销售单位:个
规格型号(MPN):NCV51511PDR2G
上升时间:6ns
ECCN:EAR99
驱动通道数:2
下降时间:4ns
工作温度:-40℃~150℃
负载类型:N沟道MOSFET
峰值拉电流:6A
电源电压:8V~16V
峰值灌电流:3A
驱动配置:高压侧或低压侧
包装方式:卷带(TR)
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:门极驱动器
行业应用:其他
是否隔离:隔离
销售单位:个
规格型号(MPN):NCV51511PDR2G
上升时间:6ns
ECCN:EAR99
驱动通道数:2
下降时间:4ns
工作温度:-40℃~150℃
负载类型:N沟道MOSFET
峰值拉电流:6A
电源电压:8V~16V
峰值灌电流:3A
驱动配置:高压侧或低压侧
包装方式:卷带(TR)
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:门极驱动器
行业应用:其他
是否隔离:隔离
销售单位:个
规格型号(MPN):NCV51511PDR2G
上升时间:6ns
ECCN:EAR99
驱动通道数:2
下降时间:4ns
工作温度:-40℃~150℃
负载类型:N沟道MOSFET
峰值拉电流:6A
电源电压:8V~16V
峰值灌电流:3A
驱动配置:高压侧或低压侧
包装方式:卷带(TR)
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):NCV51511PDR2G
上升时间:6ns
ECCN:EAR99
驱动通道数:2
下降时间:4ns
工作温度:-40℃~150℃
负载类型:N沟道MOSFET
峰值拉电流:6A
电源电压:8V~16V
峰值灌电流:3A
驱动配置:高压侧或低压侧
包装方式:卷带(TR)
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:门极驱动器
行业应用:其他
是否隔离:隔离
销售单位:个
规格型号(MPN):NCV51511PDR2G
上升时间:6ns
ECCN:EAR99
驱动通道数:2
下降时间:4ns
工作温度:-40℃~150℃
负载类型:N沟道MOSFET
峰值拉电流:6A
电源电压:8V~16V
峰值灌电流:3A
驱动配置:高压侧或低压侧
包装方式:卷带(TR)
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):NCV51511PDR2G
上升时间:6ns
ECCN:EAR99
驱动通道数:2
下降时间:4ns
工作温度:-40℃~150℃
负载类型:N沟道MOSFET
峰值拉电流:6A
电源电压:8V~16V
峰值灌电流:3A
驱动配置:高压侧或低压侧
包装方式:卷带(TR)
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):NCV51511PDR2G
上升时间:6ns
ECCN:EAR99
驱动通道数:2
下降时间:4ns
工作温度:-40℃~150℃
负载类型:N沟道MOSFET
峰值拉电流:6A
电源电压:8V~16V
峰值灌电流:3A
驱动配置:高压侧或低压侧
包装方式:卷带(TR)
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):NCV51511PDR2G
上升时间:6ns
ECCN:EAR99
驱动通道数:2
下降时间:4ns
工作温度:-40℃~150℃
负载类型:N沟道MOSFET
峰值拉电流:6A
电源电压:8V~16V
峰值灌电流:3A
驱动配置:高压侧或低压侧
包装方式:卷带(TR)
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):NCV51511PDR2G
上升时间:6ns
ECCN:EAR99
驱动通道数:2
下降时间:4ns
工作温度:-40℃~150℃
负载类型:N沟道MOSFET
峰值拉电流:6A
电源电压:8V~16V
峰值灌电流:3A
驱动配置:高压侧或低压侧
包装方式:卷带(TR)
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:门极驱动器
行业应用:其他
是否隔离:隔离
销售单位:个
规格型号(MPN):NCV51511PDR2G
上升时间:6ns
ECCN:EAR99
驱动通道数:2
下降时间:4ns
工作温度:-40℃~150℃
负载类型:N沟道MOSFET
峰值拉电流:6A
电源电压:8V~16V
峰值灌电流:3A
驱动配置:高压侧或低压侧
包装方式:卷带(TR)
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):NCV51511PDR2G
上升时间:6ns
ECCN:EAR99
驱动通道数:2
下降时间:4ns
工作温度:-40℃~150℃
负载类型:N沟道MOSFET
峰值拉电流:6A
电源电压:8V~16V
峰值灌电流:3A
驱动配置:高压侧或低压侧
包装方式:卷带(TR)
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):NCV51511PDR2G
上升时间:6ns
ECCN:EAR99
驱动通道数:2
下降时间:4ns
工作温度:-40℃~150℃
负载类型:N沟道MOSFET
峰值拉电流:6A
电源电压:8V~16V
峰值灌电流:3A
驱动配置:高压侧或低压侧
包装方式:卷带(TR)
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):NCV51511PDR2G
上升时间:6ns
ECCN:EAR99
驱动通道数:2
下降时间:4ns
工作温度:-40℃~150℃
负载类型:N沟道MOSFET
峰值拉电流:6A
电源电压:8V~16V
峰值灌电流:3A
驱动配置:高压侧或低压侧
包装方式:卷带(TR)
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:门极驱动器
行业应用:其他
是否隔离:隔离
销售单位:个
规格型号(MPN):NCV51511PDR2G
上升时间:6ns
ECCN:EAR99
驱动通道数:2
下降时间:4ns
工作温度:-40℃~150℃
负载类型:N沟道MOSFET
峰值拉电流:6A
电源电压:8V~16V
峰值灌电流:3A
驱动配置:高压侧或低压侧
包装方式:卷带(TR)
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:门极驱动器
行业应用:其他
是否隔离:隔离
销售单位:个
规格型号(MPN):NCV51511PDR2G
上升时间:6ns
ECCN:EAR99
驱动通道数:2
下降时间:4ns
工作温度:-40℃~150℃
负载类型:N沟道MOSFET
峰值拉电流:6A
电源电压:8V~16V
峰值灌电流:3A
驱动配置:高压侧或低压侧
包装方式:卷带(TR)
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:门极驱动器
行业应用:其他
是否隔离:隔离
销售单位:个
规格型号(MPN):NCV51511PDR2G
峰值灌电流:3A
驱动配置:高压侧或低压侧
上升时间:6ns
负载类型:N沟道MOSFET
峰值拉电流:6A
工作温度:-40℃~150℃
ECCN:EAR99
电源电压:8V~16V
包装方式:卷带(TR)
驱动通道数:2
下降时间:4ns
包装清单:商品主体 * 1
库存: