生产批次：{"18+"：3，"22+"：1464}

销售单位：个

规格型号(MPN)：BTN7963BAUMA1

上升时间：限流，超温，过压，短路，UVLO

ECCN：EAR99

下降时间：DMOS

工作温度：-40°C~150°C（TJ）

负载类型：电感

峰值拉电流：90A

电源电压：4.5V~28V

峰值灌电流：44A

特性：闩锁功能，压摆率受控型，状态标志

驱动配置：半桥

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：250psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：CSD95379Q3MT

上升时间：击穿，UVLO

ECCN：EAR99

下降时间：功率 MOSFET

工作温度：-40°C~150°C（TJ）

负载类型：电感

峰值拉电流：45A

电源电压：4.5V~5.5V

峰值灌电流：20A

特性：自举电路，二极管仿真

驱动配置：半桥

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：CSD97394Q4M

上升时间：击穿，UVLO

ECCN：EAR99

下降时间：功率 MOSFET

工作温度：-40°C~150°C（TJ）

负载类型：电感

峰值拉电流：45A

电源电压：4.5V~5.5V

峰值灌电流：20A

特性：自举电路

驱动配置：半桥

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

生产批次：{"22+"：1736}

销售单位：个

规格型号(MPN)：FDMF6823C

上升时间：超温，击穿，UVLO

ECCN：EAR99

下降时间：DrMOS

工作温度：-40°C~150°C（TJ）

负载类型：电感

电源电压：4.5V~5.5V

峰值灌电流：50A

特性：自举电路，状态标志

驱动配置：半桥

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：MGD3160AM335EKR2

上升时间：超温，短路

ECCN：EAR99

下降时间：功率 MOSFET，IGBT

工作温度：-40°C~150°C（TJ）

负载类型：电感，电容性，电阻

峰值拉电流：15A

电源电压：4.5V~40V

峰值灌电流：15A

驱动配置：半桥

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

生产批次：{"23+"：3000}

销售单位：个

规格型号(MPN)：FDMF5826DC

上升时间：超温，UVLO

ECCN：EAR99

下降时间：UMOS

工作温度：-40°C~150°C（TJ）

负载类型：电感

电源电压：4.5V~5.5V

峰值灌电流：60A

特性：Bootstrap Circuit，Latch Function，Status Flag

驱动配置：半桥

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：250psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：ISL55110IVZ-T7A

ECCN：EAR99

下降时间：功率 MOSFET

工作温度：-40°C~150°C（TJ）

负载类型：容性和阻性

峰值拉电流：3.5A

电源电压：2.7V~5.5V

峰值灌电流：100mA

驱动配置：半桥（2）

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：AOZ5507QI

上升时间：击穿，UVLO

ECCN：EAR99

下降时间：DrMOS

工作温度：-40°C~150°C（TJ）

负载类型：电感，电容性

峰值拉电流：80A

电源电压：4.5V~5.5V

峰值灌电流：30A

特性：自举电路，二极管仿真

驱动配置：半桥

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

生产批次：{"21+"：1651，"22+"：1947}

销售单位：个

规格型号(MPN)：FDMF3037

上升时间：击穿，UVLO

ECCN：EAR99

下降时间：UMOS

工作温度：-40°C~150°C（TJ）

负载类型：电感

电源电压：4.5V~5.5V

峰值灌电流：35A

特性：自举电路，二极管仿真

驱动配置：半桥

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：IFX007TAUMA1

上升时间：限流，开路负载检测，超温，短路，UVLO

ECCN：EAR99

下降时间：功率 MOSFET

工作温度：-40°C~150°C（TJ）

负载类型：电感

电源电压：8V~40V

峰值灌电流：55A

驱动配置：半桥

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：250psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：ISL55110IVZ-T7A

ECCN：EAR99

下降时间：功率 MOSFET

工作温度：-40°C~150°C（TJ）

负载类型：容性和阻性

峰值拉电流：3.5A

电源电压：2.7V~5.5V

峰值灌电流：100mA

驱动配置：半桥（2）

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：250psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：ISL55110IVZ-T7A

ECCN：EAR99

下降时间：功率 MOSFET

工作温度：-40°C~150°C（TJ）

负载类型：容性和阻性

峰值拉电流：3.5A

电源电压：2.7V~5.5V

峰值灌电流：100mA

驱动配置：半桥（2）

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

生产批次：{"22+"：4583}

销售单位：个

规格型号(MPN)：FDMF6823A

上升时间：超温，击穿，UVLO

ECCN：EAR99

下降时间：DrMOS

工作温度：-40°C~150°C（TJ）

负载类型：电感

电源电压：4.5V~5.5V

峰值灌电流：60A

特性：自举电路，状态标志

驱动配置：半桥

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：CSD97394Q4M

上升时间：击穿，UVLO

ECCN：EAR99

下降时间：功率 MOSFET

工作温度：-40°C~150°C（TJ）

负载类型：电感

峰值拉电流：45A

电源电压：4.5V~5.5V

峰值灌电流：20A

特性：自举电路

驱动配置：半桥

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

生产批次：{"15+"：2918}

销售单位：个

规格型号(MPN)：FDMF6840C

上升时间：超温，击穿，UVLO

ECCN：EAR99

下降时间：DrMOS

工作温度：-40°C~150°C（TJ）

负载类型：电感

电源电压：4.5V~5.5V

峰值灌电流：50A

特性：自举电路，状态标志

驱动配置：半桥

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：DRV8935PPWPR

上升时间：过流，超温，短路，UVLO

ECCN：EAR99

下降时间：功率 MOSFET

工作温度：-40°C~150°C（TJ）

负载类型：电感，电容性，电阻

峰值拉电流：2.5A

电源电压：4.5V~33V

峰值灌电流：2.5A

特性：充电泵

驱动配置：半桥（4）

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：CSD97394Q4M

上升时间：击穿，UVLO

ECCN：EAR99

下降时间：功率 MOSFET

工作温度：-40°C~150°C（TJ）

负载类型：电感

峰值拉电流：45A

电源电压：4.5V~5.5V

峰值灌电流：20A

特性：自举电路

驱动配置：半桥

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：250psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：CSD97395Q4MT

上升时间：击穿，UVLO

ECCN：EAR99

下降时间：功率 MOSFET

工作温度：-40°C~150°C（TJ）

负载类型：电感

峰值拉电流：60A

电源电压：4.5V~5.5V

峰值灌电流：25A

特性：自举电路

驱动配置：半桥

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：CSD97394Q4M

上升时间：击穿，UVLO

ECCN：EAR99

下降时间：功率 MOSFET

工作温度：-40°C~150°C（TJ）

负载类型：电感

峰值拉电流：45A

电源电压：4.5V~5.5V

峰值灌电流：20A

特性：自举电路

驱动配置：半桥

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：CSD97396Q4MT

上升时间：击穿

ECCN：EAR99

下降时间：功率 MOSFET

工作温度：-40°C~150°C（TJ）

负载类型：电感

峰值拉电流：65A

电源电压：4.5V~5.5V

峰值灌电流：30A

特性：自举电路，二极管仿真

驱动配置：半桥

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：FDMF3037

上升时间：击穿，UVLO

ECCN：EAR99

下降时间：UMOS

工作温度：-40°C~150°C（TJ）

负载类型：电感

电源电压：4.5V~5.5V

峰值灌电流：35A

特性：自举电路，二极管仿真

驱动配置：半桥

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：IRSM807-045MHTR

上升时间：UVLO

ECCN：EAR99

下降时间：UMOS

工作温度：-40°C~150°C（TJ）

负载类型：电感

峰值拉电流：35A

电源电压：12V~16.5V

峰值灌电流：4A

特性：自举电路

驱动配置：半桥

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：AOZ5116QI-01

上升时间：超温，击穿，UVLO

ECCN：EAR99

下降时间：DrMOS

工作温度：-40°C~150°C（TJ）

负载类型：电感，电容性

峰值拉电流：120A

电源电压：4.5V~5.5V

峰值灌电流：55A

特性：自举电路，二极管仿真

驱动配置：半桥

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：250psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：ISL55110IVZ-T7A

ECCN：EAR99

下降时间：功率 MOSFET

工作温度：-40°C~150°C（TJ）

负载类型：容性和阻性

峰值拉电流：3.5A

电源电压：2.7V~5.5V

峰值灌电流：100mA

驱动配置：半桥（2）

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：DRV8312DDWR

上升时间：限流，超温，短路，UVLO

ECCN：EAR99

下降时间：功率 MOSFET

工作温度：-40°C~150°C（TJ）

负载类型：电感

峰值拉电流：6.5A

电源电压：10.8V~13.2V

峰值灌电流：3.5A

特性：自举电路，状态标志

驱动配置：半桥（3）

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：AOZ5516QI-02

上升时间：超温，击穿，UVLO

ECCN：EAR99

下降时间：DrMOS

工作温度：-40°C~150°C（TJ）

负载类型：电感，电容性

峰值拉电流：120A

电源电压：4.5V~5.5V

峰值灌电流：55A

特性：自举电路，二极管仿真，状态标志

驱动配置：半桥

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：250psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：ISL55110IVZ-T7A

ECCN：EAR99

下降时间：功率 MOSFET

工作温度：-40°C~150°C（TJ）

负载类型：容性和阻性

峰值拉电流：3.5A

电源电压：2.7V~5.5V

峰值灌电流：100mA

驱动配置：半桥（2）

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：250psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：CSD95379Q3MT

上升时间：击穿，UVLO

ECCN：EAR99

下降时间：功率 MOSFET

工作温度：-40°C~150°C（TJ）

负载类型：电感

峰值拉电流：45A

电源电压：4.5V~5.5V

峰值灌电流：20A

特性：自举电路，二极管仿真

驱动配置：半桥

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：IFX007TAUMA1

上升时间：限流，开路负载检测，超温，短路，UVLO

ECCN：EAR99

下降时间：功率 MOSFET

工作温度：-40°C~150°C（TJ）

负载类型：电感

电源电压：8V~40V

峰值灌电流：55A

驱动配置：半桥

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：NCV7724DQBR2G

上升时间：过流，超温，UVLO

ECCN：EAR99

下降时间：NMOS

工作温度：-40°C~150°C（TJ）

负载类型：电感，电容性

峰值拉电流：1.1A

电源电压：3.15V~5.25V

峰值灌电流：1.1A

特性：充电泵

驱动配置：半桥（8）

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1