采购热线 400-661-9010
品牌：Microchip
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：TC4431VOA713
上升时间：25ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：1
下降时间：33ns
工作温度：-40℃~150℃
负载类型：N沟道，P沟道MOSFET
峰值拉电流：1.5A
电源电压：4.5V~30V
峰值灌电流：1.5A
驱动配置：高压侧或低压侧
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：95psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IR21271SPBF
上升时间：80ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：1
下降时间：40ns
工作温度：-40℃~150℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：500mA
电源电压：9V~20V
峰值灌电流：250mA
驱动配置：高压侧或低压侧
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：IR2301STRPBF
上升时间：130ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：50ns
工作温度：-40℃~150℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：350mA
电源电压：5V~20V
峰值灌电流：200mA
驱动配置：高压侧或低压侧
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：SII
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
包装规格(MPQ)：95psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：MIC5015YM
ECCN：EAR99
驱动通道数：1
工作温度：-40℃~150℃
负载类型：N沟道MOSFET
电源电压：2.75V~30V
驱动配置：高压侧或低压侧
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：IR2112STRPBF
上升时间：80ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：40ns
工作温度：-40℃~150℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：500mA
电源电压：10V~20V
峰值灌电流：250mA
驱动配置：高压侧或低压侧
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：100psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TC4431VOA
上升时间：25ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：1
下降时间：33ns
工作温度：-40℃~150℃
负载类型：N沟道，P沟道MOSFET
峰值拉电流：1.5A
电源电压：4.5V~30V
峰值灌电流：1.5A
驱动配置：高压侧或低压侧
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：TC4432EOA713
上升时间：25ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：1
下降时间：33ns
工作温度：-40℃~150℃
负载类型：N沟道，P沟道MOSFET
峰值拉电流：1.5A
电源电压：4.5V~30V
峰值灌电流：1.5A
驱动配置：高压侧或低压侧
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：1EBN1001AEXUMA1
上升时间：50ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：1
下降时间：90ns
工作温度：-40℃~150℃
负载类型：IGBT，N沟道，P沟道MOSFET
电源电压：13V~18V
驱动配置：高压侧或低压侧
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：MIC5015YM-TR
ECCN：EAR99
驱动通道数：1
工作温度：-40℃~150℃
负载类型：N沟道MOSFET
电源电压：2.75V~30V
驱动配置：高压侧或低压侧
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：95psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRS2101SPBF
上升时间：70ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：35ns
工作温度：-40℃~150℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：600mA
电源电压：10V~20V
峰值灌电流：290mA
驱动配置：高压侧或低压侧
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：
生产批次：{"10+"：4359}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IR2127STRPBF
上升时间：80ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：1
下降时间：40ns
工作温度：-40℃~150℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：500mA
电源电压：12V~20V
峰值灌电流：250mA
驱动配置：高压侧或低压侧
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IR2011PBF
上升时间：35ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：20ns
工作温度：-40℃~150℃
负载类型：N沟道MOSFET
峰值拉电流：1A
电源电压：10V~20V
峰值灌电流：1A
驱动配置：高压侧或低压侧
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：
生产批次：{"10+"：2915}
包装规格(MPQ)：95psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IR2301SPBF
上升时间：130ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：50ns
工作温度：-40℃~150℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：350mA
电源电压：5V~20V
峰值灌电流：200mA
驱动配置：高压侧或低压侧
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：95psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IR2127SPBF
上升时间：80ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：1
下降时间：40ns
工作温度：-40℃~150℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：500mA
电源电压：12V~20V
峰值灌电流：250mA
驱动配置：高压侧或低压侧
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：MIC5014YN
ECCN：EAR99
驱动通道数：1
工作温度：-40℃~150℃
负载类型：N沟道MOSFET
电源电压：2.75V~30V
驱动配置：高压侧或低压侧
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：
生产批次：{"20+"：1100，"9999"：20}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IR21064PBF
上升时间：150ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：50ns
工作温度：-40℃~150℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：350mA
电源电压：10V~20V
峰值灌电流：200mA
驱动配置：高压侧或低压侧
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXGD3104N8TC
上升时间：480ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：1
下降时间：50ns
工作温度：-40℃~150℃
负载类型：N沟道MOSFET
峰值拉电流：7A
电源电压：5V~25V
峰值灌电流：2.5A
驱动配置：高压侧或低压侧
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
生产批次：{"20+"：1215，"23+"：2500}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRS2186STRPBF
上升时间：22ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：18ns
工作温度：-40℃~150℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：4A
电源电压：10V~20V
峰值灌电流：4A
驱动配置：高压侧或低压侧
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：NCV51511PDR2G
上升时间：6ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：4ns
工作温度：-40℃~150℃
负载类型：N沟道MOSFET
峰值拉电流：6A
电源电压：8V~16V
峰值灌电流：3A
驱动配置：高压侧或低压侧
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
生产批次：{"10+"：2915}
包装规格(MPQ)：95psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IR2301SPBF
上升时间：130ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：50ns
工作温度：-40℃~150℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：350mA
电源电压：5V~20V
峰值灌电流：200mA
驱动配置：高压侧或低压侧
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
生产批次：{"22+"：56890，"MI+"：2500}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRS21064STRPBF
上升时间：100ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：35ns
工作温度：-40℃~150℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：600mA
电源电压：10V~20V
峰值灌电流：290mA
驱动配置：高压侧或低压侧
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXGD3101N8TC
上升时间：305ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：1
下降时间：20ns
工作温度：-40℃~150℃
负载类型：N沟道MOSFET
峰值拉电流：2.5A
电源电压：5V~15V
峰值灌电流：2.5A
驱动配置：高压侧或低压侧
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
生产批次：{"23+"：9599}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRS2186SPBF
上升时间：22ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：18ns
工作温度：-40℃~150℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：4A
电源电压：10V~20V
峰值灌电流：4A
驱动配置：高压侧或低压侧
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：MIC5011YM-TR
ECCN：EAR99
驱动通道数：1
工作温度：-40℃~150℃
负载类型：N沟道MOSFET
电源电压：4.75V~32V
驱动配置：高压侧或低压侧
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：MIC5015YM-TR
ECCN：EAR99
驱动通道数：1
工作温度：-40℃~150℃
负载类型：N沟道MOSFET
电源电压：2.75V~30V
驱动配置：高压侧或低压侧
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：IR2112STRPBF
上升时间：80ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：40ns
工作温度：-40℃~150℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：500mA
电源电压：10V~20V
峰值灌电流：250mA
驱动配置：高压侧或低压侧
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXGD3101N8TC
上升时间：305ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：1
下降时间：20ns
工作温度：-40℃~150℃
负载类型：N沟道MOSFET
峰值拉电流：2.5A
电源电压：5V~15V
峰值灌电流：2.5A
驱动配置：高压侧或低压侧
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：TC4432EOA713
上升时间：25ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：1
下降时间：33ns
工作温度：-40℃~150℃
负载类型：N沟道，P沟道MOSFET
峰值拉电流：1.5A
电源电压：4.5V~30V
峰值灌电流：1.5A
驱动配置：高压侧或低压侧
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：IR21064STRPBF
上升时间：150ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：50ns
工作温度：-40℃~150℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：350mA
电源电压：10V~20V
峰值灌电流：200mA
驱动配置：高压侧或低压侧
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
生产批次：{"14+"：425，"17+"：1139，"18+"：3000，"22+"：21000，"9999"：284}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRS21864PBF
上升时间：22ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：18ns
工作温度：-40℃~150℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：4A
电源电压：10V~20V
峰值灌电流：4A
驱动配置：高压侧或低压侧
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：
