包装规格(MPQ)：100psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：TC4421AVOA

上升时间：38ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：1

下降时间：33ns

工作温度：-40℃~150℃

负载类型：IGBT，N沟道，P沟道MOSFET

峰值拉电流：10A

电源电压：4.5V~18V

峰值灌电流：10A

驱动配置：低端

包装方式：管件

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：60psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：TC4422AVPA

上升时间：38ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：1

下降时间：33ns

工作温度：-40℃~150℃

负载类型：IGBT，N沟道，P沟道MOSFET

峰值拉电流：10A

电源电压：4.5V~18V

峰值灌电流：10A

驱动配置：低端

包装方式：管件

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：50psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：TC4422AVAT

上升时间：38ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：1

下降时间：33ns

工作温度：-40℃~150℃

负载类型：IGBT，N沟道，P沟道MOSFET

峰值拉电流：10A

电源电压：4.5V~18V

峰值灌电流：10A

驱动配置：低端

包装方式：管件

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：50psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：TC4422AVAT

上升时间：38ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：1

下降时间：33ns

工作温度：-40℃~150℃

负载类型：IGBT，N沟道，P沟道MOSFET

峰值拉电流：10A

电源电压：4.5V~18V

峰值灌电流：10A

驱动配置：低端

包装方式：管件

包装清单：商品主体 * 1

生产批次：{"13+"：289，"15+"：224，"17+"：2460}

销售单位：个

规格型号(MPN)：STK621-015B1-E

ECCN：EAR99

工作温度：-20°C~100°C（TA）

电源电压：12.5V~17.5V

峰值灌电流：10A

驱动配置：半桥（3）

包装方式：管件

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：100psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：TC4421AVOA

上升时间：38ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：1

下降时间：33ns

工作温度：-40℃~150℃

负载类型：IGBT，N沟道，P沟道MOSFET

峰值拉电流：10A

电源电压：4.5V~18V

峰值灌电流：10A

驱动配置：低端

包装方式：管件

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：60psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：TC4422AVMF

上升时间：38ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：1

下降时间：33ns

工作温度：-40℃~150℃

负载类型：IGBT，N沟道，P沟道MOSFET

峰值拉电流：10A

电源电压：4.5V~18V

峰值灌电流：10A

驱动配置：低端

包装方式：管件

包装清单：商品主体 * 1

生产批次：{"13+"：400，"14+"：536}

包装规格(MPQ)：8psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：STK544UC61K-E

ECCN：EAR99

工作温度：-40°C~100°C（TA）

电源电压：12.5V~17.5V

峰值灌电流：10A

驱动配置：半桥（3）

包装方式：管件

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：100psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：TC4421AVOA

上升时间：38ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：1

下降时间：33ns

工作温度：-40℃~150℃

负载类型：IGBT，N沟道，P沟道MOSFET

峰值拉电流：10A

电源电压：4.5V~18V

峰值灌电流：10A

驱动配置：低端

包装方式：管件

包装清单：商品主体 * 1

生产批次：{"13+"：289，"15+"：224，"17+"：2460}

销售单位：个

规格型号(MPN)：STK621-015B1-E

ECCN：EAR99

工作温度：-20°C~100°C（TA）

电源电压：12.5V~17.5V

峰值灌电流：10A

驱动配置：半桥（3）

包装方式：管件

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：50psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：TC4421AVAT

上升时间：38ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：1

下降时间：33ns

工作温度：-40℃~150℃

负载类型：IGBT，N沟道，P沟道MOSFET

峰值拉电流：10A

电源电压：4.5V~18V

峰值灌电流：10A

驱动配置：低端

包装方式：管件

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：60psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：TC4422AVPA

上升时间：38ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：1

下降时间：33ns

工作温度：-40℃~150℃

负载类型：IGBT，N沟道，P沟道MOSFET

峰值拉电流：10A

电源电压：4.5V~18V

峰值灌电流：10A

驱动配置：低端

包装方式：管件

包装清单：商品主体 * 1

生产批次：{"13+"：289，"15+"：224，"17+"：2460}

销售单位：个

规格型号(MPN)：STK621-015B1-E

ECCN：EAR99

工作温度：-20°C~100°C（TA）

电源电压：12.5V~17.5V

峰值灌电流：10A

驱动配置：半桥（3）

包装方式：管件

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：100psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：TC4422AVOA

上升时间：38ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：1

下降时间：33ns

工作温度：-40℃~150℃

负载类型：IGBT，N沟道，P沟道MOSFET

峰值拉电流：10A

电源电压：4.5V~18V

峰值灌电流：10A

驱动配置：低端

包装方式：管件

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：60psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：TC4421AVPA

上升时间：38ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：1

下降时间：33ns

工作温度：-40℃~150℃

负载类型：IGBT，N沟道，P沟道MOSFET

峰值拉电流：10A

电源电压：4.5V~18V

峰值灌电流：10A

驱动配置：低端

包装方式：管件

包装清单：商品主体 * 1

生产批次：{"13+"：289，"15+"：224，"17+"：2460}

销售单位：个

规格型号(MPN)：STK621-015B1-E

ECCN：EAR99

工作温度：-20°C~100°C（TA）

电源电压：12.5V~17.5V

峰值灌电流：10A

驱动配置：半桥（3）

包装方式：管件

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：60psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：TC4422AVMF

上升时间：38ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：1

下降时间：33ns

工作温度：-40℃~150℃

负载类型：IGBT，N沟道，P沟道MOSFET

峰值拉电流：10A

电源电压：4.5V~18V

峰值灌电流：10A

驱动配置：低端

包装方式：管件

包装清单：商品主体 * 1

生产批次：{"13+"：400，"14+"：536}

包装规格(MPQ)：8psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：STK544UC61K-E

ECCN：EAR99

工作温度：-40°C~100°C（TA）

电源电压：12.5V~17.5V

峰值灌电流：10A

驱动配置：半桥（3）

包装方式：管件

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：50psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：TC4421AVAT

上升时间：38ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：1

下降时间：33ns

工作温度：-40℃~150℃

负载类型：IGBT，N沟道，P沟道MOSFET

峰值拉电流：10A

电源电压：4.5V~18V

峰值灌电流：10A

驱动配置：低端

包装方式：管件

包装清单：商品主体 * 1

生产批次：{"18+"：163}

销售单位：个

规格型号(MPN)：STK5Q4U362J-E

上升时间：限流，UVLO

ECCN：EAR99

下降时间：IGBT

工作温度：150°C（TJ）

负载类型：电感

峰值拉电流：20A

电源电压：12.5V~17.5V

峰值灌电流：10A

特性：状态标志

驱动配置：半桥（3）

包装方式：管件

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：60psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：TC4422AVPA

上升时间：38ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：1

下降时间：33ns

工作温度：-40℃~150℃

负载类型：IGBT，N沟道，P沟道MOSFET

峰值拉电流：10A

电源电压：4.5V~18V

峰值灌电流：10A

驱动配置：低端

包装方式：管件

包装清单：商品主体 * 1

生产批次：{"13+"：400，"14+"：536}

包装规格(MPQ)：8psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：STK544UC61K-E

ECCN：EAR99

工作温度：-40°C~100°C（TA）

电源电压：12.5V~17.5V

峰值灌电流：10A

驱动配置：半桥（3）

包装方式：管件

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：50psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：TC4422AVAT

上升时间：38ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：1

下降时间：33ns

工作温度：-40℃~150℃

负载类型：IGBT，N沟道，P沟道MOSFET

峰值拉电流：10A

电源电压：4.5V~18V

峰值灌电流：10A

驱动配置：低端

包装方式：管件

包装清单：商品主体 * 1

生产批次：{"13+"：289，"15+"：224，"17+"：2460}

销售单位：个

规格型号(MPN)：STK621-015B1-E

ECCN：EAR99

工作温度：-20°C~100°C（TA）

电源电压：12.5V~17.5V

峰值灌电流：10A

驱动配置：半桥（3）

包装方式：管件

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：60psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：TC4422AVMF

上升时间：38ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：1

下降时间：33ns

工作温度：-40℃~150℃

负载类型：IGBT，N沟道，P沟道MOSFET

峰值拉电流：10A

电源电压：4.5V~18V

峰值灌电流：10A

驱动配置：低端

包装方式：管件

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：50psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：TC4421AVAT

上升时间：38ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：1

下降时间：33ns

工作温度：-40℃~150℃

负载类型：IGBT，N沟道，P沟道MOSFET

峰值拉电流：10A

电源电压：4.5V~18V

峰值灌电流：10A

驱动配置：低端

包装方式：管件

包装清单：商品主体 * 1

生产批次：{"13+"：289，"15+"：224，"17+"：2460}

销售单位：个

规格型号(MPN)：STK621-015B1-E

ECCN：EAR99

工作温度：-20°C~100°C（TA）

电源电压：12.5V~17.5V

峰值灌电流：10A

驱动配置：半桥（3）

包装方式：管件

包装清单：商品主体 * 1

生产批次：{"13+"：400，"14+"：536}

包装规格(MPQ)：8psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：STK544UC61K-E

ECCN：EAR99

工作温度：-40°C~100°C（TA）

电源电压：12.5V~17.5V

峰值灌电流：10A

驱动配置：半桥（3）

包装方式：管件

包装清单：商品主体 * 1

生产批次：{"22+"：1088}

销售单位：个

规格型号(MPN)：STK5Q4U362J-E

上升时间：限流，UVLO

ECCN：EAR99

下降时间：IGBT

工作温度：150°C（TJ）

负载类型：电感

峰值拉电流：20A

电源电压：12.5V~17.5V

峰值灌电流：10A

特性：状态标志

驱动配置：半桥（3）

包装方式：管件

包装清单：商品主体 * 1

生产批次：{"22+"：1088}

销售单位：个

规格型号(MPN)：STK5Q4U362J-E

上升时间：限流，UVLO

ECCN：EAR99

下降时间：IGBT

工作温度：150°C（TJ）

负载类型：电感

峰值拉电流：20A

电源电压：12.5V~17.5V

峰值灌电流：10A

特性：状态标志

驱动配置：半桥（3）

包装方式：管件

包装清单：商品主体 * 1