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包装规格(MPQ)：500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：MP86998GMJT-P
上升时间：限流，ESD，超温，UVLO
下降时间：功率 MOSFET
工作温度：-40°C~125°C（TJ）
负载类型：电感
峰值拉电流：125A
电源电压：3V~3.6V
峰值灌电流：80A
特性：自举电路，二极管仿真
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：MP86998GMJT-P
上升时间：限流，ESD，超温，UVLO
下降时间：功率 MOSFET
工作温度：-40°C~125°C（TJ）
负载类型：电感
峰值拉电流：125A
电源电压：3V~3.6V
峰值灌电流：80A
特性：自举电路，二极管仿真
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：MP86920GLV-P
上升时间：限流，ESD，超温，UVLO
ECCN：EAR99
下降时间：功率 MOSFET
工作温度：-40°C~125°C（TJ）
负载类型：电感
峰值拉电流：45A
电源电压：3V~3.6V
峰值灌电流：20A
特性：自举电路，二极管仿真
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：MP86998GMJT-P
上升时间：限流，ESD，超温，UVLO
下降时间：功率 MOSFET
工作温度：-40°C~125°C（TJ）
负载类型：电感
峰值拉电流：125A
电源电压：3V~3.6V
峰值灌电流：80A
特性：自举电路，二极管仿真
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：MP86920GLV-P
上升时间：限流，ESD，超温，UVLO
ECCN：EAR99
下降时间：功率 MOSFET
工作温度：-40°C~125°C（TJ）
负载类型：电感
峰值拉电流：45A
电源电压：3V~3.6V
峰值灌电流：20A
特性：自举电路，二极管仿真
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：MP86920GLV-P
上升时间：限流，ESD，超温，UVLO
ECCN：EAR99
下降时间：功率 MOSFET
工作温度：-40°C~125°C（TJ）
负载类型：电感
峰值拉电流：45A
电源电压：3V~3.6V
峰值灌电流：20A
特性：自举电路，二极管仿真
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Mps
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
包装规格(MPQ)：500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：MP86998GMJT-P
上升时间：限流，ESD，超温，UVLO
下降时间：功率 MOSFET
工作温度：-40°C~125°C（TJ）
负载类型：电感
峰值拉电流：125A
电源电压：3V~3.6V
峰值灌电流：80A
特性：自举电路，二极管仿真
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：MP86920GLV-P
上升时间：限流，ESD，超温，UVLO
ECCN：EAR99
下降时间：功率 MOSFET
工作温度：-40°C~125°C（TJ）
负载类型：电感
峰值拉电流：45A
电源电压：3V~3.6V
峰值灌电流：20A
特性：自举电路，二极管仿真
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：MP86920GLV-P
上升时间：限流，ESD，超温，UVLO
ECCN：EAR99
下降时间：功率 MOSFET
工作温度：-40°C~125°C（TJ）
负载类型：电感
峰值拉电流：45A
电源电压：3V~3.6V
峰值灌电流：20A
特性：自举电路，二极管仿真
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Mps
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
包装规格(MPQ)：500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：MP86998GMJT-P
上升时间：限流，ESD，超温，UVLO
下降时间：功率 MOSFET
工作温度：-40°C~125°C（TJ）
负载类型：电感
峰值拉电流：125A
电源电压：3V~3.6V
峰值灌电流：80A
特性：自举电路，二极管仿真
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Mps
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
包装规格(MPQ)：500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：MP86998GMJT-P
上升时间：限流，ESD，超温，UVLO
下降时间：功率 MOSFET
工作温度：-40°C~125°C（TJ）
负载类型：电感
峰值拉电流：125A
电源电压：3V~3.6V
峰值灌电流：80A
特性：自举电路，二极管仿真
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
生产批次：{"02+"：381}
包装规格(MPQ)：500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TDA21201-P7
上升时间：超温，击穿，UVLO
ECCN：EAR99
下降时间：功率 MOSFET
工作温度：-25°C~125°C（TJ）
负载类型：电感
电源电压：9V~15V
峰值灌电流：30A
特性：自举电路
驱动配置：半桥
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：MP86998GMJT-P
上升时间：限流，ESD，超温，UVLO
下降时间：功率 MOSFET
工作温度：-40°C~125°C（TJ）
负载类型：电感
峰值拉电流：125A
电源电压：3V~3.6V
峰值灌电流：80A
特性：自举电路，二极管仿真
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：MP86920GLV-P
上升时间：限流，ESD，超温，UVLO
ECCN：EAR99
下降时间：功率 MOSFET
工作温度：-40°C~125°C（TJ）
负载类型：电感
峰值拉电流：45A
电源电压：3V~3.6V
峰值灌电流：20A
特性：自举电路，二极管仿真
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Mps
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
包装规格(MPQ)：500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：MP86998GMJT-P
上升时间：限流，ESD，超温，UVLO
下降时间：功率 MOSFET
工作温度：-40°C~125°C（TJ）
负载类型：电感
峰值拉电流：125A
电源电压：3V~3.6V
峰值灌电流：80A
特性：自举电路，二极管仿真
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Mps
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
包装规格(MPQ)：500psc
规格型号(MPN)：MP86998GMJT-P
下降时间：功率 MOSFET
峰值灌电流：80A
上升时间：限流，ESD，超温，UVLO
工作温度：-40°C~125°C（TJ）
峰值拉电流：125A
特性：自举电路，二极管仿真
包装方式：卷带（TR）
驱动配置：半桥
负载类型：电感
电源电压：3V~3.6V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：MP86920GLV-P
上升时间：限流，ESD，超温，UVLO
ECCN：EAR99
下降时间：功率 MOSFET
工作温度：-40°C~125°C（TJ）
负载类型：电感
峰值拉电流：45A
电源电压：3V~3.6V
峰值灌电流：20A
特性：自举电路，二极管仿真
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：MP86920GLV-P
上升时间：限流，ESD，超温，UVLO
下降时间：功率 MOSFET
工作温度：-40°C~125°C（TJ）
负载类型：电感
峰值拉电流：45A
电源电压：3V~3.6V
峰值灌电流：20A
特性：自举电路，二极管仿真
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
