采购热线 400-661-9010
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：MC33151PG
上升时间：31ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：32ns
工作温度：-40℃~150℃
负载类型：N沟道MOSFET
峰值拉电流：1.5A
电源电压：6.5V~18V
峰值灌电流：1.5A
驱动配置：低端
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：MIC4424YWM-TR
上升时间：28ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：32ns
工作温度：-40℃~150℃
负载类型：N沟道，P沟道MOSFET
峰值拉电流：3A
电源电压：4.5V~18V
峰值灌电流：3A
驱动配置：低端
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：MC33152DR2G
上升时间：36ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：32ns
工作温度：-40℃~150℃
负载类型：N沟道MOSFET
峰值拉电流：1.5A
电源电压：6.1V~18V
峰值灌电流：1.5A
驱动配置：低端
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TC4451VAT
上升时间：30ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：1
下降时间：32ns
工作温度：-40℃~150℃
负载类型：IGBT，N沟道，P沟道MOSFET
峰值拉电流：13A
电源电压：4.5V~18V
峰值灌电流：13A
驱动配置：低端
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：NCV33152DR2G
上升时间：36ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：32ns
工作温度：-40℃~150℃
负载类型：N沟道MOSFET
峰值拉电流：1.5A
电源电压：6.1V~18V
峰值灌电流：1.5A
驱动配置：低端
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：MC33152VDR2G
上升时间：36ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：32ns
工作温度：-40℃~150℃
负载类型：N沟道MOSFET
峰值拉电流：1.5A
电源电压：6.1V~18V
峰值灌电流：1.5A
驱动配置：低端
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：98psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：MC33151DG
上升时间：31ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：32ns
工作温度：-40℃~150℃
负载类型：N沟道MOSFET
峰值拉电流：1.5A
电源电压：6.5V~18V
峰值灌电流：1.5A
驱动配置：低端
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：MC33151DR2G
上升时间：31ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：32ns
工作温度：-40℃~150℃
负载类型：N沟道MOSFET
峰值拉电流：1.5A
电源电压：6.5V~18V
峰值灌电流：1.5A
驱动配置：低端
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：100psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TC4451VOA
上升时间：30ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：1
下降时间：32ns
工作温度：-40℃~150℃
负载类型：IGBT，N沟道，P沟道MOSFET
峰值拉电流：13A
电源电压：4.5V~18V
峰值灌电流：13A
驱动配置：低端
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：MIC4423YM-TR
上升时间：28ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：32ns
工作温度：-40℃~150℃
负载类型：N沟道，P沟道MOSFET
峰值拉电流：3A
电源电压：4.5V~18V
峰值灌电流：3A
驱动配置：低端
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：MIC4424YM-TR
上升时间：28ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：32ns
工作温度：-40℃~150℃
负载类型：N沟道，P沟道MOSFET
峰值拉电流：3A
电源电压：4.5V~18V
峰值灌电流：3A
驱动配置：低端
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：TC4452VOA713
上升时间：30ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：1
下降时间：32ns
工作温度：-40℃~150℃
负载类型：IGBT，N沟道，P沟道MOSFET
峰值拉电流：13A
电源电压：4.5V~18V
峰值灌电流：13A
驱动配置：低端
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：100psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TC4451VOA
上升时间：30ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：1
下降时间：32ns
工作温度：-40℃~150℃
负载类型：IGBT，N沟道，P沟道MOSFET
峰值拉电流：13A
电源电压：4.5V~18V
峰值灌电流：13A
驱动配置：低端
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：MIC4424YM-TR
上升时间：28ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：32ns
工作温度：-40℃~150℃
负载类型：N沟道，P沟道MOSFET
峰值拉电流：3A
电源电压：4.5V~18V
峰值灌电流：3A
驱动配置：低端
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：98psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：MC33152DG
上升时间：36ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：32ns
工作温度：-40℃~150℃
负载类型：N沟道MOSFET
峰值拉电流：1.5A
电源电压：6.1V~18V
峰值灌电流：1.5A
驱动配置：低端
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：MC33152DR2G
上升时间：36ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：32ns
工作温度：-40℃~150℃
负载类型：N沟道MOSFET
峰值拉电流：1.5A
电源电压：6.1V~18V
峰值灌电流：1.5A
驱动配置：低端
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：MC33151DR2G
上升时间：31ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：32ns
工作温度：-40℃~150℃
负载类型：N沟道MOSFET
峰值拉电流：1.5A
电源电压：6.5V~18V
峰值灌电流：1.5A
驱动配置：低端
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：47psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：MIC4424YWM
上升时间：28ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：32ns
工作温度：-40℃~150℃
负载类型：N沟道，P沟道MOSFET
峰值拉电流：3A
电源电压：4.5V~18V
峰值灌电流：3A
驱动配置：低端
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：MIC4424YM-TR
上升时间：28ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：32ns
工作温度：-40℃~150℃
负载类型：N沟道，P沟道MOSFET
峰值拉电流：3A
电源电压：4.5V~18V
峰值灌电流：3A
驱动配置：低端
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：MIC4423YM-TR
上升时间：28ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：32ns
工作温度：-40℃~150℃
负载类型：N沟道，P沟道MOSFET
峰值拉电流：3A
电源电压：4.5V~18V
峰值灌电流：3A
驱动配置：低端
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：MC33152VDR2G
上升时间：36ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：32ns
工作温度：-40℃~150℃
负载类型：N沟道MOSFET
峰值拉电流：1.5A
电源电压：6.1V~18V
峰值灌电流：1.5A
驱动配置：低端
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：MC33152VDR2G
上升时间：36ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：32ns
工作温度：-40℃~150℃
负载类型：N沟道MOSFET
峰值拉电流：1.5A
电源电压：6.1V~18V
峰值灌电流：1.5A
驱动配置：低端
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：MIC4423YM-TR
上升时间：28ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：32ns
工作温度：-40℃~150℃
负载类型：N沟道，P沟道MOSFET
峰值拉电流：3A
电源电压：4.5V~18V
峰值灌电流：3A
驱动配置：低端
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：MC33152PG
上升时间：36ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：32ns
工作温度：-40℃~150℃
负载类型：N沟道MOSFET
峰值拉电流：1.5A
电源电压：6.1V~18V
峰值灌电流：1.5A
驱动配置：低端
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：MC33152DR2G
上升时间：36ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：32ns
工作温度：-40℃~150℃
负载类型：N沟道MOSFET
峰值拉电流：1.5A
电源电压：6.1V~18V
峰值灌电流：1.5A
驱动配置：低端
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：TC4452VOA713
上升时间：30ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：1
下降时间：32ns
工作温度：-40℃~150℃
负载类型：IGBT，N沟道，P沟道MOSFET
峰值拉电流：13A
电源电压：4.5V~18V
峰值灌电流：13A
驱动配置：低端
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：MC33152DR2G
上升时间：36ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：32ns
工作温度：-40℃~150℃
负载类型：N沟道MOSFET
峰值拉电流：1.5A
电源电压：6.1V~18V
峰值灌电流：1.5A
驱动配置：低端
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：MC33151VDR2G
上升时间：31ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：32ns
工作温度：-40℃~150℃
负载类型：N沟道MOSFET
峰值拉电流：1.5A
电源电压：6.5V~18V
峰值灌电流：1.5A
驱动配置：低端
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：NCV33152DR2G
上升时间：36ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：32ns
工作温度：-40℃~150℃
负载类型：N沟道MOSFET
峰值拉电流：1.5A
电源电压：6.1V~18V
峰值灌电流：1.5A
驱动配置：低端
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TC4452VAT
上升时间：30ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：1
下降时间：32ns
工作温度：-40℃~150℃
负载类型：IGBT，N沟道，P沟道MOSFET
峰值拉电流：13A
电源电压：4.5V~18V
峰值灌电流：13A
驱动配置：低端
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：
