采购热线 400-661-9010
品牌：Microchip
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：TC1413NEOA713
上升时间：20ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：1
下降时间：20ns
工作温度：-40℃~150℃
负载类型：N沟道，P沟道MOSFET
峰值拉电流：3A
电源电压：4.5V~16V
峰值灌电流：3A
驱动配置：低端
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：MIC4424YWM-TR
上升时间：28ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：32ns
工作温度：-40℃~150℃
负载类型：N沟道，P沟道MOSFET
峰值拉电流：3A
电源电压：4.5V~18V
峰值灌电流：3A
驱动配置：低端
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：TC1413NEOA713
上升时间：20ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：1
下降时间：20ns
工作温度：-40℃~150℃
负载类型：N沟道，P沟道MOSFET
峰值拉电流：3A
电源电压：4.5V~16V
峰值灌电流：3A
驱动配置：低端
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：25psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FAN7392N
上升时间：25ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：20ns
工作温度：-40℃~150℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：3A
电源电压：10V~20V
峰值灌电流：3A
驱动配置：半桥
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：TC1413NEOA713
上升时间：20ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：1
下降时间：20ns
工作温度：-40℃~150℃
负载类型：N沟道，P沟道MOSFET
峰值拉电流：3A
电源电压：4.5V~16V
峰值灌电流：3A
驱动配置：低端
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：NCV51511PDR2G
上升时间：6ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：4ns
工作温度：-40℃~150℃
负载类型：N沟道MOSFET
峰值拉电流：6A
电源电压：8V~16V
峰值灌电流：3A
驱动配置：高压侧或低压侧
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
包装规格(MPQ)：45psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IR2010SPBF
上升时间：10ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：15ns
工作温度：-40℃~150℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：3A
电源电压：10V~20V
峰值灌电流：3A
驱动配置：半桥
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：60psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TC4424EPA
上升时间：23ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：25ns
工作温度：-40℃~150℃
负载类型：N沟道，P沟道MOSFET
峰值拉电流：3A
电源电压：4.5V~18V
峰值灌电流：3A
驱动配置：低端
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：60psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TC1413NEPA
上升时间：20ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：1
下降时间：20ns
工作温度：-40℃~150℃
负载类型：N沟道，P沟道MOSFET
峰值拉电流：3A
电源电压：4.5V~16V
峰值灌电流：3A
驱动配置：低端
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
生产批次：{"17+"：25，"21+"：625}
包装规格(MPQ)：25psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IR2010PBF
上升时间：10ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：15ns
工作温度：-40℃~150℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：3A
电源电压：10V~20V
峰值灌电流：3A
驱动配置：半桥
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：MIC4423YM-TR
上升时间：28ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：32ns
工作温度：-40℃~150℃
负载类型：N沟道，P沟道MOSFET
峰值拉电流：3A
电源电压：4.5V~18V
峰值灌电流：3A
驱动配置：低端
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：MIC4424YM-TR
上升时间：28ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：32ns
工作温度：-40℃~150℃
负载类型：N沟道，P沟道MOSFET
峰值拉电流：3A
电源电压：4.5V~18V
峰值灌电流：3A
驱动配置：低端
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
生产批次：{"22+"：24046}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FAN7392MX
上升时间：25ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：20ns
工作温度：-40℃~150℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：3A
电源电压：10V~20V
峰值灌电流：3A
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：MIC4424YM-TR
上升时间：28ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：32ns
工作温度：-40℃~150℃
负载类型：N沟道，P沟道MOSFET
峰值拉电流：3A
电源电压：4.5V~18V
峰值灌电流：3A
驱动配置：低端
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：47psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：MIC4424YWM
上升时间：28ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：32ns
工作温度：-40℃~150℃
负载类型：N沟道，P沟道MOSFET
峰值拉电流：3A
电源电压：4.5V~18V
峰值灌电流：3A
驱动配置：低端
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：MIC4424YM-TR
上升时间：28ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：32ns
工作温度：-40℃~150℃
负载类型：N沟道，P沟道MOSFET
峰值拉电流：3A
电源电压：4.5V~18V
峰值灌电流：3A
驱动配置：低端
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：MIC4423YM-TR
上升时间：28ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：32ns
工作温度：-40℃~150℃
负载类型：N沟道，P沟道MOSFET
峰值拉电流：3A
电源电压：4.5V~18V
峰值灌电流：3A
驱动配置：低端
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：100psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TC1413NEOA
上升时间：20ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：1
下降时间：20ns
工作温度：-40℃~150℃
负载类型：N沟道，P沟道MOSFET
峰值拉电流：3A
电源电压：4.5V~16V
峰值灌电流：3A
驱动配置：低端
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：60psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TC4424EPA
上升时间：23ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：25ns
工作温度：-40℃~150℃
负载类型：N沟道，P沟道MOSFET
峰值拉电流：3A
电源电压：4.5V~18V
峰值灌电流：3A
驱动配置：低端
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：MIC4423YM-TR
上升时间：28ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：32ns
工作温度：-40℃~150℃
负载类型：N沟道，P沟道MOSFET
峰值拉电流：3A
电源电压：4.5V~18V
峰值灌电流：3A
驱动配置：低端
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：MIC4424YWM-TR
上升时间：28ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：32ns
工作温度：-40℃~150℃
负载类型：N沟道，P沟道MOSFET
峰值拉电流：3A
电源电压：4.5V~18V
峰值灌电流：3A
驱动配置：低端
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：NCV51511PDR2G
上升时间：6ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：4ns
工作温度：-40℃~150℃
负载类型：N沟道MOSFET
峰值拉电流：6A
电源电压：8V~16V
峰值灌电流：3A
驱动配置：高压侧或低压侧
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：NCV51511PDR2G
上升时间：6ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：4ns
工作温度：-40℃~150℃
负载类型：N沟道MOSFET
峰值拉电流：6A
电源电压：8V~16V
峰值灌电流：3A
驱动配置：高压侧或低压侧
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：MIC4423YM-TR
上升时间：28ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：32ns
工作温度：-40℃~150℃
负载类型：N沟道，P沟道MOSFET
峰值拉电流：3A
电源电压：4.5V~18V
峰值灌电流：3A
驱动配置：低端
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：MIC4424YN
上升时间：28ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：32ns
工作温度：-40℃~150℃
负载类型：N沟道，P沟道MOSFET
峰值拉电流：3A
电源电压：4.5V~18V
峰值灌电流：3A
驱动配置：低端
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：MIC4423YM-TR
上升时间：28ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：32ns
工作温度：-40℃~150℃
负载类型：N沟道，P沟道MOSFET
峰值拉电流：3A
电源电压：4.5V~18V
峰值灌电流：3A
驱动配置：低端
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：IR2010STRPBF
上升时间：10ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：15ns
工作温度：-40℃~150℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：3A
电源电压：10V~20V
峰值灌电流：3A
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：IR2010STRPBF
上升时间：10ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：15ns
工作温度：-40℃~150℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：3A
电源电压：10V~20V
峰值灌电流：3A
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：NCV51511PDR2G
上升时间：6ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：4ns
工作温度：-40℃~150℃
负载类型：N沟道MOSFET
峰值拉电流：6A
电源电压：8V~16V
峰值灌电流：3A
驱动配置：高压侧或低压侧
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：MIC4424YWM-TR
上升时间：28ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：32ns
工作温度：-40℃~150℃
负载类型：N沟道，P沟道MOSFET
峰值拉电流：3A
电源电压：4.5V~18V
峰值灌电流：3A
驱动配置：低端
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
