包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):MIC4424ZN
上升时间:28ns
ECCN:EAR99
驱动通道数:2
下降时间:32ns
工作温度:0℃~150℃
负载类型:N沟道,P沟道MOSFET
峰值拉电流:3A
电源电压:4.5V~18V
峰值灌电流:3A
驱动配置:低端
包装方式:管件
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):UC3708N
上升时间:25ns
ECCN:EAR99
驱动通道数:2
下降时间:25ns
工作温度:0℃~70℃
负载类型:N沟道,P沟道MOSFET
峰值拉电流:3A
电源电压:5V~35V
峰值灌电流:3A
驱动配置:低端
包装方式:管件
包装清单:商品主体 * 1
库存:
生产批次:{"18+":1680,"19+":17040}
销售单位:个
规格型号(MPN):IRSM505-044DA
上升时间:UVLO
ECCN:EAR99
下降时间:UMOS
工作温度:-40°C~150°C(TJ)
负载类型:电感
峰值拉电流:15A
电源电压:13.5V~16.5V
峰值灌电流:3A
特性:自举电路
驱动配置:半桥(3)
包装方式:管件
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):56psc
销售单位:个
规格型号(MPN):TC4424MJA
上升时间:23ns
ECCN:EAR99
驱动通道数:2
下降时间:25ns
工作温度:-55℃~150℃
负载类型:N沟道,P沟道MOSFET
峰值拉电流:3A
电源电压:4.5V~18V
峰值灌电流:3A
驱动配置:低端
包装方式:管件
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):25psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FAN7392N
上升时间:25ns
ECCN:EAR99
驱动通道数:2
下降时间:20ns
工作温度:-40℃~150℃
负载类型:IGBT,N沟道MOSFET
峰值拉电流:3A
电源电压:10V~20V
峰值灌电流:3A
驱动配置:半桥
包装方式:管件
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:门极驱动器
行业应用:其他
是否隔离:隔离
包装规格(MPQ):45psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IR2010SPBF
上升时间:10ns
ECCN:EAR99
驱动通道数:2
下降时间:15ns
工作温度:-40℃~150℃
负载类型:IGBT,N沟道MOSFET
峰值拉电流:3A
电源电压:10V~20V
峰值灌电流:3A
驱动配置:半桥
包装方式:管件
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):60psc
销售单位:个
规格型号(MPN):TC4424EPA
上升时间:23ns
ECCN:EAR99
驱动通道数:2
下降时间:25ns
工作温度:-40℃~150℃
负载类型:N沟道,P沟道MOSFET
峰值拉电流:3A
电源电压:4.5V~18V
峰值灌电流:3A
驱动配置:低端
包装方式:管件
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):60psc
销售单位:个
规格型号(MPN):TC1413NEPA
上升时间:20ns
ECCN:EAR99
驱动通道数:1
下降时间:20ns
工作温度:-40℃~150℃
负载类型:N沟道,P沟道MOSFET
峰值拉电流:3A
电源电压:4.5V~16V
峰值灌电流:3A
驱动配置:低端
包装方式:管件
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:门极驱动器
行业应用:其他
是否隔离:隔离
生产批次:{"17+":25,"21+":625}
包装规格(MPQ):25psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IR2010PBF
上升时间:10ns
ECCN:EAR99
驱动通道数:2
下降时间:15ns
工作温度:-40℃~150℃
负载类型:IGBT,N沟道MOSFET
峰值拉电流:3A
电源电压:10V~20V
峰值灌电流:3A
驱动配置:半桥
包装方式:管件
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):TC4425CPA
上升时间:23ns
ECCN:EAR99
驱动通道数:2
下降时间:25ns
工作温度:0℃~150℃
负载类型:N沟道,P沟道MOSFET
峰值拉电流:3A
电源电压:4.5V~18V
峰值灌电流:3A
驱动配置:低端
包装方式:管件
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:门极驱动器
行业应用:其他
是否隔离:隔离
包装规格(MPQ):40psc
销售单位:个
规格型号(MPN):UC2708DW
上升时间:25ns
ECCN:EAR99
驱动通道数:2
下降时间:25ns
工作温度:-25℃~85℃
负载类型:N沟道,P沟道MOSFET
峰值拉电流:3A
电源电压:5V~35V
峰值灌电流:3A
驱动配置:低端
包装方式:管件
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):47psc
销售单位:个
规格型号(MPN):TC4424COE
上升时间:23ns
ECCN:EAR99
驱动通道数:2
下降时间:25ns
工作温度:0℃~150℃
负载类型:N沟道,P沟道MOSFET
峰值拉电流:3A
电源电压:4.5V~18V
峰值灌电流:3A
驱动配置:低端
包装方式:管件
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):75psc
销售单位:个
规格型号(MPN):UCC27201D
上升时间:8ns
ECCN:EAR99
驱动通道数:2
下降时间:7ns
工作温度:-40℃~140℃
负载类型:N沟道MOSFET
峰值拉电流:3A
电源电压:8V~17V
峰值灌电流:3A
驱动配置:半桥
包装方式:管件
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:门极驱动器
行业应用:其他
是否隔离:隔离
包装规格(MPQ):47psc
销售单位:个
规格型号(MPN):MIC4425ZWM
上升时间:28ns
ECCN:EAR99
驱动通道数:2
下降时间:32ns
工作温度:0℃~150℃
负载类型:N沟道,P沟道MOSFET
峰值拉电流:3A
电源电压:4.5V~18V
峰值灌电流:3A
驱动配置:低端
包装方式:管件
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):47psc
销售单位:个
规格型号(MPN):MIC4424YWM
上升时间:28ns
ECCN:EAR99
驱动通道数:2
下降时间:32ns
工作温度:-40℃~150℃
负载类型:N沟道,P沟道MOSFET
峰值拉电流:3A
电源电压:4.5V~18V
峰值灌电流:3A
驱动配置:低端
包装方式:管件
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):100psc
销售单位:个
规格型号(MPN):TC1413NEOA
上升时间:20ns
ECCN:EAR99
驱动通道数:1
下降时间:20ns
工作温度:-40℃~150℃
负载类型:N沟道,P沟道MOSFET
峰值拉电流:3A
电源电压:4.5V~16V
峰值灌电流:3A
驱动配置:低端
包装方式:管件
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):60psc
销售单位:个
规格型号(MPN):TC4424EPA
上升时间:23ns
ECCN:EAR99
驱动通道数:2
下降时间:25ns
工作温度:-40℃~150℃
负载类型:N沟道,P沟道MOSFET
峰值拉电流:3A
电源电压:4.5V~18V
峰值灌电流:3A
驱动配置:低端
包装方式:管件
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:门极驱动器
行业应用:其他
是否隔离:隔离
生产批次:{"14+":3840,"19+":12000}
销售单位:个
规格型号(MPN):IRSM505-044PA
上升时间:UVLO
ECCN:EAR99
下降时间:UMOS
工作温度:-40°C~150°C(TJ)
负载类型:电感
峰值拉电流:15A
电源电压:13.5V~16.5V
峰值灌电流:3A
特性:自举电路
驱动配置:半桥(3)
包装方式:管件
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):95psc
销售单位:个
规格型号(MPN):LM5100AMR/NOPB
上升时间:430ns
ECCN:EAR99
驱动通道数:2
下降时间:260ns
工作温度:-40℃~125℃
负载类型:N沟道MOSFET
峰值拉电流:3A
电源电压:9V~14V
峰值灌电流:3A
驱动配置:半桥
包装方式:管件
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:门极驱动器
行业应用:其他
是否隔离:隔离
生产批次:{"12+":180,"14+":190}
销售单位:个
规格型号(MPN):LM25101AMR/NOPB
上升时间:430ns
ECCN:EAR99
驱动通道数:2
下降时间:260ns
工作温度:-40℃~125℃
负载类型:N沟道MOSFET
峰值拉电流:3A
电源电压:9V~14V
峰值灌电流:3A
驱动配置:半桥
包装方式:管件
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):25psc
销售单位:个
规格型号(MPN):UC3708NE
上升时间:25ns
ECCN:EAR99
驱动通道数:2
下降时间:25ns
工作温度:0℃~70℃
负载类型:N沟道,P沟道MOSFET
峰值拉电流:3A
电源电压:5V~35V
峰值灌电流:3A
驱动配置:低端
包装方式:管件
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):75psc
销售单位:个
规格型号(MPN):UCC27201D
上升时间:8ns
ECCN:EAR99
驱动通道数:2
下降时间:7ns
工作温度:-40℃~140℃
负载类型:N沟道MOSFET
峰值拉电流:3A
电源电压:8V~17V
峰值灌电流:3A
驱动配置:半桥
包装方式:管件
包装清单:商品主体 * 1
库存:
生产批次:{"18+":1680,"19+":17040}
销售单位:个
规格型号(MPN):IRSM505-044DA
上升时间:UVLO
ECCN:EAR99
下降时间:UMOS
工作温度:-40°C~150°C(TJ)
负载类型:电感
峰值拉电流:15A
电源电压:13.5V~16.5V
峰值灌电流:3A
特性:自举电路
驱动配置:半桥(3)
包装方式:管件
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):MIC4424YN
上升时间:28ns
ECCN:EAR99
驱动通道数:2
下降时间:32ns
工作温度:-40℃~150℃
负载类型:N沟道,P沟道MOSFET
峰值拉电流:3A
电源电压:4.5V~18V
峰值灌电流:3A
驱动配置:低端
包装方式:管件
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):75psc
销售单位:个
规格型号(MPN):UCC27201D
上升时间:8ns
ECCN:EAR99
驱动通道数:2
下降时间:7ns
工作温度:-40℃~140℃
负载类型:N沟道MOSFET
峰值拉电流:3A
电源电压:8V~17V
峰值灌电流:3A
驱动配置:半桥
包装方式:管件
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):MIC4423YN
上升时间:28ns
ECCN:EAR99
驱动通道数:2
下降时间:32ns
工作温度:-40℃~150℃
负载类型:N沟道,P沟道MOSFET
峰值拉电流:3A
电源电压:4.5V~18V
峰值灌电流:3A
驱动配置:低端
包装方式:管件
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):UC2708N
上升时间:25ns
ECCN:EAR99
驱动通道数:2
下降时间:25ns
工作温度:-25℃~85℃
负载类型:N沟道,P沟道MOSFET
峰值拉电流:3A
电源电压:5V~35V
峰值灌电流:3A
驱动配置:低端
包装方式:管件
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):UC3708N
上升时间:25ns
ECCN:EAR99
驱动通道数:2
下降时间:25ns
工作温度:0℃~70℃
负载类型:N沟道,P沟道MOSFET
峰值拉电流:3A
电源电压:5V~35V
峰值灌电流:3A
驱动配置:低端
包装方式:管件
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):95psc
销售单位:个
规格型号(MPN):MIC4425YM
上升时间:28ns
ECCN:EAR99
驱动通道数:2
下降时间:32ns
工作温度:-40℃~150℃
负载类型:N沟道,P沟道MOSFET
峰值拉电流:3A
电源电压:4.5V~18V
峰值灌电流:3A
驱动配置:低端
包装方式:管件
包装清单:商品主体 * 1
库存: