采购热线 400-661-9010
品牌：INFINEON
分类：射频开关芯片
行业应用：其它
生产批次：{"21+"：9000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：BGS14MA11E6327XTSA1
ECCN：EAR99
电路结构：SP4T
供电电压：1.7V~3.4V
工作温度：125℃
频率：100MHz~6GHz
包装方式：卷带（TR）
插入损耗：0.85dB
隔离：18dB
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：射频开关芯片
行业应用：其它
生产批次：{"17+"：159084}
销售单位：个
规格型号(MPN)：BGSA141MN10E6327XTSA1
ECCN：EAR99
电路结构：SPST，SPDT，SP3T，SP4T
供电电压：2.3V~3.6V
工作温度：125℃
频率：100MHz~4GHz
包装方式：卷带（TR）
插入损耗：0.8dB
隔离：13dB
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：射频开关芯片
行业应用：其它
生产批次：{"17+"：159084}
销售单位：个
规格型号(MPN)：BGSA141MN10E6327XTSA1
ECCN：EAR99
电路结构：SPST，SPDT，SP3T，SP4T
供电电压：2.3V~3.6V
工作温度：125℃
频率：100MHz~4GHz
包装方式：卷带（TR）
插入损耗：0.8dB
隔离：13dB
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：射频开关芯片
行业应用：其它
生产批次：{"21+"：9000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：BGS14MA11E6327XTSA1
ECCN：EAR99
电路结构：SP4T
供电电压：1.7V~3.4V
工作温度：125℃
频率：100MHz~6GHz
包装方式：卷带（TR）
插入损耗：0.85dB
隔离：18dB
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：射频开关芯片
行业应用：其它
生产批次：{"17+"：159084}
销售单位：个
规格型号(MPN)：BGSA141MN10E6327XTSA1
ECCN：EAR99
隔离：13dB
包装方式：卷带（TR）
插入损耗：0.8dB
供电电压：2.3V~3.6V
工作温度：125℃
电路结构：SPST，SPDT，SP3T，SP4T
频率：100MHz~4GHz
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：射频开关芯片
行业应用：其它
生产批次：{"17+"：159084}
销售单位：个
规格型号(MPN)：BGSA141MN10E6327XTSA1
ECCN：EAR99
隔离：13dB
包装方式：卷带（TR）
插入损耗：0.8dB
供电电压：2.3V~3.6V
工作温度：125℃
电路结构：SPST，SPDT，SP3T，SP4T
频率：100MHz~4GHz
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：射频开关芯片
行业应用：其它
销售单位：个
生产批次：{"21+"：9000}
规格型号(MPN)：BGS14MA11E6327XTSA1
ECCN：EAR99
供电电压：1.7V~3.4V
电路结构：SP4T
包装方式：卷带（TR）
隔离：18dB
工作温度：125℃
插入损耗：0.85dB
频率：100MHz~6GHz
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：射频开关芯片
行业应用：其它
销售单位：个
生产批次：{"21+"：9000}
规格型号(MPN)：BGS14MA11E6327XTSA1
ECCN：EAR99
供电电压：1.7V~3.4V
电路结构：SP4T
包装方式：卷带（TR）
隔离：18dB
工作温度：125℃
插入损耗：0.85dB
频率：100MHz~6GHz
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
生产批次：{"19+"：289，"21+"：7298}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IR2233PBF
上升时间：90ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：6
下降时间：40ns
工作温度：125℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：500mA
电源电压：10V~20V
峰值灌电流：250mA
驱动配置：半桥
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：IR2235JPBF
上升时间：90ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：6
下降时间：40ns
工作温度：125℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：500mA
电源电压：10V~20V
峰值灌电流：250mA
驱动配置：半桥
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：
生产批次：{"17+"：44，"18+"：180，"20+"：540}
包装规格(MPQ)：27psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IR2233JPBF
上升时间：90ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：6
下降时间：40ns
工作温度：125℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：500mA
电源电压：10V~20V
峰值灌电流：250mA
驱动配置：半桥
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：IR2213STRPBF
上升时间：25ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：17ns
工作温度：125℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：2.5A
电源电压：12V~20V
峰值灌电流：2A
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
生产批次：{"19+"：677}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IR2233STRPBF
上升时间：90ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：6
下降时间：40ns
工作温度：125℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：500mA
电源电压：10V~20V
峰值灌电流：250mA
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：IR2233STRPBF
上升时间：90ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：6
下降时间：40ns
工作温度：125℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：500mA
电源电压：10V~20V
峰值灌电流：250mA
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：IR2133STRPBF
上升时间：90ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：6
下降时间：40ns
工作温度：125℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：500mA
电源电压：10V~20V
峰值灌电流：250mA
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：IR2213STRPBF
上升时间：25ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：17ns
工作温度：125℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：2.5A
电源电压：12V~20V
峰值灌电流：2A
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IR2135JTRPBF
上升时间：90ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：6
下降时间：40ns
工作温度：125℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：500mA
电源电压：10V~20V
峰值灌电流：250mA
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
生产批次：{"18+"：506}
包装规格(MPQ)：25psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IR2233SPBF
上升时间：90ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：6
下降时间：40ns
工作温度：125℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：500mA
电源电压：10V~20V
峰值灌电流：250mA
驱动配置：半桥
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：IR2213STRPBF
上升时间：25ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：17ns
工作温度：125℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：2.5A
电源电压：12V~20V
峰值灌电流：2A
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：IR2213STRPBF
上升时间：25ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：17ns
工作温度：125℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：2.5A
电源电压：12V~20V
峰值灌电流：2A
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：IR2233STRPBF
上升时间：90ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：6
下降时间：40ns
工作温度：125℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：500mA
电源电压：10V~20V
峰值灌电流：250mA
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
包装规格(MPQ)：500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IR2135JTRPBF
上升时间：90ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：6
下降时间：40ns
工作温度：125℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：500mA
电源电压：10V~20V
峰值灌电流：250mA
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：IR2133STRPBF
上升时间：90ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：6
下降时间：40ns
工作温度：125℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：500mA
电源电压：10V~20V
峰值灌电流：250mA
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：IR2213STRPBF
上升时间：25ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：17ns
工作温度：125℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：2.5A
电源电压：12V~20V
峰值灌电流：2A
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：IR2133STRPBF
上升时间：90ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：6
下降时间：40ns
工作温度：125℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：500mA
电源电压：10V~20V
峰值灌电流：250mA
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
生产批次：{"16+"：1124，"18+"：810}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IR2235JPBF
上升时间：90ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：6
下降时间：40ns
工作温度：125℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：500mA
电源电压：10V~20V
峰值灌电流：250mA
驱动配置：半桥
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
包装规格(MPQ)：500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IR2135JTRPBF
上升时间：90ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：6
下降时间：40ns
工作温度：125℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：500mA
电源电压：10V~20V
峰值灌电流：250mA
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：IR2213STRPBF
上升时间：25ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：17ns
工作温度：125℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：2.5A
电源电压：12V~20V
峰值灌电流：2A
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：IR2133STRPBF
上升时间：90ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：6
下降时间：40ns
工作温度：125℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：500mA
电源电压：10V~20V
峰值灌电流：250mA
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：IR2235JPBF
上升时间：90ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：6
下降时间：40ns
工作温度：125℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：500mA
电源电压：10V~20V
峰值灌电流：250mA
驱动配置：半桥
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：
