销售单位：个

规格型号(MPN)：UCC27524AQDRQ1

上升时间：7ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：2

下降时间：6ns

工作温度：-40℃~140℃

负载类型：IGBT，N沟道MOSFET

峰值拉电流：5A

电源电压：4.5V~18V

峰值灌电流：5A

驱动配置：低端

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：250psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：UCC27524DSDT

上升时间：7ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：2

下降时间：6ns

工作温度：-40℃~140℃

负载类型：IGBT，N沟道MOSFET

峰值拉电流：5A

电源电压：4.5V~18V

峰值灌电流：5A

驱动配置：低端

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：UCC27200DR

上升时间：8ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：2

下降时间：7ns

工作温度：-40℃~140℃

负载类型：N沟道MOSFET

峰值拉电流：3A

电源电压：8V~17V

峰值灌电流：3A

驱动配置：半桥

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：NCP81071BMNTXG

上升时间：8ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：2

下降时间：8ns

工作温度：-40℃~140℃

负载类型：N沟道MOSFET

峰值拉电流：5A

电源电压：4.5V~20V

峰值灌电流：5A

驱动配置：低端

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：UCC27201AQDMKRQ1

上升时间：8ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：2

下降时间：7ns

工作温度：-40℃~140℃

负载类型：N沟道MOSFET

峰值拉电流：3A

电源电压：8V~17V

峰值灌电流：3A

驱动配置：半桥

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：UCC27524DR

上升时间：7ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：2

下降时间：6ns

工作温度：-40℃~140℃

负载类型：IGBT，N沟道MOSFET

峰值拉电流：5A

电源电压：4.5V~18V

峰值灌电流：5A

驱动配置：低端

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：UCC27525DSDR

上升时间：7ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：2

下降时间：6ns

工作温度：-40℃~140℃

负载类型：IGBT，N沟道MOSFET

峰值拉电流：5A

电源电压：4.5V~18V

峰值灌电流：5A

驱动配置：低端

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：NCP81071BDR2G

上升时间：8ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：2

下降时间：8ns

工作温度：-40℃~140℃

负载类型：N沟道MOSFET

峰值拉电流：5A

电源电压：4.5V~20V

峰值灌电流：5A

驱动配置：低端

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：UCC27525DR

上升时间：7ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：2

下降时间：6ns

工作温度：-40℃~140℃

负载类型：IGBT，N沟道MOSFET

峰值拉电流：5A

电源电压：4.5V~18V

峰值灌电流：5A

驱动配置：低端

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：UCC27200DR

上升时间：8ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：2

下降时间：7ns

工作温度：-40℃~140℃

负载类型：N沟道MOSFET

峰值拉电流：3A

电源电压：8V~17V

峰值灌电流：3A

驱动配置：半桥

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：NCP81071CDR2G

上升时间：8ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：2

下降时间：8ns

工作温度：-40℃~140℃

负载类型：N沟道MOSFET

峰值拉电流：5A

电源电压：4.5V~20V

峰值灌电流：5A

驱动配置：低端

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：NCP81071CMNTXG

上升时间：8ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：2

下降时间：8ns

工作温度：-40℃~140℃

负载类型：N沟道MOSFET

峰值拉电流：5A

电源电压：4.5V~20V

峰值灌电流：5A

驱动配置：低端

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：NCP81071BZR2G

上升时间：8ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：2

下降时间：8ns

工作温度：-40℃~140℃

负载类型：N沟道MOSFET

峰值拉电流：5A

电源电压：4.5V~20V

峰值灌电流：5A

驱动配置：低端

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：UCC27523DR

上升时间：7ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：2

下降时间：6ns

工作温度：-40℃~140℃

负载类型：IGBT，N沟道MOSFET

峰值拉电流：5A

电源电压：4.5V~18V

峰值灌电流：5A

驱动配置：低端

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：UCC27201ADDAR

上升时间：8ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：2

下降时间：7ns

工作温度：-40℃~140℃

负载类型：N沟道MOSFET

峰值拉电流：3A

电源电压：8V~17V

峰值灌电流：3A

驱动配置：半桥

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：UCC27524DR

上升时间：7ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：2

下降时间：6ns

工作温度：-40℃~140℃

负载类型：IGBT，N沟道MOSFET

峰值拉电流：5A

电源电压：4.5V~18V

峰值灌电流：5A

驱动配置：低端

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：50psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：UCC27524P

上升时间：7ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：2

下降时间：6ns

工作温度：-40℃~140℃

负载类型：IGBT，N沟道MOSFET

峰值拉电流：5A

电源电压：4.5V~18V

峰值灌电流：5A

驱动配置：低端

包装方式：管件

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：UCC27201ADR

上升时间：8ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：2

下降时间：7ns

工作温度：-40℃~140℃

负载类型：N沟道MOSFET

峰值拉电流：3A

电源电压：8V~17V

峰值灌电流：3A

驱动配置：半桥

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：NCP81080MNTBG

上升时间：19ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：2

下降时间：17ns

工作温度：-40℃~140℃

负载类型：N沟道MOSFET

峰值拉电流：800mA

电源电压：5.5V~20V

峰值灌电流：500mA

驱动配置：半桥

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

生产批次：{"18+"：332，"20+"：1350}

销售单位：个

规格型号(MPN)：NCP81071CDR2G

上升时间：8ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：2

下降时间：8ns

工作温度：-40℃~140℃

负载类型：N沟道MOSFET

峰值拉电流：5A

电源电压：4.5V~20V

峰值灌电流：5A

驱动配置：低端

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

生产批次：{"23+"：1897}

销售单位：个

规格型号(MPN)：NCP81071AMNTXG

上升时间：8ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：2

下降时间：8ns

工作温度：-40℃~140℃

负载类型：N沟道MOSFET

峰值拉电流：5A

电源电压：4.5V~20V

峰值灌电流：5A

驱动配置：低端

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：NCP81071BZR2G

上升时间：8ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：2

下降时间：8ns

工作温度：-40℃~140℃

负载类型：N沟道MOSFET

峰值拉电流：5A

电源电压：4.5V~20V

峰值灌电流：5A

驱动配置：低端

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：UCC27524AQDRQ1

上升时间：7ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：2

下降时间：6ns

工作温度：-40℃~140℃

负载类型：IGBT，N沟道MOSFET

峰值拉电流：5A

电源电压：4.5V~18V

峰值灌电流：5A

驱动配置：低端

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：75psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：UCC27525D

上升时间：7ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：2

下降时间：6ns

工作温度：-40℃~140℃

负载类型：IGBT，N沟道MOSFET

峰值拉电流：5A

电源电压：4.5V~18V

峰值灌电流：5A

驱动配置：低端

包装方式：管件

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：UCC27201AD

上升时间：8ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：2

下降时间：7ns

工作温度：-40℃~140℃

负载类型：N沟道MOSFET

峰值拉电流：3A

电源电压：8V~17V

峰值灌电流：3A

驱动配置：半桥

包装方式：散装

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：UCC27201DDAR

上升时间：8ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：2

下降时间：7ns

工作温度：-40℃~140℃

负载类型：N沟道MOSFET

峰值拉电流：3A

电源电压：8V~17V

峰值灌电流：3A

驱动配置：半桥

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：UCC27201ADRMR

上升时间：8ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：2

下降时间：7ns

工作温度：-40℃~140℃

负载类型：N沟道MOSFET

峰值拉电流：3A

电源电压：8V~17V

峰值灌电流：3A

驱动配置：半桥

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：250psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：UCC27211DRMT

上升时间：7.2ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：2

下降时间：5.5ns

工作温度：-40℃~140℃

负载类型：N沟道MOSFET

峰值拉电流：4A

电源电压：8V~17V

峰值灌电流：4A

驱动配置：半桥

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：UCC27211ADRMR

上升时间：7.2ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：2

下降时间：5.5ns

工作温度：-40℃~140℃

负载类型：N沟道MOSFET

峰值拉电流：4A

电源电压：8V~17V

峰值灌电流：4A

驱动配置：半桥

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：MP18021HN-LF-Z

上升时间：12ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：2

下降时间：9ns

工作温度：-40℃~140℃

负载类型：N沟道MOSFET

峰值拉电流：2.5A

电源电压：9V~16V

峰值灌电流：2.5A

驱动配置：半桥

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1