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销售单位：个
规格型号(MPN)：UCC27517AQDBVRQ1
上升时间：8ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：1
下降时间：7ns
工作温度：-40℃~150℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：4A
电源电压：4.5V~18V
峰值灌电流：4A
驱动配置：低端
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：UCC27531QDBVRQ1
上升时间：15ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：1
下降时间：7ns
工作温度：-40℃~150℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：5A
电源电压：10V~32V
峰值灌电流：2.5A
驱动配置：低端
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：IR2114SSPBF
上升时间：24ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：7ns
工作温度：-40℃~150℃
负载类型：IGBT
峰值拉电流：3A
电源电压：11.5V~20V
峰值灌电流：2A
驱动配置：半桥
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：UCC27519AQDBVRQ1
上升时间：8ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：1
下降时间：7ns
工作温度：-40℃~150℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：4A
电源电压：4.5V~18V
峰值灌电流：4A
驱动配置：低端
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：UCC27511AQDBVRQ1
上升时间：8ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：1
下降时间：7ns
工作温度：-40℃~150℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：8A
电源电压：4.5V~18V
峰值灌电流：4A
驱动配置：低端
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：IR2214SSTRPBF
上升时间：24ns
ECCN：EAR99
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下降时间：7ns
工作温度：-40℃~150℃
负载类型：IGBT
峰值拉电流：3A
电源电压：11.5V~20V
峰值灌电流：2A
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：UCC27511AQDBVRQ1
上升时间：8ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：1
下降时间：7ns
工作温度：-40℃~150℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：8A
电源电压：4.5V~18V
峰值灌电流：4A
驱动配置：低端
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：UCC27517AQDBVRQ1
上升时间：8ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：1
下降时间：7ns
工作温度：-40℃~150℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：4A
电源电压：4.5V~18V
峰值灌电流：4A
驱动配置：低端
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：55psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IR2214SSPBF
上升时间：24ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：7ns
工作温度：-40℃~150℃
负载类型：IGBT
峰值拉电流：3A
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峰值灌电流：2A
驱动配置：半桥
包装方式：管件
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库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：UCC27517AQDBVRQ1
上升时间：8ns
ECCN：EAR99
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工作温度：-40℃~150℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：4A
电源电压：4.5V~18V
峰值灌电流：4A
驱动配置：低端
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：UCC27511AQDBVRQ1
上升时间：8ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：1
下降时间：7ns
工作温度：-40℃~150℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：8A
电源电压：4.5V~18V
峰值灌电流：4A
驱动配置：低端
包装方式：卷带（TR）
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库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：IR2214SSTRPBF
上升时间：24ns
ECCN：EAR99
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下降时间：7ns
工作温度：-40℃~150℃
负载类型：IGBT
峰值拉电流：3A
电源电压：11.5V~20V
峰值灌电流：2A
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
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库存：
品牌：TI
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：UCC27511AQDBVRQ1
上升时间：8ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：1
下降时间：7ns
工作温度：-40℃~150℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：8A
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峰值灌电流：4A
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包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：UCC27511AQDBVRQ1
上升时间：8ns
ECCN：EAR99
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工作温度：-40℃~150℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：8A
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峰值灌电流：4A
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包装方式：卷带（TR）
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销售单位：个
规格型号(MPN)：UCC27517AQDBVRQ1
上升时间：8ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：1
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工作温度：-40℃~150℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：4A
电源电压：4.5V~18V
峰值灌电流：4A
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包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：UCC27531QDBVRQ1
上升时间：15ns
ECCN：EAR99
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下降时间：7ns
工作温度：-40℃~150℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：5A
电源电压：10V~32V
峰值灌电流：2.5A
驱动配置：低端
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：UCC27531QDBVRQ1
上升时间：15ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：1
下降时间：7ns
工作温度：-40℃~150℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：5A
电源电压：10V~32V
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驱动配置：低端
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：IR2214SSTRPBF
上升时间：24ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
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工作温度：-40℃~150℃
负载类型：IGBT
峰值拉电流：3A
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驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：IR2214SSTRPBF
上升时间：24ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：7ns
工作温度：-40℃~150℃
负载类型：IGBT
峰值拉电流：3A
电源电压：11.5V~20V
峰值灌电流：2A
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：UCC27511AQDBVRQ1
上升时间：8ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：1
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工作温度：-40℃~150℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：8A
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包装方式：卷带（TR）
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库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：IR2214SSTRPBF
上升时间：24ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
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工作温度：-40℃~150℃
负载类型：IGBT
峰值拉电流：3A
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驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：UCC27511AQDBVRQ1
上升时间：8ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：1
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工作温度：-40℃~150℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：8A
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包装清单：商品主体 * 1
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品牌：TI
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：UCC27519AQDBVRQ1
上升时间：8ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：1
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工作温度：-40℃~150℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：4A
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驱动配置：低端
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包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：UCC27519AQDBVRQ1
上升时间：8ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：1
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工作温度：-40℃~150℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：4A
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库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：UCC27519AQDBVRQ1
上升时间：8ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：1
下降时间：7ns
工作温度：-40℃~150℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：4A
电源电压：4.5V~18V
峰值灌电流：4A
驱动配置：低端
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
生产批次：{"18+"：42，"20+"：1668，"21+"：385，"22+"：194}
包装规格(MPQ)：55psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IR2214SSPBF
上升时间：24ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：7ns
工作温度：-40℃~150℃
负载类型：IGBT
峰值拉电流：3A
电源电压：11.5V~20V
峰值灌电流：2A
驱动配置：半桥
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：UCC27517AQDBVRQ1
上升时间：8ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：1
下降时间：7ns
工作温度：-40℃~150℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：4A
电源电压：4.5V~18V
峰值灌电流：4A
驱动配置：低端
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：UCC27511AQDBVRQ1
上升时间：8ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：1
下降时间：7ns
工作温度：-40℃~150℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：8A
电源电压：4.5V~18V
峰值灌电流：4A
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包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：UCC27519AQDBVRQ1
上升时间：8ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：1
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工作温度：-40℃~150℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：4A
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峰值灌电流：4A
驱动配置：低端
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：UCC27517AQDBVRQ1
上升时间：8ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：1
下降时间：7ns
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负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：4A
电源电压：4.5V~18V
峰值灌电流：4A
驱动配置：低端
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
