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销售单位：个

规格型号(MPN)：IR21271SPBF

上升时间：80ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：1

下降时间：40ns

工作温度：-40℃~150℃

负载类型：IGBT，N沟道MOSFET

峰值拉电流：500mA

电源电压：9V~20V

峰值灌电流：250mA

驱动配置：高压侧或低压侧

包装方式：管件

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：500psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IR2130JTRPBF

上升时间：80ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：6

下降时间：35ns

工作温度：-40℃~150℃

负载类型：IGBT，N沟道MOSFET

峰值拉电流：500mA

电源电压：10V~20V

峰值灌电流：250mA

驱动配置：半桥

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：IR2112STRPBF

上升时间：80ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：2

下降时间：40ns

工作温度：-40℃~150℃

负载类型：IGBT，N沟道MOSFET

峰值拉电流：500mA

电源电压：10V~20V

峰值灌电流：250mA

驱动配置：高压侧或低压侧

包装方式：卷带（TR）

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销售单位：个

规格型号(MPN)：IR2127STRPBF

上升时间：80ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：1

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工作温度：-40℃~150℃

负载类型：IGBT，N沟道MOSFET

峰值拉电流：500mA

电源电压：12V~20V

峰值灌电流：250mA

驱动配置：高压侧或低压侧

包装方式：卷带（TR）

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销售单位：个

规格型号(MPN)：IR2132SPBF

上升时间：80ns

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驱动通道数：6

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工作温度：-40℃~150℃

负载类型：IGBT，N沟道MOSFET

峰值拉电流：500mA

电源电压：10V~20V

峰值灌电流：250mA

驱动配置：半桥

包装方式：管件

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：95psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IR2127SPBF

上升时间：80ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：1

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工作温度：-40℃~150℃

负载类型：IGBT，N沟道MOSFET

峰值拉电流：500mA

电源电压：12V~20V

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驱动配置：高压侧或低压侧

包装方式：管件

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销售单位：个

规格型号(MPN)：IR2117SPBF

上升时间：80ns

ECCN：EAR99

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工作温度：-40℃~150℃

负载类型：IGBT，N沟道MOSFET

峰值拉电流：500mA

电源电压：10V~20V

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驱动配置：高端

包装方式：管件

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销售单位：个

规格型号(MPN)：IR2117STRPBF

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ECCN：EAR99

驱动通道数：1

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负载类型：IGBT，N沟道MOSFET

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销售单位：个

规格型号(MPN)：IRS2127STRPBF

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销售单位：个

规格型号(MPN)：IR2117STRPBF

上升时间：80ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：1

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负载类型：IGBT，N沟道MOSFET

峰值拉电流：500mA

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销售单位：个

规格型号(MPN)：IR2118PBF

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ECCN：EAR99

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工作温度：-40℃~150℃

负载类型：IGBT，N沟道MOSFET

峰值拉电流：500mA

电源电压：10V~20V

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包装方式：管件

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：IRS21271STRPBF

上升时间：80ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：1

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负载类型：IGBT，N沟道MOSFET

峰值拉电流：600mA

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销售单位：个

规格型号(MPN)：IR2112STRPBF

上升时间：80ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：2

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工作温度：-40℃~150℃

负载类型：IGBT，N沟道MOSFET

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包装规格(MPQ)：50psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IR2117PBF

上升时间：80ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：1

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工作温度：-40℃~150℃

负载类型：IGBT，N沟道MOSFET

峰值拉电流：500mA

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驱动配置：高端

包装方式：管件

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：500psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IR2132JTRPBF

上升时间：80ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：6

下降时间：35ns

工作温度：-40℃~150℃

负载类型：IGBT，N沟道MOSFET

峰值拉电流：500mA

电源电压：10V~20V

峰值灌电流：250mA

驱动配置：半桥

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：IR2117STRPBF

上升时间：80ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：1

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工作温度：-40℃~150℃

负载类型：IGBT，N沟道MOSFET

峰值拉电流：500mA

电源电压：10V~20V

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驱动配置：高端

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：25psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IR2130SPBF

上升时间：80ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：6

下降时间：35ns

工作温度：-40℃~150℃

负载类型：IGBT，N沟道MOSFET

峰值拉电流：500mA

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包装方式：管件

包装清单：商品主体 * 1

生产批次：{"17+"：141，"21+"：1800，"22+"：7544，"24+"：2000}

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销售单位：个

规格型号(MPN)：IR2117PBF

上升时间：80ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：1

下降时间：40ns

工作温度：-40℃~150℃

负载类型：IGBT，N沟道MOSFET

峰值拉电流：500mA

电源电压：10V~20V

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驱动配置：高端

包装方式：管件

包装清单：商品主体 * 1

生产批次：{"10+"：1207}

销售单位：个

规格型号(MPN)：IR2132STRPBF

上升时间：80ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：6

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工作温度：-40℃~150℃

负载类型：IGBT，N沟道MOSFET

峰值拉电流：500mA

电源电压：10V~20V

峰值灌电流：250mA

驱动配置：半桥

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：IR2128STRPBF

上升时间：80ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：1

下降时间：40ns

工作温度：-40℃~150℃

负载类型：IGBT，N沟道MOSFET

峰值拉电流：500mA

电源电压：12V~20V

峰值灌电流：250mA

驱动配置：高压侧或低压侧

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：IR2111PBF

上升时间：80ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：2

下降时间：40ns

工作温度：-40℃~150℃

负载类型：IGBT，N沟道MOSFET

峰值拉电流：500mA

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驱动配置：半桥

包装方式：管件

包装清单：商品主体 * 1

生产批次：{"22+"：1721}

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销售单位：个

规格型号(MPN)：IR2130SPBF

上升时间：80ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：6

下降时间：35ns

工作温度：-40℃~150℃

负载类型：IGBT，N沟道MOSFET

峰值拉电流：500mA

电源电压：10V~20V

峰值灌电流：250mA

驱动配置：半桥

包装方式：管件

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：IRS21271STRPBF

上升时间：80ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：1

下降时间：40ns

工作温度：-40℃~150℃

负载类型：IGBT，N沟道MOSFET

峰值拉电流：600mA

电源电压：9V~20V

峰值灌电流：290mA

驱动配置：高端

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

生产批次：{"19+"：2800，"22+"：2828}

销售单位：个

规格型号(MPN)：IR21271PBF

上升时间：80ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：1

下降时间：40ns

工作温度：-40℃~150℃

负载类型：IGBT，N沟道MOSFET

峰值拉电流：500mA

电源电压：9V~20V

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驱动配置：高压侧或低压侧

包装方式：管件

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：50psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IR2118PBF

上升时间：80ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：1

下降时间：40ns

工作温度：-40℃~150℃

负载类型：IGBT，N沟道MOSFET

峰值拉电流：500mA

电源电压：10V~20V

峰值灌电流：250mA

驱动配置：高端

包装方式：管件

包装清单：商品主体 * 1

生产批次：{"10+"：4359}

销售单位：个

规格型号(MPN)：IR2127STRPBF

上升时间：80ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：1

下降时间：40ns

工作温度：-40℃~150℃

负载类型：IGBT，N沟道MOSFET

峰值拉电流：500mA

电源电压：12V~20V

峰值灌电流：250mA

驱动配置：高压侧或低压侧

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

生产批次：{"20+"：315，"22+"：3119，"9999"：27}

销售单位：个

规格型号(MPN)：IR2112SPBF

上升时间：80ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：2

下降时间：40ns

工作温度：-40℃~150℃

负载类型：IGBT，N沟道MOSFET

峰值拉电流：500mA

电源电压：10V~20V

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驱动配置：高压侧或低压侧

包装方式：管件

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：500psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IR2130JTRPBF

上升时间：80ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：6

下降时间：35ns

工作温度：-40℃~150℃

负载类型：IGBT，N沟道MOSFET

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驱动配置：半桥

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

生产批次：{"19+"：67，"22+"：26743}

包装规格(MPQ)：95psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IR21271SPBF

上升时间：80ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：1

下降时间：40ns

工作温度：-40℃~150℃

负载类型：IGBT，N沟道MOSFET

峰值拉电流：500mA

电源电压：9V~20V

峰值灌电流：250mA

驱动配置：高压侧或低压侧

包装方式：管件

包装清单：商品主体 * 1