生产批次：{"17+"：6222，"30+"：3000，"9999"：175}

销售单位：个

规格型号(MPN)：IRS2308PBF

上升时间：100ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：2

下降时间：35ns

工作温度：-40℃~150℃

负载类型：IGBT，N沟道MOSFET

峰值拉电流：600mA

电源电压：10V~20V

峰值灌电流：290mA

驱动配置：半桥

包装方式：管件

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：IR2101SPBF

上升时间：100ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：2

下降时间：50ns

工作温度：-40℃~150℃

负载类型：IGBT，N沟道MOSFET

峰值拉电流：360mA

电源电压：10V~20V

峰值灌电流：210mA

驱动配置：半桥

包装方式：管件

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：IRS2108STRPBF

上升时间：100ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：2

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工作温度：-40℃~150℃

负载类型：IGBT，N沟道MOSFET

峰值拉电流：600mA

电源电压：10V~20V

峰值灌电流：290mA

驱动配置：半桥

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：IRS2108STRPBF

上升时间：100ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：2

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工作温度：-40℃~150℃

负载类型：IGBT，N沟道MOSFET

峰值拉电流：600mA

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驱动配置：半桥

包装方式：卷带（TR）

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销售单位：个

规格型号(MPN)：IRS2308STRPBF

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ECCN：EAR99

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工作温度：-40℃~150℃

负载类型：IGBT，N沟道MOSFET

峰值拉电流：600mA

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驱动配置：半桥

包装方式：卷带（TR）

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销售单位：个

规格型号(MPN)：IRS2109STRPBF

上升时间：100ns

ECCN：EAR99

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工作温度：-40℃~150℃

负载类型：IGBT，N沟道MOSFET

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驱动配置：半桥

包装方式：卷带（TR）

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生产批次：{"22+"：56890，"MI+"：2500}

销售单位：个

规格型号(MPN)：IRS21064STRPBF

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ECCN：EAR99

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包装方式：卷带（TR）

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生产批次：{"17+"：12691，"18+"：6000，"19+"：13864}

销售单位：个

规格型号(MPN)：IR2102PBF

上升时间：100ns

ECCN：EAR99

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销售单位：个

规格型号(MPN)：IRS2308STRPBF

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ECCN：EAR99

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生产批次：{"17+"：2324，"19+"：5175，"20+"：5430，"22+"：1000}

包装规格(MPQ)：50psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IR2103PBF

上升时间：100ns

ECCN：EAR99

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工作温度：-40℃~150℃

负载类型：IGBT，N沟道MOSFET

峰值拉电流：360mA

电源电压：10V~20V

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驱动配置：半桥

包装方式：管件

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：IRS21091STRPBF

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ECCN：EAR99

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驱动配置：半桥

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销售单位：个

规格型号(MPN)：IR2102SPBF

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ECCN：EAR99

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负载类型：IGBT，N沟道MOSFET

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驱动配置：半桥

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销售单位：个

规格型号(MPN)：IRS2108STRPBF

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ECCN：EAR99

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生产批次：{"17+"：2324，"19+"：5175，"20+"：5430，"22+"：1000}

包装规格(MPQ)：50psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IR2103PBF

上升时间：100ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：2

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工作温度：-40℃~150℃

负载类型：IGBT，N沟道MOSFET

峰值拉电流：360mA

电源电压：10V~20V

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驱动配置：半桥

包装方式：管件

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：IRS2109STRPBF

上升时间：100ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：2

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工作温度：-40℃~150℃

负载类型：IGBT，N沟道MOSFET

峰值拉电流：600mA

电源电压：10V~20V

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驱动配置：半桥

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

生产批次：{"17+"：2324，"19+"：5175，"20+"：5430，"22+"：1000}

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销售单位：个

规格型号(MPN)：IR2103PBF

上升时间：100ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：2

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工作温度：-40℃~150℃

负载类型：IGBT，N沟道MOSFET

峰值拉电流：360mA

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驱动配置：半桥

包装方式：管件

包装清单：商品主体 * 1

生产批次：{"18+"：694，"22+"：121431}

销售单位：个

规格型号(MPN)：IR2101SPBF

上升时间：100ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：2

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工作温度：-40℃~150℃

负载类型：IGBT，N沟道MOSFET

峰值拉电流：360mA

电源电压：10V~20V

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驱动配置：半桥

包装方式：管件

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生产批次：{"19+"：2950}

销售单位：个

规格型号(MPN)：IRS2109PBF

上升时间：100ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：2

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工作温度：-40℃~150℃

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峰值拉电流：600mA

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生产批次：{"18+"：12178}

销售单位：个

规格型号(MPN)：IR2101PBF

上升时间：100ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：2

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工作温度：-40℃~150℃

负载类型：IGBT，N沟道MOSFET

峰值拉电流：360mA

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驱动配置：半桥

包装方式：管件

包装清单：商品主体 * 1

生产批次：{"18+"：12178}

销售单位：个

规格型号(MPN)：IR2101PBF

上升时间：100ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：2

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工作温度：-40℃~150℃

负载类型：IGBT，N沟道MOSFET

峰值拉电流：360mA

电源电压：10V~20V

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驱动配置：半桥

包装方式：管件

包装清单：商品主体 * 1

生产批次：{"16+"：1501，"22+"：11900}

销售单位：个

规格型号(MPN)：IR2102STRPBF

上升时间：100ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：2

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工作温度：-40℃~150℃

负载类型：IGBT，N沟道MOSFET

峰值拉电流：360mA

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驱动配置：半桥

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

生产批次：{"16+"：1501，"22+"：11900}

销售单位：个

规格型号(MPN)：IR2102STRPBF

上升时间：100ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：2

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负载类型：IGBT，N沟道MOSFET

峰值拉电流：360mA

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驱动配置：半桥

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包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：IR2104SPBF

上升时间：100ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：2

下降时间：50ns

工作温度：-40℃~150℃

负载类型：IGBT，N沟道MOSFET

峰值拉电流：360mA

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驱动配置：半桥

包装方式：管件

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：IR2104SPBF

上升时间：100ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：2

下降时间：50ns

工作温度：-40℃~150℃

负载类型：IGBT，N沟道MOSFET

峰值拉电流：360mA

电源电压：10V~20V

峰值灌电流：210mA

驱动配置：半桥

包装方式：管件

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：IRS2108STRPBF

上升时间：100ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：2

下降时间：35ns

工作温度：-40℃~150℃

负载类型：IGBT，N沟道MOSFET

峰值拉电流：600mA

电源电压：10V~20V

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驱动配置：半桥

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

生产批次：{"18+"：20553}

包装规格(MPQ)：55psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IRS21084SPBF

上升时间：100ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：2

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工作温度：-40℃~150℃

负载类型：IGBT，N沟道MOSFET

峰值拉电流：600mA

电源电压：10V~20V

峰值灌电流：290mA

驱动配置：半桥

包装方式：管件

包装清单：商品主体 * 1

生产批次：{"18+"：694，"22+"：121431}

销售单位：个

规格型号(MPN)：IR2101SPBF

上升时间：100ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：2

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工作温度：-40℃~150℃

负载类型：IGBT，N沟道MOSFET

峰值拉电流：360mA

电源电压：10V~20V

峰值灌电流：210mA

驱动配置：半桥

包装方式：管件

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：IRS2308STRPBF

上升时间：100ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：2

下降时间：35ns

工作温度：-40℃~150℃

负载类型：IGBT，N沟道MOSFET

峰值拉电流：600mA

电源电压：10V~20V

峰值灌电流：290mA

驱动配置：半桥

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：IRS21064STRPBF

上升时间：100ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：2

下降时间：35ns

工作温度：-40℃~150℃

负载类型：IGBT，N沟道MOSFET

峰值拉电流：600mA

电源电压：10V~20V

峰值灌电流：290mA

驱动配置：高压侧或低压侧

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：IRS2308STRPBF

上升时间：100ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：2

下降时间：35ns

工作温度：-40℃~150℃

负载类型：IGBT，N沟道MOSFET

峰值拉电流：600mA

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驱动配置：半桥

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1