格型号(MPN)：UC3715N

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ECCN：EAR99

驱动通道数：2

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工作温度：0℃~150℃

负载类型：N沟道，P沟道MOSFET

峰值拉电流：2A

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峰值灌电流：1A

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包装方式：管件

包装清单：商品主体 * 1

生产批次：{"03+"：150，"MI+"：446，"10+"：19709，"16+"：2200，"05+"：10400}

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销售单位：个

规格型号(MPN)：UC3715N

上升时间：30ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：2

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工作温度：0℃~150℃

负载类型：N沟道，P沟道MOSFET

峰值拉电流：2A

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包装方式：管件

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

生产批次：{"08+"：35，"11+"：14855，"12+"：50，"13+"：38，"MI+"：1990}

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规格型号(MPN)：MC33153PG

驱动配置：低端

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包装方式：管件

工作温度：-40℃~150℃

上升时间：17ns

ECCN：EAR99

电源电压：11V~20V

驱动通道数：1

负载类型：IGBT，N沟道MOSFET

峰值拉电流：2A

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销售单位：个

生产批次：{"17+"：1039，"18+"：8900}

包装规格(MPQ)：50psc

规格型号(MPN)：IRS2011PBF

上升时间：25ns

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峰值灌电流：1A

负载类型：N沟道MOSFET

包装方式：管件

工作温度：-40℃~150℃

电源电压：10V~20V

ECCN：EAR99

驱动配置：半桥

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销售单位：个

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包装方式：管件

工作温度：-40℃~150℃

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ECCN：EAR99

电源电压：11V~20V

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销售单位：个

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包装规格(MPQ)：50psc

规格型号(MPN)：IRS2011PBF

上升时间：25ns

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峰值灌电流：1A

负载类型：N沟道MOSFET

包装方式：管件

工作温度：-40℃~150℃

电源电压：10V~20V

ECCN：EAR99

驱动配置：半桥

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包装清单：商品主体 * 1