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品牌：Microchip
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：TC4422AVOA713
上升时间：38ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：1
下降时间：33ns
工作温度：-40℃~150℃
负载类型：IGBT，N沟道，P沟道MOSFET
峰值拉电流：10A
电源电压：4.5V~18V
峰值灌电流：10A
驱动配置：低端
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
生产批次：{"20+"：3325}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRS4426SPBF
上升时间：25ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：25ns
工作温度：-40℃~150℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：3.3A
电源电压：6V~20V
峰值灌电流：2.3A
驱动配置：低端
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：1EDN7512BXTSA1
上升时间：6.5ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：1
下降时间：4.5ns
工作温度：-40℃~150℃
负载类型：N沟道MOSFET
峰值拉电流：8A
电源电压：4.5V~20V
峰值灌电流：4A
驱动配置：低端
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：UCC27517AQDBVRQ1
上升时间：8ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：1
下降时间：7ns
工作温度：-40℃~150℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：4A
电源电压：4.5V~18V
峰值灌电流：4A
驱动配置：低端
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：100psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TC4421AVOA
上升时间：38ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：1
下降时间：33ns
工作温度：-40℃~150℃
负载类型：IGBT，N沟道，P沟道MOSFET
峰值拉电流：10A
电源电压：4.5V~18V
峰值灌电流：10A
驱动配置：低端
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：MIC4422YM-TR
上升时间：20ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：1
下降时间：24ns
工作温度：-40℃~150℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：9A
电源电压：4.5V~18V
峰值灌电流：9A
驱动配置：低端
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：UCC27531QDBVRQ1
上升时间：15ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：1
下降时间：7ns
工作温度：-40℃~150℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：5A
电源电压：10V~32V
峰值灌电流：2.5A
驱动配置：低端
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：MCP1416T-E/OT
上升时间：20ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：1
下降时间：20ns
工作温度：-40℃~150℃
负载类型：IGBT，N沟道，P沟道MOSFET
峰值拉电流：1.5A
电源电压：4.5V~18V
峰值灌电流：1.5A
驱动配置：低端
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：TC1413NEOA713
上升时间：20ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：1
下降时间：20ns
工作温度：-40℃~150℃
负载类型：N沟道，P沟道MOSFET
峰值拉电流：3A
电源电压：4.5V~16V
峰值灌电流：3A
驱动配置：低端
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRS44273LTRPBF
上升时间：25ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：1
下降时间：25ns
工作温度：-40℃~150℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：1.5A
电源电压：10.2V~20V
峰值灌电流：1.5A
驱动配置：低端
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：UCC27624QDGNRQ1
上升时间：6ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：10ns
工作温度：-40℃~150℃
负载类型：N沟道MOSFET
峰值拉电流：5A
电源电压：4.5V~26V
峰值灌电流：5A
驱动配置：低端
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：MC33151PG
上升时间：31ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：32ns
工作温度：-40℃~150℃
负载类型：N沟道MOSFET
峰值拉电流：1.5A
电源电压：6.5V~18V
峰值灌电流：1.5A
驱动配置：低端
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：NCP81074AMNTBG
上升时间：4ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：1
下降时间：4ns
工作温度：-40℃~150℃
负载类型：N沟道MOSFET
峰值拉电流：10A
电源电压：4.5V~20V
峰值灌电流：10A
驱动配置：低端
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：MIC4424YWM-TR
上升时间：28ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：32ns
工作温度：-40℃~150℃
负载类型：N沟道，P沟道MOSFET
峰值拉电流：3A
电源电压：4.5V~18V
峰值灌电流：3A
驱动配置：低端
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRS4426STRPBF
上升时间：25ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：25ns
工作温度：-40℃~150℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：3.3A
电源电压：6V~20V
峰值灌电流：2.3A
驱动配置：低端
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：MIC4429YM-TR
上升时间：12ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：1
下降时间：13ns
工作温度：-40℃~150℃
负载类型：N沟道，P沟道MOSFET
峰值拉电流：6A
电源电压：4.5V~18V
峰值灌电流：6A
驱动配置：低端
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：100psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：MIC4427YMM
上升时间：20ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：29ns
工作温度：-40℃~150℃
负载类型：N沟道，P沟道MOSFET
峰值拉电流：1.5A
电源电压：4.5V~18V
峰值灌电流：1.5A
驱动配置：低端
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TC4469EPD
上升时间：15ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：4
下降时间：15ns
工作温度：-40℃~150℃
负载类型：N沟道，P沟道MOSFET
峰值拉电流：1.2A
电源电压：4.5V~18V
峰值灌电流：1.2A
驱动配置：低端
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
生产批次：{"16+"：188060，"21+"：1830，"MI+"：87475}
销售单位：个
规格型号(MPN)：2EDN8523FXTMA1
上升时间：5.3ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：4.5ns
工作温度：-40℃~150℃
负载类型：N沟道MOSFET
峰值拉电流：5A
电源电压：4.5V~20V
峰值灌电流：5A
驱动配置：低端
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：MIC4417YM4-TR
上升时间：14ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：1
下降时间：16ns
工作温度：-40℃~150℃
负载类型：N沟道MOSFET
峰值拉电流：1.2A
电源电压：4.5V~18V
峰值灌电流：1.2A
驱动配置：低端
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：IR4426SPBF
上升时间：15ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：10ns
工作温度：-40℃~150℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：3.3A
电源电压：6V~20V
峰值灌电流：2.3A
驱动配置：低端
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：MIC4428YMM-TR
上升时间：20ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：29ns
工作温度：-40℃~150℃
负载类型：N沟道，P沟道MOSFET
峰值拉电流：1.5A
电源电压：4.5V~18V
峰值灌电流：1.5A
驱动配置：低端
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：TC4423AVOA713
上升时间：12ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：12ns
工作温度：-40℃~150℃
负载类型：N沟道，P沟道MOSFET
峰值拉电流：4.5A
电源电压：4.5V~18V
峰值灌电流：4.5A
驱动配置：低端
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：TC4420VOA713
上升时间：25ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：1
下降时间：25ns
工作温度：-40℃~150℃
负载类型：N沟道，P沟道MOSFET
峰值拉电流：6A
电源电压：4.5V~18V
峰值灌电流：6A
驱动配置：低端
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：NCP81074BDR2G
上升时间：4ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：1
下降时间：4ns
工作温度：-40℃~150℃
负载类型：N沟道MOSFET
峰值拉电流：10A
电源电压：4.5V~20V
峰值灌电流：10A
驱动配置：低端
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：MC33152DR2G
上升时间：36ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：32ns
工作温度：-40℃~150℃
负载类型：N沟道MOSFET
峰值拉电流：1.5A
电源电压：6.1V~18V
峰值灌电流：1.5A
驱动配置：低端
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：60psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TC4421EPA
上升时间：60ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：1
下降时间：60ns
工作温度：-40℃~150℃
负载类型：IGBT，N沟道，P沟道MOSFET
峰值拉电流：9A
电源电压：4.5V~18V
峰值灌电流：9A
驱动配置：低端
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：60psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TC4422AVPA
上升时间：38ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：1
下降时间：33ns
工作温度：-40℃~150℃
负载类型：IGBT，N沟道，P沟道MOSFET
峰值拉电流：10A
电源电压：4.5V~18V
峰值灌电流：10A
驱动配置：低端
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TC4451VAT
上升时间：30ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：1
下降时间：32ns
工作温度：-40℃~150℃
负载类型：IGBT，N沟道，P沟道MOSFET
峰值拉电流：13A
电源电压：4.5V~18V
峰值灌电流：13A
驱动配置：低端
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：MIC4426YN
上升时间：20ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：29ns
工作温度：-40℃~150℃
负载类型：N沟道，P沟道MOSFET
峰值拉电流：1.5A
电源电压：4.5V~18V
峰值灌电流：1.5A
驱动配置：低端
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：
