包装规格(MPQ)：60psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：TC4422CPA

上升时间：60ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：1

下降时间：60ns

工作温度：0℃~150℃

负载类型：IGBT，N沟道，P沟道MOSFET

峰值拉电流：9A

电源电压：4.5V~18V

峰值灌电流：9A

驱动配置：低端

包装方式：管件

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：60psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：TC4421EPA

上升时间：60ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：1

下降时间：60ns

工作温度：-40℃~150℃

负载类型：IGBT，N沟道，P沟道MOSFET

峰值拉电流：9A

电源电压：4.5V~18V

峰值灌电流：9A

驱动配置：低端

包装方式：管件

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：60psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：TC4422AVPA

上升时间：38ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：1

下降时间：33ns

工作温度：-40℃~150℃

负载类型：IGBT，N沟道，P沟道MOSFET

峰值拉电流：10A

电源电压：4.5V~18V

峰值灌电流：10A

驱动配置：低端

包装方式：管件

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：60psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：TC4427VPA

上升时间：25ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：2 Driver

下降时间：25ns

工作温度：-40℃~+125℃

负载类型：MOSFET Gate Drivers

电源电压：4.5V~18V

驱动配置：Low-Side

包装方式：Tube

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：60psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：TC4429CPA

上升时间：25ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：1

下降时间：25ns

工作温度：0℃~150℃

负载类型：N沟道，P沟道MOSFET

峰值拉电流：6A

电源电压：4.5V~18V

峰值灌电流：6A

驱动配置：低端

包装方式：管件

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：60psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：TC4424AVPA

上升时间：12ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：2

下降时间：12ns

工作温度：-40℃~150℃

负载类型：N沟道，P沟道MOSFET

峰值拉电流：4.5A

电源电压：4.5V~18V

峰值灌电流：4.5A

驱动配置：低端

包装方式：管件

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：60psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：TC4424EPA

上升时间：23ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：2

下降时间：25ns

工作温度：-40℃~150℃

负载类型：N沟道，P沟道MOSFET

峰值拉电流：3A

电源电压：4.5V~18V

峰值灌电流：3A

驱动配置：低端

包装方式：管件

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：60psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：TC4422CPA

上升时间：60ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：1

下降时间：60ns

工作温度：0℃~150℃

负载类型：IGBT，N沟道，P沟道MOSFET

峰值拉电流：9A

电源电压：4.5V~18V

峰值灌电流：9A

驱动配置：低端

包装方式：管件

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：60psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：TC4429EPA

上升时间：25ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：1

下降时间：25ns

工作温度：-40℃~150℃

负载类型：N沟道，P沟道MOSFET

峰值拉电流：6A

电源电压：4.5V~18V

峰值灌电流：6A

驱动配置：低端

包装方式：管件

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：60psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：TC4427VPA

上升时间：25ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：2 Driver

下降时间：25ns

工作温度：-40℃~+125℃

负载类型：MOSFET Gate Drivers

电源电压：4.5V~18V

驱动配置：Low-Side

包装方式：Tube

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：60psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：TC4429EPA

上升时间：25ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：1

下降时间：25ns

工作温度：-40℃~150℃

负载类型：N沟道，P沟道MOSFET

峰值拉电流：6A

电源电压：4.5V~18V

峰值灌电流：6A

驱动配置：低端

包装方式：管件

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：60psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：TC4425VPA

上升时间：35ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：2 Driver

下降时间：35ns

工作温度：-40℃~+125℃

负载类型：MOSFET Gate Drivers

电源电压：4.5V~18V

驱动配置：Low-Side

包装方式：Tube

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：60psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：TC4424AVMF

上升时间：12ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：2

下降时间：12ns

工作温度：-40℃~150℃

负载类型：N沟道，P沟道MOSFET

峰值拉电流：4.5A

电源电压：4.5V~18V

峰值灌电流：4.5A

驱动配置：低端

包装方式：管件

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：60psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：TC4420EPA

上升时间：25ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：1

下降时间：25ns

工作温度：-40℃~150℃

负载类型：N沟道，P沟道MOSFET

峰值拉电流：6A

电源电压：4.5V~18V

峰值灌电流：6A

驱动配置：低端

包装方式：管件

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：60psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：TC4426AEPA

上升时间：25ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：2

下降时间：25ns

工作温度：-40℃~85℃

负载类型：N沟道，P沟道MOSFET

峰值拉电流：1.5A

电源电压：4.5V~18V

峰值灌电流：1.5A

驱动配置：低端

包装方式：管件

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：60psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：TC4452VMF

上升时间：30ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：1 Driver

下降时间：32ns

工作温度：-40℃~+125℃

负载类型：MOSFET Gate Drivers

电源电压：4.5V~18V

驱动配置：Low-Side

包装方式：Tube

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：60psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：TC4428ACPA

上升时间：25ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：2

下降时间：25ns

工作温度：0℃~70℃

负载类型：N沟道，P沟道MOSFET

峰值拉电流：1.5A

电源电压：4.5V~18V

峰值灌电流：1.5A

驱动配置：低端

包装方式：管件

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：60psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：TC4427EPA

上升时间：19ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：2

下降时间：19ns

工作温度：-40℃~85℃

负载类型：N沟道，P沟道MOSFET

峰值拉电流：1.5A

电源电压：4.5V~18V

峰值灌电流：1.5A

驱动配置：低端

包装方式：管件

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：60psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：TC4452VMF

上升时间：30ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：1 Driver

下降时间：32ns

工作温度：-40℃~+125℃

负载类型：MOSFET Gate Drivers

电源电压：4.5V~18V

驱动配置：Low-Side

包装方式：Tube

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：60psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：TC4428AEPA

上升时间：25ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：2

下降时间：25ns

工作温度：-40℃~85℃

负载类型：N沟道，P沟道MOSFET

峰值拉电流：1.5A

电源电压：4.5V~18V

峰值灌电流：1.5A

驱动配置：低端

包装方式：管件

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：60psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：TC4424EPA

上升时间：23ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：2

下降时间：25ns

工作温度：-40℃~150℃

负载类型：N沟道，P沟道MOSFET

峰值拉电流：3A

电源电压：4.5V~18V

峰值灌电流：3A

驱动配置：低端

包装方式：管件

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：60psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：TC4422AVMF

上升时间：38ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：1

下降时间：33ns

工作温度：-40℃~150℃

负载类型：IGBT，N沟道，P沟道MOSFET

峰值拉电流：10A

电源电压：4.5V~18V

峰值灌电流：10A

驱动配置：低端

包装方式：管件

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：60psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：TC426CPA

上升时间：30ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：2

下降时间：30ns

工作温度：0℃~70℃

负载类型：N沟道，P沟道MOSFET

峰值拉电流：1.5A

电源电压：4.5V~18V

峰值灌电流：1.5A

驱动配置：低端

包装方式：管件

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：60psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：TC4425VPA

上升时间：35ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：2 Driver

下降时间：35ns

工作温度：-40℃~+125℃

负载类型：MOSFET Gate Drivers

电源电压：4.5V~18V

驱动配置：Low-Side

包装方式：Tube

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：60psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：TC427CPA

上升时间：30ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：2

下降时间：30ns

工作温度：0℃~70℃

负载类型：N沟道，P沟道MOSFET

峰值拉电流：1.5A

电源电压：4.5V~18V

峰值灌电流：1.5A

驱动配置：低端

包装方式：管件

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：60psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：TC427CPA

上升时间：30ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：2

下降时间：30ns

工作温度：0℃~70℃

负载类型：N沟道，P沟道MOSFET

峰值拉电流：1.5A

电源电压：4.5V~18V

峰值灌电流：1.5A

驱动配置：低端

包装方式：管件

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：60psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：TC4451VMF

上升时间：30ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：1

下降时间：32ns

工作温度：-40℃~150℃

负载类型：IGBT，N沟道，P沟道MOSFET

峰值拉电流：13A

电源电压：4.5V~18V

峰值灌电流：13A

驱动配置：低端

包装方式：管件

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：60psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：TC4428CPA

上升时间：25ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：2

下降时间：25ns

工作温度：0℃~70℃

负载类型：N沟道，P沟道MOSFET

峰值拉电流：1.5A

电源电压：4.5V~18V

峰值灌电流：1.5A

驱动配置：低端

包装方式：管件

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：60psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：TC4422AVPA

上升时间：38ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：1

下降时间：33ns

工作温度：-40℃~150℃

负载类型：IGBT，N沟道，P沟道MOSFET

峰值拉电流：10A

电源电压：4.5V~18V

峰值灌电流：10A

驱动配置：低端

包装方式：管件

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：60psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：TC4427AVPA

上升时间：25ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：2

下降时间：25ns

工作温度：-40℃~125℃

负载类型：N沟道，P沟道MOSFET

峰值拉电流：1.5A

电源电压：4.5V~18V

峰值灌电流：1.5A

驱动配置：低端

包装方式：管件

包装清单：商品主体 * 1