采购热线 400-661-9010
品牌：Microchip
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：TC4422AVOA713
上升时间：38ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：1
下降时间：33ns
工作温度：-40℃~150℃
负载类型：IGBT，N沟道，P沟道MOSFET
峰值拉电流：10A
电源电压：4.5V~18V
峰值灌电流：10A
驱动配置：低端
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：100psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TC4421AVOA
上升时间：38ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：1
下降时间：33ns
工作温度：-40℃~150℃
负载类型：IGBT，N沟道，P沟道MOSFET
峰值拉电流：10A
电源电压：4.5V~18V
峰值灌电流：10A
驱动配置：低端
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：NCP81074AMNTBG
上升时间：4ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：1
下降时间：4ns
工作温度：-40℃~150℃
负载类型：N沟道MOSFET
峰值拉电流：10A
电源电压：4.5V~20V
峰值灌电流：10A
驱动配置：低端
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXGD3005E6TA
上升时间：48ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：1
下降时间：35ns
工作温度：-55℃~150℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：10A
电源电压：25V
峰值灌电流：10A
驱动配置：低端
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：NCP81074BDR2G
上升时间：4ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：1
下降时间：4ns
工作温度：-40℃~150℃
负载类型：N沟道MOSFET
峰值拉电流：10A
电源电压：4.5V~20V
峰值灌电流：10A
驱动配置：低端
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：60psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TC4422AVPA
上升时间：38ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：1
下降时间：33ns
工作温度：-40℃~150℃
负载类型：IGBT，N沟道，P沟道MOSFET
峰值拉电流：10A
电源电压：4.5V~18V
峰值灌电流：10A
驱动配置：低端
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXGD3005E6TA
上升时间：48ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：1
下降时间：35ns
工作温度：-55℃~150℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：10A
电源电压：25V
峰值灌电流：10A
驱动配置：低端
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：NCP81074AMNTBG
上升时间：4ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：1
下降时间：4ns
工作温度：-40℃~150℃
负载类型：N沟道MOSFET
峰值拉电流：10A
电源电压：4.5V~20V
峰值灌电流：10A
驱动配置：低端
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：NCP81074ADR2G
上升时间：4ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：1
下降时间：4ns
工作温度：-40℃~140℃
负载类型：N沟道MOSFET
峰值拉电流：10A
电源电压：4.5V~20V
峰值灌电流：10A
驱动配置：低端
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：UCC27614DR
上升时间：4.5ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：1
下降时间：4ns
工作温度：-40℃~150℃
负载类型：N沟道MOSFET
峰值拉电流：10A
电源电压：4.5V~26V
峰值灌电流：10A
驱动配置：低端
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXGD3006E6QTA
上升时间：48ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：1
下降时间：35ns
工作温度：-55℃~150℃
负载类型：IGBT，SiCMOSFET
峰值拉电流：10A
电源电压：40V
峰值灌电流：10A
驱动配置：低端
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TC4422AVAT
上升时间：38ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：1
下降时间：33ns
工作温度：-40℃~150℃
负载类型：IGBT，N沟道，P沟道MOSFET
峰值拉电流：10A
电源电压：4.5V~18V
峰值灌电流：10A
驱动配置：低端
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：NCP81074BDR2G
上升时间：4ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：1
下降时间：4ns
工作温度：-40℃~150℃
负载类型：N沟道MOSFET
峰值拉电流：10A
电源电压：4.5V~20V
峰值灌电流：10A
驱动配置：低端
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TC4422AVAT
上升时间：38ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：1
下降时间：33ns
工作温度：-40℃~150℃
负载类型：IGBT，N沟道，P沟道MOSFET
峰值拉电流：10A
电源电压：4.5V~18V
峰值灌电流：10A
驱动配置：低端
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：NCP81074BDR2G
上升时间：4ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：1
下降时间：4ns
工作温度：-40℃~150℃
负载类型：N沟道MOSFET
峰值拉电流：10A
电源电压：4.5V~20V
峰值灌电流：10A
驱动配置：低端
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：UCC27614DR
上升时间：4.5ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：1
下降时间：4ns
工作温度：-40℃~150℃
负载类型：N沟道MOSFET
峰值拉电流：10A
电源电压：4.5V~26V
峰值灌电流：10A
驱动配置：低端
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：NCP81074BDR2G
上升时间：4ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：1
下降时间：4ns
工作温度：-40℃~150℃
负载类型：N沟道MOSFET
峰值拉电流：10A
电源电压：4.5V~20V
峰值灌电流：10A
驱动配置：低端
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：100psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TC4421AVOA
上升时间：38ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：1
下降时间：33ns
工作温度：-40℃~150℃
负载类型：IGBT，N沟道，P沟道MOSFET
峰值拉电流：10A
电源电压：4.5V~18V
峰值灌电流：10A
驱动配置：低端
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：60psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TC4422AVMF
上升时间：38ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：1
下降时间：33ns
工作温度：-40℃~150℃
负载类型：IGBT，N沟道，P沟道MOSFET
峰值拉电流：10A
电源电压：4.5V~18V
峰值灌电流：10A
驱动配置：低端
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：NCP81074AMNTBG
上升时间：4ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：1
下降时间：4ns
工作温度：-40℃~150℃
负载类型：N沟道MOSFET
峰值拉电流：10A
电源电压：4.5V~20V
峰值灌电流：10A
驱动配置：低端
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：NCP81074ADR2G
上升时间：4ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：1
下降时间：4ns
工作温度：-40℃~140℃
负载类型：N沟道MOSFET
峰值拉电流：10A
电源电压：4.5V~20V
峰值灌电流：10A
驱动配置：低端
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：UCC27614DR
上升时间：4.5ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：1
下降时间：4ns
工作温度：-40℃~150℃
负载类型：N沟道MOSFET
峰值拉电流：10A
电源电压：4.5V~26V
峰值灌电流：10A
驱动配置：低端
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：UCC27614DR
上升时间：4.5ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：1
下降时间：4ns
工作温度：-40℃~150℃
负载类型：N沟道MOSFET
峰值拉电流：10A
电源电压：4.5V~26V
峰值灌电流：10A
驱动配置：低端
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：NCP81074AMNTBG
上升时间：4ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：1
下降时间：4ns
工作温度：-40℃~150℃
负载类型：N沟道MOSFET
峰值拉电流：10A
电源电压：4.5V~20V
峰值灌电流：10A
驱动配置：低端
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：TC4422AVOA713
上升时间：38ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：1
下降时间：33ns
工作温度：-40℃~150℃
负载类型：IGBT，N沟道，P沟道MOSFET
峰值拉电流：10A
电源电压：4.5V~18V
峰值灌电流：10A
驱动配置：低端
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：100psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TC4421AVOA
上升时间：38ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：1
下降时间：33ns
工作温度：-40℃~150℃
负载类型：IGBT，N沟道，P沟道MOSFET
峰值拉电流：10A
电源电压：4.5V~18V
峰值灌电流：10A
驱动配置：低端
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXGD3005E6TA
上升时间：48ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：1
下降时间：35ns
工作温度：-55℃~150℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：10A
电源电压：25V
峰值灌电流：10A
驱动配置：低端
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：UCC27614DR
上升时间：4.5ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：1
下降时间：4ns
工作温度：-40℃~150℃
负载类型：N沟道MOSFET
峰值拉电流：10A
电源电压：4.5V~26V
峰值灌电流：10A
驱动配置：低端
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：NCP81074BMNTBG
上升时间：4ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：1
下降时间：4ns
工作温度：-40℃~150℃
负载类型：N沟道MOSFET
峰值拉电流：10A
电源电压：4.5V~20V
峰值灌电流：10A
驱动配置：低端
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：NCP81074AMNTBG
上升时间：4ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：1
下降时间：4ns
工作温度：-40℃~150℃
负载类型：N沟道MOSFET
峰值拉电流：10A
电源电压：4.5V~20V
峰值灌电流：10A
驱动配置：低端
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
