采购热线 400-661-9010
生产批次：{}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NCP1380CDR2G
启动电压：17V
拓扑结构：反激
输出隔离：隔离
工作温度：-40℃~150℃
包装方式：卷带（TR）
电源电压：9V~28V
特性：限流，超温，过压，短路
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
生产批次：{}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NCP1380CDR2G
启动电压：17V
拓扑结构：反激
输出隔离：隔离
工作温度：-40℃~150℃
包装方式：卷带（TR）
电源电压：9V~28V
特性：限流，超温，过压，短路
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
生产批次：{}
销售单位：个
ECCN：EAR99
电源电压：5.5V~18V
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-40℃~150℃
规格型号（MPN）：TLE7268LCXUMA1
类型：收发器
驱动器/接收器：2/2
数据速率：20kbps
包装清单：商品主体 * 1
库存：
生产批次：{}
销售单位：个
规格型号(MPN)：AUIRS2127STR
上升时间：80ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：1
下降时间：40ns
工作温度：-40℃~150℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：600mA
电源电压：12V~20V
峰值灌电流：290mA
驱动配置：高端
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
生产批次：{}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRS2181SPbF
上升时间：40ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：20ns
工作温度：-40℃~150℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：2.3A
电源电压：10V~20V
峰值灌电流：1.9A
驱动配置：半桥
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
生产批次：{}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRS2181SPbF
上升时间：40ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：20ns
工作温度：-40℃~150℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：2.3A
电源电压：10V~20V
峰值灌电流：1.9A
驱动配置：半桥
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：
生产批次：{}
销售单位：个
ECCN：EAR99
电源电压：5.5V~18V
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-40℃~150℃
规格型号（MPN）：TLE7268LCXUMA1
类型：收发器
驱动器/接收器：2/2
数据速率：20kbps
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
生产批次：{}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRS2181SPbF
上升时间：40ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：20ns
工作温度：-40℃~150℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：2.3A
电源电压：10V~20V
峰值灌电流：1.9A
驱动配置：半桥
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
生产批次：{}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRS2181SPbF
上升时间：40ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：20ns
工作温度：-40℃~150℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：2.3A
电源电压：10V~20V
峰值灌电流：1.9A
驱动配置：半桥
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：
生产批次：{}
销售单位：个
ECCN：EAR99
电源电压：5.5V~18V
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-40℃~150℃
规格型号（MPN）：TLE7268LCXUMA1
类型：收发器
驱动器/接收器：2/2
数据速率：20kbps
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
生产批次：{}
规格型号(MPN)：IRS2181SPbF
峰值拉电流：2.3A
峰值灌电流：1.9A
下降时间：20ns
包装方式：管件
工作温度：-40℃~150℃
电源电压：10V~20V
ECCN：EAR99
驱动配置：半桥
驱动通道数：2
上升时间：40ns
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
生产批次：{}
规格型号(MPN)：IRS2181SPbF
峰值拉电流：2.3A
峰值灌电流：1.9A
下降时间：20ns
包装方式：管件
工作温度：-40℃~150℃
电源电压：10V~20V
ECCN：EAR99
驱动配置：半桥
驱动通道数：2
上升时间：40ns
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
包装清单：商品主体 * 1
库存：
