销售单位:个
规格型号(MPN):NCP51810AMNTWG
上升时间:2ns
ECCN:EAR99
驱动通道数:1
下降时间:1.5ns
工作温度:150℃
负载类型:N沟道MOSFET
峰值拉电流:2A
电源电压:9V~17V
峰值灌电流:1A
驱动配置:半桥
包装方式:卷带(TR)
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):NCP51810AMNTWG
上升时间:2ns
ECCN:EAR99
驱动通道数:1
下降时间:1.5ns
工作温度:150℃
负载类型:N沟道MOSFET
峰值拉电流:2A
电源电压:9V~17V
峰值灌电流:1A
驱动配置:半桥
包装方式:卷带(TR)
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):NCP51810AMNTWG
上升时间:2ns
ECCN:EAR99
驱动通道数:1
下降时间:1.5ns
工作温度:150℃
负载类型:N沟道MOSFET
峰值拉电流:2A
电源电压:9V~17V
峰值灌电流:1A
驱动配置:半桥
包装方式:卷带(TR)
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):NCP51810AMNTWG
上升时间:2ns
ECCN:EAR99
驱动通道数:1
下降时间:1.5ns
工作温度:150℃
负载类型:N沟道MOSFET
峰值拉电流:2A
电源电压:9V~17V
峰值灌电流:1A
驱动配置:半桥
包装方式:卷带(TR)
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):NCP51810AMNTWG
上升时间:2ns
ECCN:EAR99
驱动通道数:1
下降时间:1.5ns
工作温度:150℃
负载类型:N沟道MOSFET
峰值拉电流:2A
电源电压:9V~17V
峰值灌电流:1A
驱动配置:半桥
包装方式:卷带(TR)
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):NCP51810AMNTWG
上升时间:2ns
ECCN:EAR99
驱动通道数:1
下降时间:1.5ns
工作温度:150℃
负载类型:N沟道MOSFET
峰值拉电流:2A
电源电压:9V~17V
峰值灌电流:1A
驱动配置:半桥
包装方式:卷带(TR)
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):NCP51810AMNTWG
上升时间:2ns
ECCN:EAR99
驱动通道数:1
下降时间:1.5ns
工作温度:150℃
负载类型:N沟道MOSFET
峰值拉电流:2A
电源电压:9V~17V
峰值灌电流:1A
驱动配置:半桥
包装方式:卷带(TR)
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):NCP51810AMNTWG
上升时间:2ns
ECCN:EAR99
驱动通道数:1
下降时间:1.5ns
工作温度:150℃
负载类型:N沟道MOSFET
峰值拉电流:2A
电源电压:9V~17V
峰值灌电流:1A
驱动配置:半桥
包装方式:卷带(TR)
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):NCP51810AMNTWG
上升时间:2ns
ECCN:EAR99
驱动通道数:1
下降时间:1.5ns
工作温度:150℃
负载类型:N沟道MOSFET
峰值拉电流:2A
电源电压:9V~17V
峰值灌电流:1A
驱动配置:半桥
包装方式:卷带(TR)
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):NCP51810AMNTWG
上升时间:2ns
ECCN:EAR99
驱动通道数:1
下降时间:1.5ns
工作温度:150℃
负载类型:N沟道MOSFET
峰值拉电流:2A
电源电压:9V~17V
峰值灌电流:1A
驱动配置:半桥
包装方式:卷带(TR)
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):NCP51810AMNTWG
上升时间:2ns
ECCN:EAR99
驱动通道数:1
下降时间:1.5ns
工作温度:150℃
负载类型:N沟道MOSFET
峰值拉电流:2A
电源电压:9V~17V
峰值灌电流:1A
驱动配置:半桥
包装方式:卷带(TR)
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):NCP51810AMNTWG
上升时间:2ns
ECCN:EAR99
驱动通道数:1
下降时间:1.5ns
工作温度:150℃
负载类型:N沟道MOSFET
峰值拉电流:2A
电源电压:9V~17V
峰值灌电流:1A
驱动配置:半桥
包装方式:卷带(TR)
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:门极驱动器
行业应用:其他
是否隔离:隔离
销售单位:个
规格型号(MPN):NCP51810AMNTWG
峰值灌电流:1A
负载类型:N沟道MOSFET
下降时间:1.5ns
电源电压:9V~17V
ECCN:EAR99
工作温度:150℃
包装方式:卷带(TR)
驱动通道数:1
驱动配置:半桥
上升时间:2ns
峰值拉电流:2A
包装清单:商品主体 * 1
库存: