销售单位：个

规格型号(MPN)：LM5110-2MX/NOPB

上升时间：14ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：2

下降时间：12ns

工作温度：-40℃~125℃

负载类型：N沟道MOSFET

峰值拉电流：5A

电源电压：3.5V~14V

峰值灌电流：3A

驱动配置：低端

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

生产批次：{"12+"：13205，"14+"：6954}

包装规格(MPQ)：95psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：LM5111-3M/NOPB

上升时间：14ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：2

下降时间：12ns

工作温度：-40℃~125℃

负载类型：N沟道MOSFET

峰值拉电流：5A

电源电压：3.5V~14V

峰值灌电流：3A

驱动配置：低端

包装方式：散装

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：UCC27200DR

上升时间：8ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：2

下降时间：7ns

工作温度：-40℃~140℃

负载类型：N沟道MOSFET

峰值拉电流：3A

电源电压：8V~17V

峰值灌电流：3A

驱动配置：半桥

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：UCC27201AQDMKRQ1

上升时间：8ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：2

下降时间：7ns

工作温度：-40℃~140℃

负载类型：N沟道MOSFET

峰值拉电流：3A

电源电压：8V~17V

峰值灌电流：3A

驱动配置：半桥

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：50psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：UC3708N

上升时间：25ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：2

下降时间：25ns

工作温度：0℃~70℃

负载类型：N沟道，P沟道MOSFET

峰值拉电流：3A

电源电压：5V~35V

峰值灌电流：3A

驱动配置：低端

包装方式：管件

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：LM25101ASD-1/NOPB

上升时间：430ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：2

下降时间：260ns

工作温度：-40℃~125℃

负载类型：N沟道MOSFET

峰值拉电流：3A

电源电压：9V~14V

峰值灌电流：3A

驱动配置：半桥

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：UCC27200DR

上升时间：8ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：2

下降时间：7ns

工作温度：-40℃~140℃

负载类型：N沟道MOSFET

峰值拉电流：3A

电源电压：8V~17V

峰值灌电流：3A

驱动配置：半桥

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

生产批次：{"15+"：13500}

销售单位：个

规格型号(MPN)：SM74101SDX/NOPB

上升时间：14ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：1

下降时间：12ns

工作温度：-40℃~125℃

负载类型：N沟道，P沟道MOSFET

峰值拉电流：7A

电源电压：3.5V~14V

峰值灌电流：3A

驱动配置：低端

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：UCC27201ADDAR

上升时间：8ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：2

下降时间：7ns

工作温度：-40℃~140℃

负载类型：N沟道MOSFET

峰值拉电流：3A

电源电压：8V~17V

峰值灌电流：3A

驱动配置：半桥

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：TPSI3050DWZR

ECCN：EAR99

驱动通道数：1

工作温度：-40℃~+125℃

峰值拉电流：1.5A

峰值灌电流：3A

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：UCC27201ADR

上升时间：8ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：2

下降时间：7ns

工作温度：-40℃~140℃

负载类型：N沟道MOSFET

峰值拉电流：3A

电源电压：8V~17V

峰值灌电流：3A

驱动配置：半桥

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：LM5101ASD-1/NOPB

上升时间：430ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：2

下降时间：260ns

工作温度：-40℃~125℃

负载类型：N沟道MOSFET

峰值拉电流：3A

电源电压：9V~14V

峰值灌电流：3A

驱动配置：半桥

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：LM5101ASD-1/NOPB

上升时间：430ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：2

下降时间：260ns

工作温度：-40℃~125℃

负载类型：N沟道MOSFET

峰值拉电流：3A

电源电压：9V~14V

峰值灌电流：3A

驱动配置：半桥

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：UCC27201AD

上升时间：8ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：2

下降时间：7ns

工作温度：-40℃~140℃

负载类型：N沟道MOSFET

峰值拉电流：3A

电源电压：8V~17V

峰值灌电流：3A

驱动配置：半桥

包装方式：散装

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：UCC27201DDAR

上升时间：8ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：2

下降时间：7ns

工作温度：-40℃~140℃

负载类型：N沟道MOSFET

峰值拉电流：3A

电源电压：8V~17V

峰值灌电流：3A

驱动配置：半桥

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：UCC27201ADRMR

上升时间：8ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：2

下降时间：7ns

工作温度：-40℃~140℃

负载类型：N沟道MOSFET

峰值拉电流：3A

电源电压：8V~17V

峰值灌电流：3A

驱动配置：半桥

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

生产批次：{"14+"：3906}

销售单位：个

规格型号(MPN)：LM25101ASDX-1/NOPB

上升时间：430ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：2

下降时间：260ns

工作温度：-40℃~125℃

负载类型：N沟道MOSFET

峰值拉电流：3A

电源电压：9V~14V

峰值灌电流：3A

驱动配置：半桥

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

生产批次：{"13+"：916}

销售单位：个

规格型号(MPN)：UCC27200ADR

上升时间：8ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：2

下降时间：7ns

工作温度：-40℃~140℃

负载类型：N沟道MOSFET

峰值拉电流：3A

电源电压：8V~17V

峰值灌电流：3A

驱动配置：半桥

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：UCC27201ADR

上升时间：8ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：2

下降时间：7ns

工作温度：-40℃~140℃

负载类型：N沟道MOSFET

峰值拉电流：3A

电源电压：8V~17V

峰值灌电流：3A

驱动配置：半桥

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：LM25101ASD-1/NOPB

上升时间：430ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：2

下降时间：260ns

工作温度：-40℃~125℃

负载类型：N沟道MOSFET

峰值拉电流：3A

电源电压：9V~14V

峰值灌电流：3A

驱动配置：半桥

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：UCC27201DDAR

上升时间：8ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：2

下降时间：7ns

工作温度：-40℃~140℃

负载类型：N沟道MOSFET

峰值拉电流：3A

电源电压：8V~17V

峰值灌电流：3A

驱动配置：半桥

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：LM25101ASD-1/NOPB

上升时间：430ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：2

下降时间：260ns

工作温度：-40℃~125℃

负载类型：N沟道MOSFET

峰值拉电流：3A

电源电压：9V~14V

峰值灌电流：3A

驱动配置：半桥

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：UCC27284DRMR

上升时间：10ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：2

下降时间：10ns

工作温度：-40℃~+125℃

负载类型：MOSFET

峰值拉电流：3A

电源电压：5.5V~16V

峰值灌电流：3A

驱动配置：半桥

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：LM5112Q1SD/NOPB

上升时间：14ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：1

下降时间：12ns

工作温度：-40℃~125℃

负载类型：N沟道MOSFET

峰值拉电流：7A

电源电压：3.5V~14V

峰值灌电流：3A

驱动配置：低端

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：UCC27201DRMR

上升时间：8ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：2

下降时间：7ns

工作温度：-40℃~140℃

负载类型：N沟道MOSFET

峰值拉电流：3A

电源电压：8V~17V

峰值灌电流：3A

驱动配置：半桥

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：UCC27201AQDDARQ1

上升时间：8ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：2

下降时间：7ns

工作温度：-40℃~140℃

负载类型：N沟道MOSFET

峰值拉电流：3A

电源电压：8V~17V

峰值灌电流：3A

驱动配置：半桥

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：75psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：UCC27201ADDA

上升时间：8ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：2

下降时间：7ns

工作温度：-40℃~140℃

负载类型：N沟道MOSFET

峰值拉电流：3A

电源电压：8V~17V

峰值灌电流：3A

驱动配置：半桥

包装方式：散装

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：40psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：UC2708DW

上升时间：25ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：2

下降时间：25ns

工作温度：-25℃~85℃

负载类型：N沟道，P沟道MOSFET

峰值拉电流：3A

电源电压：5V~35V

峰值灌电流：3A

驱动配置：低端

包装方式：管件

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：75psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：UCC27201D

上升时间：8ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：2

下降时间：7ns

工作温度：-40℃~140℃

负载类型：N沟道MOSFET

峰值拉电流：3A

电源电压：8V~17V

峰值灌电流：3A

驱动配置：半桥

包装方式：管件

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：250psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：UCC27201ADRMT

上升时间：8ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：2

下降时间：7ns

工作温度：-40℃~140℃

负载类型：N沟道MOSFET

峰值拉电流：3A

电源电压：8V~17V

峰值灌电流：3A

驱动配置：半桥

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1