包装规格(MPQ):40psc
销售单位:个
规格型号(MPN):UC3706DW
上升时间:40ns
驱动通道数:2
下降时间:30ns
工作温度:0℃~70℃
负载类型:N沟道MOSFET
峰值拉电流:1.5A
电源电压:5V~40V
峰值灌电流:1.5A
驱动配置:低端
包装方式:管件
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):40psc
销售单位:个
规格型号(MPN):UCC21530DWK
上升时间:6ns
驱动通道数:2
下降时间:7ns
工作温度:-40℃~130℃
负载类型:IGBT,N沟道,P沟道MOSFET
峰值拉电流:6A
电源电压:3V~18V
峰值灌电流:4A
驱动配置:半桥
包装方式:管件
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:门极驱动器
行业应用:其他
是否隔离:隔离
包装规格(MPQ):40psc
销售单位:个
规格型号(MPN):UCC21530QDWKQ1
上升时间:6ns
ECCN:EAR99
驱动通道数:2
下降时间:7ns
工作温度:-40℃~130℃
负载类型:IGBT,N沟道,P沟道MOSFET
峰值拉电流:6A
电源电压:3V~18V
峰值灌电流:4A
驱动配置:半桥
包装方式:管件
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):40psc
销售单位:个
规格型号(MPN):UCC21530DWK
上升时间:6ns
ECCN:EAR99
驱动通道数:2
下降时间:7ns
工作温度:-40℃~130℃
负载类型:IGBT,N沟道,P沟道MOSFET
峰值拉电流:6A
电源电压:3V~18V
峰值灌电流:4A
驱动配置:半桥
包装方式:管件
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:门极驱动器
行业应用:其他
是否隔离:隔离
包装规格(MPQ):40psc
销售单位:个
规格型号(MPN):UCC21222D
上升时间:5ns
ECCN:EAR99
驱动通道数:2
下降时间:6ns
工作温度:-40℃~125℃
负载类型:IGBT,N沟道MOSFET
峰值拉电流:6A
电源电压:3V~5.5V
峰值灌电流:4A
驱动配置:半桥
包装方式:管件
包装清单:商品主体 * 1
库存:
生产批次:{"03+":200,"10+":6499}
包装规格(MPQ):40psc
销售单位:个
规格型号(MPN):UC3706DW
上升时间:40ns
ECCN:EAR99
驱动通道数:2
下降时间:30ns
工作温度:0℃~70℃
负载类型:N沟道MOSFET
峰值拉电流:1.5A
电源电压:5V~40V
峰值灌电流:1.5A
驱动配置:低端
包装方式:管件
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:门极驱动器
行业应用:其他
是否隔离:隔离
包装规格(MPQ):40psc
销售单位:个
规格型号(MPN):UCC21222D
上升时间:5ns
ECCN:EAR99
驱动通道数:2
下降时间:6ns
工作温度:-40℃~125℃
负载类型:IGBT,N沟道MOSFET
峰值拉电流:6A
电源电压:3V~5.5V
峰值灌电流:4A
驱动配置:半桥
包装方式:管件
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):40psc
销售单位:个
规格型号(MPN):UC3706DW
上升时间:40ns
ECCN:EAR99
驱动通道数:2
下降时间:30ns
工作温度:0℃~70℃
负载类型:N沟道MOSFET
峰值拉电流:1.5A
电源电压:5V~40V
峰值灌电流:1.5A
驱动配置:低端
包装方式:管件
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:门极驱动器
行业应用:其他
是否隔离:隔离
包装规格(MPQ):40psc
销售单位:个
规格型号(MPN):UCC21222D
上升时间:5ns
ECCN:EAR99
驱动通道数:2
下降时间:6ns
工作温度:-40℃~125℃
负载类型:IGBT,N沟道MOSFET
峰值拉电流:6A
电源电压:3V~5.5V
峰值灌电流:4A
驱动配置:半桥
包装方式:管件
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:门极驱动器
行业应用:其他
是否隔离:隔离
包装规格(MPQ):40psc
销售单位:个
规格型号(MPN):UCC21222D
上升时间:5ns
ECCN:EAR99
驱动通道数:2
下降时间:6ns
工作温度:-40℃~125℃
负载类型:IGBT,N沟道MOSFET
峰值拉电流:6A
电源电压:3V~5.5V
峰值灌电流:4A
驱动配置:半桥
包装方式:管件
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):40psc
销售单位:个
规格型号(MPN):UCC21530DWK
上升时间:6ns
ECCN:EAR99
驱动通道数:2
下降时间:7ns
工作温度:-40℃~130℃
负载类型:IGBT,N沟道,P沟道MOSFET
峰值拉电流:6A
电源电压:3V~18V
峰值灌电流:4A
驱动配置:半桥
包装方式:管件
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):40psc
销售单位:个
规格型号(MPN):UCC21530DWK
上升时间:6ns
ECCN:EAR99
驱动通道数:2
下降时间:7ns
工作温度:-40℃~130℃
负载类型:IGBT,N沟道,P沟道MOSFET
峰值拉电流:6A
电源电压:3V~18V
峰值灌电流:4A
驱动配置:半桥
包装方式:管件
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):40psc
销售单位:个
规格型号(MPN):UC2709DW
上升时间:20ns
驱动通道数:2
下降时间:20ns
工作温度:-40℃~85℃
负载类型:N沟道,P沟道MOSFET
峰值拉电流:1.5A
电源电压:5V~40V
峰值灌电流:1.5A
驱动配置:低端
包装方式:管件
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:门极驱动器
行业应用:其他
是否隔离:隔离
包装规格(MPQ):40psc
销售单位:个
规格型号(MPN):UC2708DW
上升时间:25ns
ECCN:EAR99
驱动通道数:2
下降时间:25ns
工作温度:-25℃~85℃
负载类型:N沟道,P沟道MOSFET
峰值拉电流:3A
电源电压:5V~35V
峰值灌电流:3A
驱动配置:低端
包装方式:管件
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):40psc
销售单位:个
规格型号(MPN):UCC21530DWK
上升时间:6ns
ECCN:EAR99
驱动通道数:2
下降时间:7ns
工作温度:-40℃~130℃
负载类型:IGBT,N沟道,P沟道MOSFET
峰值拉电流:6A
电源电压:3V~18V
峰值灌电流:4A
驱动配置:半桥
包装方式:管件
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):40psc
销售单位:个
规格型号(MPN):UCC21530DWK
上升时间:6ns
ECCN:EAR99
驱动通道数:2
下降时间:7ns
工作温度:-40℃~130℃
负载类型:IGBT,N沟道,P沟道MOSFET
峰值拉电流:6A
电源电压:3V~18V
峰值灌电流:4A
驱动配置:半桥
包装方式:管件
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:门极驱动器
行业应用:其他
是否隔离:隔离
包装规格(MPQ):40psc
销售单位:个
规格型号(MPN):UCC21222D
上升时间:5ns
ECCN:EAR99
驱动通道数:2
下降时间:6ns
工作温度:-40℃~125℃
负载类型:IGBT,N沟道MOSFET
峰值拉电流:6A
电源电压:3V~5.5V
峰值灌电流:4A
驱动配置:半桥
包装方式:管件
包装清单:商品主体 * 1
库存:
生产批次:{"05+":496,"07+":160,"11+":40,"13+":80,"15+":995}
包装规格(MPQ):40psc
销售单位:个
规格型号(MPN):UC2707DW
上升时间:40ns
ECCN:EAR99
驱动通道数:2
下降时间:40ns
工作温度:-25℃~85℃
负载类型:N沟道MOSFET
峰值拉电流:1.5A
电源电压:5V~40V
峰值灌电流:1.5A
驱动配置:低端
包装方式:管件
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):40psc
销售单位:个
规格型号(MPN):UC3706DW
上升时间:40ns
ECCN:EAR99
驱动通道数:2
下降时间:30ns
工作温度:0℃~70℃
负载类型:N沟道MOSFET
峰值拉电流:1.5A
电源电压:5V~40V
峰值灌电流:1.5A
驱动配置:低端
包装方式:管件
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:门极驱动器
行业应用:其他
是否隔离:隔离
包装规格(MPQ):40psc
销售单位:个
规格型号(MPN):UCC21530QDWKQ1
上升时间:6ns
驱动通道数:2
下降时间:7ns
工作温度:-40℃~130℃
负载类型:IGBT,N沟道,P沟道MOSFET
峰值拉电流:6A
电源电压:3V~18V
峰值灌电流:4A
驱动配置:半桥
包装方式:管件
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):40psc
销售单位:个
规格型号(MPN):UC3706DW
上升时间:40ns
ECCN:EAR99
驱动通道数:2
下降时间:30ns
工作温度:0℃~70℃
负载类型:N沟道MOSFET
峰值拉电流:1.5A
电源电压:5V~40V
峰值灌电流:1.5A
驱动配置:低端
包装方式:管件
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):40psc
销售单位:个
规格型号(MPN):UCC21530DWK
上升时间:6ns
驱动通道数:2
下降时间:7ns
工作温度:-40℃~130℃
负载类型:IGBT,N沟道,P沟道MOSFET
峰值拉电流:6A
电源电压:3V~18V
峰值灌电流:4A
驱动配置:半桥
包装方式:管件
包装清单:商品主体 * 1
库存:
生产批次:{"05+":496,"07+":160,"11+":40,"13+":80,"15+":995}
包装规格(MPQ):40psc
销售单位:个
规格型号(MPN):UC2707DW
上升时间:40ns
ECCN:EAR99
驱动通道数:2
下降时间:40ns
工作温度:-25℃~85℃
负载类型:N沟道MOSFET
峰值拉电流:1.5A
电源电压:5V~40V
峰值灌电流:1.5A
驱动配置:低端
包装方式:管件
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:门极驱动器
行业应用:其他
是否隔离:隔离
包装规格(MPQ):40psc
销售单位:个
规格型号(MPN):UCC21222D
上升时间:5ns
驱动通道数:2
下降时间:6ns
工作温度:-40℃~125℃
负载类型:IGBT,N沟道MOSFET
峰值拉电流:6A
电源电压:3V~5.5V
峰值灌电流:4A
驱动配置:半桥
包装方式:管件
包装清单:商品主体 * 1
库存:
生产批次:{"03+":200,"10+":6499}
包装规格(MPQ):40psc
销售单位:个
规格型号(MPN):UC3706DW
上升时间:40ns
ECCN:EAR99
驱动通道数:2
下降时间:30ns
工作温度:0℃~70℃
负载类型:N沟道MOSFET
峰值拉电流:1.5A
电源电压:5V~40V
峰值灌电流:1.5A
驱动配置:低端
包装方式:管件
包装清单:商品主体 * 1
库存:
生产批次:{"08+":9135,"13+":440,"15+":80,"MI+":24}
包装规格(MPQ):40psc
销售单位:个
规格型号(MPN):UC2708DW
上升时间:25ns
ECCN:EAR99
驱动通道数:2
下降时间:25ns
工作温度:-25℃~85℃
负载类型:N沟道,P沟道MOSFET
峰值拉电流:3A
电源电压:5V~35V
峰值灌电流:3A
驱动配置:低端
包装方式:管件
包装清单:商品主体 * 1
库存:
生产批次:{"07+":6600,"04+":440}
包装规格(MPQ):40psc
销售单位:个
规格型号(MPN):UC3715DP
上升时间:30ns
ECCN:EAR99
驱动通道数:2
下降时间:25ns
工作温度:0℃~150℃
负载类型:N沟道,P沟道MOSFET
峰值拉电流:2A
电源电压:7V~20V
峰值灌电流:1A
驱动配置:低端
包装方式:管件
包装清单:商品主体 * 1
库存:
生产批次:{"08+":9135,"13+":440,"15+":80,"MI+":24}
包装规格(MPQ):40psc
销售单位:个
规格型号(MPN):UC2708DW
上升时间:25ns
ECCN:EAR99
驱动通道数:2
下降时间:25ns
工作温度:-25℃~85℃
负载类型:N沟道,P沟道MOSFET
峰值拉电流:3A
电源电压:5V~35V
峰值灌电流:3A
驱动配置:低端
包装方式:管件
包装清单:商品主体 * 1
库存:
生产批次:{"07+":6600,"04+":440}
包装规格(MPQ):40psc
销售单位:个
规格型号(MPN):UC3715DP
上升时间:30ns
ECCN:EAR99
驱动通道数:2
下降时间:25ns
工作温度:0℃~150℃
负载类型:N沟道,P沟道MOSFET
峰值拉电流:2A
电源电压:7V~20V
峰值灌电流:1A
驱动配置:低端
包装方式:管件
包装清单:商品主体 * 1
库存: