销售单位：个

规格型号(MPN)：IVCR1407SR

上升时间：6ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：2

下降时间：6ns

工作温度：-40℃~125℃

负载类型：IGBT，N沟道MOSFET

峰值拉电流：4A

电源电压：4.5V~20V

峰值灌电流：4A

驱动配置：低端

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：IVCR1407SR

上升时间：6ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：2

下降时间：6ns

工作温度：-40℃~125℃

负载类型：IGBT，N沟道MOSFET

峰值拉电流：4A

电源电压：4.5V~20V

峰值灌电流：4A

驱动配置：低端

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：IVCR1407SR

上升时间：6ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：2

下降时间：6ns

工作温度：-40℃~125℃

负载类型：IGBT，N沟道MOSFET

峰值拉电流：4A

电源电压：4.5V~20V

峰值灌电流：4A

驱动配置：低端

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：IVCR1407SR

上升时间：6ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：2

下降时间：6ns

工作温度：-40℃~125℃

负载类型：IGBT，N沟道MOSFET

峰值拉电流：4A

电源电压：4.5V~20V

峰值灌电流：4A

驱动配置：低端

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：IVCR1407SR

上升时间：6ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：2

下降时间：6ns

工作温度：-40℃~125℃

负载类型：IGBT，N沟道MOSFET

峰值拉电流：4A

电源电压：4.5V~20V

峰值灌电流：4A

驱动配置：低端

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：IVCR1407SR

上升时间：6ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：2

下降时间：6ns

工作温度：-40℃~125℃

负载类型：IGBT，N沟道MOSFET

峰值拉电流：4A

电源电压：4.5V~20V

峰值灌电流：4A

驱动配置：低端

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：IVCR1407SR

上升时间：6ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：2

下降时间：6ns

工作温度：-40℃~125℃

负载类型：IGBT，N沟道MOSFET

峰值拉电流：4A

电源电压：4.5V~20V

峰值灌电流：4A

驱动配置：低端

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：IVCR1407SR

上升时间：6ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：2

下降时间：6ns

工作温度：-40℃~125℃

负载类型：IGBT，N沟道MOSFET

峰值拉电流：4A

电源电压：4.5V~20V

峰值灌电流：4A

驱动配置：低端

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：IVCR1407SR

上升时间：6ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：2

下降时间：6ns

工作温度：-40℃~125℃

负载类型：IGBT，N沟道MOSFET

峰值拉电流：4A

电源电压：4.5V~20V

峰值灌电流：4A

驱动配置：低端

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：IVCR1407SR

上升时间：6ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：2

下降时间：6ns

工作温度：-40℃~125℃

负载类型：IGBT，N沟道MOSFET

峰值拉电流：4A

电源电压：4.5V~20V

峰值灌电流：4A

驱动配置：低端

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：IVCR1407SR

上升时间：6ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：2

下降时间：6ns

工作温度：-40℃~125℃

负载类型：IGBT，N沟道MOSFET

峰值拉电流：4A

电源电压：4.5V~20V

峰值灌电流：4A

驱动配置：低端

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：IVCR1407SR

上升时间：6ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：2

下降时间：6ns

工作温度：-40℃~125℃

负载类型：IGBT，N沟道MOSFET

峰值拉电流：4A

电源电压：4.5V~20V

峰值灌电流：4A

驱动配置：低端

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：IVCR1407SR

上升时间：6ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：2

下降时间：6ns

工作温度：-40℃~125℃

负载类型：IGBT，N沟道MOSFET

峰值拉电流：4A

电源电压：4.5V~20V

峰值灌电流：4A

驱动配置：低端

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：IVCR1407SR

峰值灌电流：4A

上升时间：6ns

驱动配置：低端

电源电压：4.5V~20V

ECCN：EAR99

下降时间：6ns

峰值拉电流：4A

包装方式：卷带（TR）

驱动通道数：2

工作温度：-40℃~125℃

负载类型：IGBT，N沟道MOSFET

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：IVCR1407SR

峰值灌电流：4A

上升时间：6ns

驱动配置：低端

电源电压：4.5V~20V

ECCN：EAR99

下降时间：6ns

峰值拉电流：4A

包装方式：卷带（TR）

驱动通道数：2

工作温度：-40℃~125℃

负载类型：IGBT，N沟道MOSFET

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：IVCR1407SR

峰值灌电流：4A

上升时间：6ns

驱动配置：低端

电源电压：4.5V~20V

ECCN：EAR99

下降时间：6ns

峰值拉电流：4A

包装方式：卷带（TR）

驱动通道数：2

工作温度：-40℃~125℃

负载类型：IGBT，N沟道MOSFET

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：IVCR1407SR

峰值灌电流：4A

上升时间：6ns

驱动配置：低端

电源电压：4.5V~20V

ECCN：EAR99

下降时间：6ns

峰值拉电流：4A

包装方式：卷带（TR）

驱动通道数：2

工作温度：-40℃~125℃

负载类型：IGBT，N沟道MOSFET

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：2EDN7533RXTMA1

上升时间：8.6ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：2

下降时间：6ns

工作温度：-40℃~+150℃

负载类型：MOSFET

峰值拉电流：5A

电源电压：4.5V~20V

峰值灌电流：5A

驱动配置：低边

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：NCP81071BMNTXG

上升时间：8ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：2

下降时间：8ns

工作温度：-40℃~140℃

负载类型：N沟道MOSFET

峰值拉电流：5A

电源电压：4.5V~20V

峰值灌电流：5A

驱动配置：低端

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：MIC4123YME-TR

上升时间：11ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：2

下降时间：11ns

工作温度：-40℃~125℃

负载类型：N沟道，P沟道MOSFET

峰值拉电流：3A

电源电压：4.5V~20V

峰值灌电流：3A

驱动配置：低端

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：NCP81071BDR2G

上升时间：8ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：2

下降时间：8ns

工作温度：-40℃~140℃

负载类型：N沟道MOSFET

峰值拉电流：5A

电源电压：4.5V~20V

峰值灌电流：5A

驱动配置：低端

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

生产批次：{"16+"：188060，"21+"：1830，"MI+"：87475}

销售单位：个

规格型号(MPN)：2EDN8523FXTMA1

上升时间：5.3ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：2

下降时间：4.5ns

工作温度：-40℃~150℃

负载类型：N沟道MOSFET

峰值拉电流：5A

电源电压：4.5V~20V

峰值灌电流：5A

驱动配置：低端

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：NCP81071CDR2G

上升时间：8ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：2

下降时间：8ns

工作温度：-40℃~140℃

负载类型：N沟道MOSFET

峰值拉电流：5A

电源电压：4.5V~20V

峰值灌电流：5A

驱动配置：低端

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：NCP81071CMNTXG

上升时间：8ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：2

下降时间：8ns

工作温度：-40℃~140℃

负载类型：N沟道MOSFET

峰值拉电流：5A

电源电压：4.5V~20V

峰值灌电流：5A

驱动配置：低端

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：NCP81071BZR2G

上升时间：8ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：2

下降时间：8ns

工作温度：-40℃~140℃

负载类型：N沟道MOSFET

峰值拉电流：5A

电源电压：4.5V~20V

峰值灌电流：5A

驱动配置：低端

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：MIC4127YML-TR

上升时间：20ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：2

下降时间：18ns

工作温度：-40℃~125℃

负载类型：N沟道MOSFET

峰值拉电流：1.5A

电源电压：4.5V~20V

峰值灌电流：1.5A

驱动配置：低端

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：2EDN7424FXTMA1

上升时间：6.4ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：2

下降时间：5.4ns

工作温度：-40℃~150℃

负载类型：N沟道MOSFET

峰值拉电流：4A

电源电压：4.5V~20V

峰值灌电流：4A

驱动配置：低端

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：2EDN7524RXTMA1

上升时间：5.3ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：2

下降时间：4.5ns

工作温度：-40℃~150℃

负载类型：N沟道MOSFET

峰值拉电流：5A

电源电压：4.5V~20V

峰值灌电流：5A

驱动配置：低端

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：2EDN8524GXTMA1

上升时间：5.3ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：2

下降时间：4.5ns

工作温度：-40℃~150℃

负载类型：N沟道MOSFET

峰值拉电流：5A

电源电压：4.5V~20V

峰值灌电流：5A

驱动配置：低端

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

生产批次：{"18+"：332，"20+"：1350}

销售单位：个

规格型号(MPN)：NCP81071CDR2G

上升时间：8ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：2

下降时间：8ns

工作温度：-40℃~140℃

负载类型：N沟道MOSFET

峰值拉电流：5A

电源电压：4.5V~20V

峰值灌电流：5A

驱动配置：低端

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1