品牌:INFINEON
分类:门极驱动器
行业应用:其他
是否隔离:隔离
生产批次:{"20+":3325}
销售单位:个
规格型号(MPN):IRS4426SPBF
上升时间:25ns
ECCN:EAR99
驱动通道数:2
下降时间:25ns
工作温度:-40℃~150℃
负载类型:IGBT,N沟道MOSFET
峰值拉电流:3.3A
电源电压:6V~20V
峰值灌电流:2.3A
驱动配置:低端
包装方式:管件
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:门极驱动器
行业应用:其他
是否隔离:隔离
销售单位:个
规格型号(MPN):IRS4426STRPBF
上升时间:25ns
ECCN:EAR99
驱动通道数:2
下降时间:25ns
工作温度:-40℃~150℃
负载类型:IGBT,N沟道MOSFET
峰值拉电流:3.3A
电源电压:6V~20V
峰值灌电流:2.3A
驱动配置:低端
包装方式:卷带(TR)
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:门极驱动器
行业应用:其他
是否隔离:隔离
销售单位:个
规格型号(MPN):2EDL23I06PJXUMA1
上升时间:48ns
ECCN:EAR99
驱动通道数:2
下降时间:37ns
工作温度:-40℃~150℃
负载类型:IGBT
峰值拉电流:2.3A
电源电压:10V~25V
峰值灌电流:2.3A
驱动配置:半桥
包装方式:卷带(TR)
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:门极驱动器
行业应用:其他
是否隔离:隔离
销售单位:个
规格型号(MPN):IR4426SPBF
上升时间:15ns
ECCN:EAR99
驱动通道数:2
下降时间:10ns
工作温度:-40℃~150℃
负载类型:IGBT,N沟道MOSFET
峰值拉电流:3.3A
电源电压:6V~20V
峰值灌电流:2.3A
驱动配置:低端
包装方式:管件
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:门极驱动器
行业应用:其他
是否隔离:隔离
销售单位:个
规格型号(MPN):NCD57200DR2G
上升时间:13ns
ECCN:EAR99
驱动通道数:2
下降时间:8ns
工作温度:-40℃~+125℃
负载类型:IGBT
峰值拉电流:1.9A
电源电压:20V
峰值灌电流:2.3A
驱动配置:半桥
包装方式:卷带(TR)
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:门极驱动器
行业应用:其他
是否隔离:隔离
销售单位:个
规格型号(MPN):IRS4428STRPBF
上升时间:25ns
ECCN:EAR99
驱动通道数:2
下降时间:25ns
工作温度:-40℃~150℃
负载类型:IGBT,N沟道MOSFET
峰值拉电流:3.3A
电源电压:6V~20V
峰值灌电流:2.3A
驱动配置:低端
包装方式:卷带(TR)
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:门极驱动器
行业应用:其他
是否隔离:隔离
销售单位:个
规格型号(MPN):IRS4426STRPBF
上升时间:25ns
ECCN:EAR99
驱动通道数:2
下降时间:25ns
工作温度:-40℃~150℃
负载类型:IGBT,N沟道MOSFET
峰值拉电流:3.3A
电源电压:6V~20V
峰值灌电流:2.3A
驱动配置:低端
包装方式:卷带(TR)
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:门极驱动器
行业应用:其他
是否隔离:隔离
销售单位:个
规格型号(MPN):IR4426STRPBF
上升时间:15ns
ECCN:EAR99
驱动通道数:2
下降时间:10ns
工作温度:-40℃~150℃
负载类型:IGBT,N沟道MOSFET
峰值拉电流:3.3A
电源电压:6V~20V
峰值灌电流:2.3A
驱动配置:低端
包装方式:卷带(TR)
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:门极驱动器
行业应用:其他
是否隔离:隔离
销售单位:个
规格型号(MPN):NCV57200DR2G
上升时间:13ns
ECCN:EAR99
驱动通道数:1
下降时间:8ns
工作温度:-40℃~+125℃
负载类型:IGBT
峰值拉电流:1.9A
电源电压:20V
峰值灌电流:2.3A
驱动配置:半桥
包装方式:卷带(TR)
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:门极驱动器
行业应用:其他
是否隔离:隔离
销售单位:个
规格型号(MPN):2EDL23I06PJXUMA1
上升时间:48ns
ECCN:EAR99
驱动通道数:2
下降时间:37ns
工作温度:-40℃~150℃
负载类型:IGBT
峰值拉电流:2.3A
电源电压:10V~25V
峰值灌电流:2.3A
驱动配置:半桥
包装方式:卷带(TR)
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:门极驱动器
行业应用:其他
是否隔离:隔离
销售单位:个
规格型号(MPN):NCD57200DR2G
上升时间:13ns
ECCN:EAR99
驱动通道数:2
下降时间:8ns
工作温度:-40℃~+125℃
负载类型:IGBT
峰值拉电流:1.9A
电源电压:20V
峰值灌电流:2.3A
驱动配置:半桥
包装方式:卷带(TR)
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:门极驱动器
行业应用:其他
是否隔离:隔离
销售单位:个
规格型号(MPN):IRS4427STRPBF
上升时间:25ns
ECCN:EAR99
驱动通道数:2
下降时间:25ns
工作温度:-40℃~150℃
负载类型:IGBT,N沟道MOSFET
峰值拉电流:3.3A
电源电压:6V~20V
峰值灌电流:2.3A
驱动配置:低端
包装方式:卷带(TR)
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:门极驱动器
行业应用:其他
是否隔离:隔离
销售单位:个
规格型号(MPN):NCV57200DR2G
上升时间:13ns
ECCN:EAR99
驱动通道数:1
下降时间:8ns
工作温度:-40℃~+125℃
负载类型:IGBT
峰值拉电流:1.9A
电源电压:20V
峰值灌电流:2.3A
驱动配置:半桥
包装方式:卷带(TR)
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:门极驱动器
行业应用:其他
是否隔离:隔离
销售单位:个
规格型号(MPN):IRS4428STRPBF
上升时间:25ns
ECCN:EAR99
驱动通道数:2
下降时间:25ns
工作温度:-40℃~150℃
负载类型:IGBT,N沟道MOSFET
峰值拉电流:3.3A
电源电压:6V~20V
峰值灌电流:2.3A
驱动配置:低端
包装方式:卷带(TR)
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:门极驱动器
行业应用:其他
是否隔离:隔离
生产批次:{"22+":4042}
销售单位:个
规格型号(MPN):NCD57201DR2G
上升时间:13ns
ECCN:EAR99
驱动通道数:1
下降时间:8ns
工作温度:-40℃~+125℃
峰值拉电流:1.9A
峰值灌电流:2.3A
包装方式:卷带(TR)
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:门极驱动器
行业应用:其他
是否隔离:隔离
销售单位:个
规格型号(MPN):IR4426STRPBF
上升时间:15ns
ECCN:EAR99
驱动通道数:2
下降时间:10ns
工作温度:-40℃~150℃
负载类型:IGBT,N沟道MOSFET
峰值拉电流:3.3A
电源电压:6V~20V
峰值灌电流:2.3A
驱动配置:低端
包装方式:卷带(TR)
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:门极驱动器
行业应用:其他
是否隔离:隔离
销售单位:个
规格型号(MPN):2EDL23I06PJXUMA1
上升时间:48ns
ECCN:EAR99
驱动通道数:2
下降时间:37ns
工作温度:-40℃~150℃
负载类型:IGBT
峰值拉电流:2.3A
电源电压:10V~25V
峰值灌电流:2.3A
驱动配置:半桥
包装方式:卷带(TR)
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:门极驱动器
行业应用:其他
是否隔离:隔离
销售单位:个
规格型号(MPN):IRS4426STRPBF
上升时间:25ns
ECCN:EAR99
驱动通道数:2
下降时间:25ns
工作温度:-40℃~150℃
负载类型:IGBT,N沟道MOSFET
峰值拉电流:3.3A
电源电压:6V~20V
峰值灌电流:2.3A
驱动配置:低端
包装方式:卷带(TR)
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:门极驱动器
行业应用:其他
是否隔离:隔离
销售单位:个
规格型号(MPN):IRS4427STRPBF
上升时间:25ns
ECCN:EAR99
驱动通道数:2
下降时间:25ns
工作温度:-40℃~150℃
负载类型:IGBT,N沟道MOSFET
峰值拉电流:3.3A
电源电压:6V~20V
峰值灌电流:2.3A
驱动配置:低端
包装方式:卷带(TR)
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:门极驱动器
行业应用:其他
是否隔离:隔离
销售单位:个
规格型号(MPN):IR4427SPBF
上升时间:15ns
ECCN:EAR99
驱动通道数:2
下降时间:10ns
工作温度:-40℃~150℃
负载类型:IGBT,N沟道MOSFET
峰值拉电流:3.3A
电源电压:6V~20V
峰值灌电流:2.3A
驱动配置:低端
包装方式:管件
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:门极驱动器
行业应用:其他
是否隔离:隔离
销售单位:个
规格型号(MPN):IR4427SPBF
上升时间:15ns
ECCN:EAR99
驱动通道数:2
下降时间:10ns
工作温度:-40℃~150℃
负载类型:IGBT,N沟道MOSFET
峰值拉电流:3.3A
电源电压:6V~20V
峰值灌电流:2.3A
驱动配置:低端
包装方式:管件
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:门极驱动器
行业应用:其他
是否隔离:隔离
销售单位:个
规格型号(MPN):IR4426STRPBF
上升时间:15ns
ECCN:EAR99
驱动通道数:2
下降时间:10ns
工作温度:-40℃~150℃
负载类型:IGBT,N沟道MOSFET
峰值拉电流:3.3A
电源电压:6V~20V
峰值灌电流:2.3A
驱动配置:低端
包装方式:卷带(TR)
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:门极驱动器
行业应用:其他
是否隔离:隔离
销售单位:个
规格型号(MPN):IR4427SPBF
上升时间:15ns
ECCN:EAR99
驱动通道数:2
下降时间:10ns
工作温度:-40℃~150℃
负载类型:IGBT,N沟道MOSFET
峰值拉电流:3.3A
电源电压:6V~20V
峰值灌电流:2.3A
驱动配置:低端
包装方式:管件
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:门极驱动器
行业应用:其他
是否隔离:隔离
销售单位:个
规格型号(MPN):IRS4427STRPBF
上升时间:25ns
ECCN:EAR99
驱动通道数:2
下降时间:25ns
工作温度:-40℃~150℃
负载类型:IGBT,N沟道MOSFET
峰值拉电流:3.3A
电源电压:6V~20V
峰值灌电流:2.3A
驱动配置:低端
包装方式:卷带(TR)
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:门极驱动器
行业应用:其他
是否隔离:隔离
销售单位:个
规格型号(MPN):IRS4427STRPBF
上升时间:25ns
ECCN:EAR99
驱动通道数:2
下降时间:25ns
工作温度:-40℃~150℃
负载类型:IGBT,N沟道MOSFET
峰值拉电流:3.3A
电源电压:6V~20V
峰值灌电流:2.3A
驱动配置:低端
包装方式:卷带(TR)
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:门极驱动器
行业应用:其他
是否隔离:隔离
销售单位:个
规格型号(MPN):IRS4427STRPBF
上升时间:25ns
ECCN:EAR99
驱动通道数:2
下降时间:25ns
工作温度:-40℃~150℃
负载类型:IGBT,N沟道MOSFET
峰值拉电流:3.3A
电源电压:6V~20V
峰值灌电流:2.3A
驱动配置:低端
包装方式:卷带(TR)
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:门极驱动器
行业应用:其他
是否隔离:隔离
销售单位:个
规格型号(MPN):IRS4428STRPBF
上升时间:25ns
ECCN:EAR99
驱动通道数:2
下降时间:25ns
工作温度:-40℃~150℃
负载类型:IGBT,N沟道MOSFET
峰值拉电流:3.3A
电源电压:6V~20V
峰值灌电流:2.3A
驱动配置:低端
包装方式:卷带(TR)
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:门极驱动器
行业应用:其他
是否隔离:隔离
销售单位:个
规格型号(MPN):IRS4427STRPBF
上升时间:25ns
ECCN:EAR99
驱动通道数:2
下降时间:25ns
工作温度:-40℃~150℃
负载类型:IGBT,N沟道MOSFET
峰值拉电流:3.3A
电源电压:6V~20V
峰值灌电流:2.3A
驱动配置:低端
包装方式:卷带(TR)
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:门极驱动器
行业应用:其他
是否隔离:隔离
生产批次:{"17+":1757}
销售单位:个
规格型号(MPN):IR25600PBF
上升时间:15ns
ECCN:EAR99
驱动通道数:2
下降时间:10ns
工作温度:-40℃~150℃
负载类型:IGBT,N沟道MOSFET
峰值拉电流:3.3A
电源电压:6V~20V
峰值灌电流:2.3A
驱动配置:低端
包装方式:管件
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:门极驱动器
行业应用:其他
是否隔离:隔离
销售单位:个
规格型号(MPN):NCV57200DR2G
上升时间:13ns
ECCN:EAR99
驱动通道数:1
下降时间:8ns
工作温度:-40℃~+125℃
负载类型:IGBT
峰值拉电流:1.9A
电源电压:20V
峰值灌电流:2.3A
驱动配置:半桥
包装方式:卷带(TR)
包装清单:商品主体 * 1
库存: