销售单位：个

规格型号(MPN)：DRV8935PPWPR

上升时间：过流，超温，短路，UVLO

ECCN：EAR99

下降时间：功率 MOSFET

工作温度：-40°C~150°C（TJ）

负载类型：电感，电容性，电阻

峰值拉电流：2.5A

电源电压：4.5V~33V

峰值灌电流：2.5A

特性：充电泵

驱动配置：半桥（4）

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：NCV7724DQBR2G

上升时间：过流，超温，UVLO

ECCN：EAR99

下降时间：NMOS

工作温度：-40°C~150°C（TJ）

负载类型：电感，电容性

峰值拉电流：1.1A

电源电压：3.15V~5.25V

峰值灌电流：1.1A

特性：充电泵

驱动配置：半桥（8）

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

生产批次：{"22+"：2500}

销售单位：个

规格型号(MPN)：NCV7724DQBR2G

上升时间：过流，超温，UVLO

ECCN：EAR99

下降时间：NMOS

工作温度：-40°C~150°C（TJ）

负载类型：电感，电容性

峰值拉电流：1.1A

电源电压：3.15V~5.25V

峰值灌电流：1.1A

特性：充电泵

驱动配置：半桥（8）

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

生产批次：{"21+"：2230}

销售单位：个

规格型号(MPN)：TLE92104131QXXUMA1

上升时间：超温，短路

ECCN：EAR99

工作温度：-40°C~150°C（TJ）

电源电压：3V~5.5V

特性：充电泵

驱动配置：半桥（4）

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：NCV7724DQBR2G

上升时间：过流，超温，UVLO

ECCN：EAR99

下降时间：NMOS

工作温度：-40°C~150°C（TJ）

负载类型：电感，电容性

峰值拉电流：1.1A

电源电压：3.15V~5.25V

峰值灌电流：1.1A

特性：充电泵

驱动配置：半桥（8）

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

生产批次：{"21+"：2230}

销售单位：个

规格型号(MPN)：TLE92104131QXXUMA1

上升时间：超温，短路

ECCN：EAR99

工作温度：-40°C~150°C（TJ）

电源电压：3V~5.5V

特性：充电泵

驱动配置：半桥（4）

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

生产批次：{"22+"：2500}

销售单位：个

规格型号(MPN)：NCV7724DQBR2G

上升时间：过流，超温，UVLO

ECCN：EAR99

下降时间：NMOS

工作温度：-40°C~150°C（TJ）

负载类型：电感，电容性

峰值拉电流：1.1A

电源电压：3.15V~5.25V

峰值灌电流：1.1A

特性：充电泵

驱动配置：半桥（8）

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：NCV7724DQBR2G

上升时间：过流，超温，UVLO

ECCN：EAR99

下降时间：NMOS

工作温度：-40°C~150°C（TJ）

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峰值拉电流：1.1A

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特性：充电泵

驱动配置：半桥（8）

包装方式：卷带（TR）

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销售单位：个

规格型号(MPN)：NCV7724DQBR2G

上升时间：过流，超温，UVLO

ECCN：EAR99

下降时间：NMOS

工作温度：-40°C~150°C（TJ）

负载类型：电感，电容性

峰值拉电流：1.1A

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特性：充电泵

驱动配置：半桥（8）

包装方式：卷带（TR）

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销售单位：个

规格型号(MPN)：DRV8935PPWPR

上升时间：过流，超温，短路，UVLO

ECCN：EAR99

下降时间：功率 MOSFET

工作温度：-40°C~150°C（TJ）

负载类型：电感，电容性，电阻

峰值拉电流：2.5A

电源电压：4.5V~33V

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特性：充电泵

驱动配置：半桥（4）

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

生产批次：{"22+"：2500}

销售单位：个

规格型号(MPN)：NCV7724DQBR2G

上升时间：过流，超温，UVLO

ECCN：EAR99

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工作温度：-40°C~150°C（TJ）

负载类型：电感，电容性

峰值拉电流：1.1A

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特性：充电泵

驱动配置：半桥（8）

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生产批次：{"22+"：2500}

销售单位：个

规格型号(MPN)：NCV7724DQBR2G

上升时间：过流，超温，UVLO

ECCN：EAR99

下降时间：NMOS

工作温度：-40°C~150°C（TJ）

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峰值拉电流：1.1A

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特性：充电泵

驱动配置：半桥（8）

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：NCV7724DQBR2G

上升时间：过流，超温，UVLO

ECCN：EAR99

下降时间：NMOS

工作温度：-40°C~150°C（TJ）

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峰值拉电流：1.1A

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特性：充电泵

驱动配置：半桥（8）

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：DRV8935PPWPR

上升时间：过流，超温，短路，UVLO

ECCN：EAR99

下降时间：功率 MOSFET

工作温度：-40°C~150°C（TJ）

负载类型：电感，电容性，电阻

峰值拉电流：2.5A

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特性：充电泵

驱动配置：半桥（4）

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：NCV7724DQBR2G

上升时间：过流，超温，UVLO

ECCN：EAR99

下降时间：NMOS

工作温度：-40°C~150°C（TJ）

负载类型：电感，电容性

峰值拉电流：1.1A

电源电压：3.15V~5.25V

峰值灌电流：1.1A

特性：充电泵

驱动配置：半桥（8）

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：DRV8935PPWPR

上升时间：过流，超温，短路，UVLO

ECCN：EAR99

下降时间：功率 MOSFET

工作温度：-40°C~150°C（TJ）

负载类型：电感，电容性，电阻

峰值拉电流：2.5A

电源电压：4.5V~33V

峰值灌电流：2.5A

特性：充电泵

驱动配置：半桥（4）

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：1psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：TLE94112ESRPIHATTOBO1

上升时间：限流，过流，超温，短路

ECCN：EAR99

工作温度：-40°C~150°C（TJ）

负载类型：电感，电容性，电阻

电源电压：3V~5.5V

特性：充电泵

驱动配置：半桥（12）

包装方式：散装

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：NCV7724DQBR2G

上升时间：过流，超温，UVLO

ECCN：EAR99

下降时间：NMOS

工作温度：-40°C~150°C（TJ）

负载类型：电感，电容性

峰值拉电流：1.1A

电源电压：3.15V~5.25V

峰值灌电流：1.1A

特性：充电泵

驱动配置：半桥（8）

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：NCV7724DQBR2G

上升时间：过流，超温，UVLO

ECCN：EAR99

下降时间：NMOS

工作温度：-40°C~150°C（TJ）

负载类型：电感，电容性

峰值拉电流：1.1A

电源电压：3.15V~5.25V

峰值灌电流：1.1A

特性：充电泵

驱动配置：半桥（8）

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

生产批次：{"21+"：2230}

销售单位：个

规格型号(MPN)：TLE92104131QXXUMA1

上升时间：超温，短路

ECCN：EAR99

工作温度：-40°C~150°C（TJ）

电源电压：3V~5.5V

特性：充电泵

驱动配置：半桥（4）

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：NCV7724DQBR2G

上升时间：过流，超温，UVLO

ECCN：EAR99

下降时间：NMOS

工作温度：-40°C~150°C（TJ）

负载类型：电感，电容性

峰值拉电流：1.1A

电源电压：3.15V~5.25V

峰值灌电流：1.1A

特性：充电泵

驱动配置：半桥（8）

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：DRV8935PPWPR

上升时间：过流，超温，短路，UVLO

ECCN：EAR99

下降时间：功率 MOSFET

工作温度：-40°C~150°C（TJ）

负载类型：电感，电容性，电阻

峰值拉电流：2.5A

电源电压：4.5V~33V

峰值灌电流：2.5A

特性：充电泵

驱动配置：半桥（4）

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：DRV8935PPWPR

上升时间：过流，超温，短路，UVLO

ECCN：EAR99

下降时间：功率 MOSFET

工作温度：-40°C~150°C（TJ）

负载类型：电感，电容性，电阻

峰值拉电流：2.5A

电源电压：4.5V~33V

峰值灌电流：2.5A

特性：充电泵

驱动配置：半桥（4）

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：DRV8935PPWPR

上升时间：过流，超温，短路，UVLO

ECCN：EAR99

下降时间：功率 MOSFET

工作温度：-40°C~150°C（TJ）

负载类型：电感，电容性，电阻

峰值拉电流：2.5A

电源电压：4.5V~33V

峰值灌电流：2.5A

特性：充电泵

驱动配置：半桥（4）

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：DRV8935PPWPR

上升时间：过流，超温，短路，UVLO

ECCN：EAR99

下降时间：功率 MOSFET

工作温度：-40°C~150°C（TJ）

负载类型：电感，电容性，电阻

峰值拉电流：2.5A

电源电压：4.5V~33V

峰值灌电流：2.5A

特性：充电泵

驱动配置：半桥（4）

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：NCV7724DQBR2G

上升时间：过流，超温，UVLO

ECCN：EAR99

下降时间：NMOS

工作温度：-40°C~150°C（TJ）

负载类型：电感，电容性

峰值拉电流：1.1A

电源电压：3.15V~5.25V

峰值灌电流：1.1A

特性：充电泵

驱动配置：半桥（8）

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：DRV8935PPWPR

上升时间：过流，超温，短路，UVLO

ECCN：EAR99

下降时间：功率 MOSFET

工作温度：-40°C~150°C（TJ）

负载类型：电感，电容性，电阻

峰值拉电流：2.5A

电源电压：4.5V~33V

峰值灌电流：2.5A

特性：充电泵

驱动配置：半桥（4）

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：NCV7724DQBR2G

上升时间：过流，超温，UVLO

ECCN：EAR99

下降时间：NMOS

工作温度：-40°C~150°C（TJ）

负载类型：电感，电容性

峰值拉电流：1.1A

电源电压：3.15V~5.25V

峰值灌电流：1.1A

特性：充电泵

驱动配置：半桥（8）

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：DRV8935PPWPR

上升时间：过流，超温，短路，UVLO

ECCN：EAR99

下降时间：功率 MOSFET

工作温度：-40°C~150°C（TJ）

负载类型：电感，电容性，电阻

峰值拉电流：2.5A

电源电压：4.5V~33V

峰值灌电流：2.5A

特性：充电泵

驱动配置：半桥（4）

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：NCV7724DQBR2G

上升时间：过流，超温，UVLO

ECCN：EAR99

下降时间：NMOS

工作温度：-40°C~150°C（TJ）

负载类型：电感，电容性

峰值拉电流：1.1A

电源电压：3.15V~5.25V

峰值灌电流：1.1A

特性：充电泵

驱动配置：半桥（8）

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1