包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IXDD630CI
上升时间:11ns
驱动通道数:1
下降时间:11ns
工作温度:-55℃~150℃
负载类型:IGBT,N沟道,P沟道MOSFET
峰值拉电流:30A
电源电压:12.5V~35V
峰值灌电流:30A
驱动配置:低端
包装方式:Tube
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IXDD630CI
上升时间:11ns
驱动通道数:1
下降时间:11ns
工作温度:-55℃~150℃
负载类型:IGBT,N沟道,P沟道MOSFET
峰值拉电流:30A
电源电压:12.5V~35V
峰值灌电流:30A
驱动配置:低端
包装方式:Tube
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IXDD630CI
上升时间:11ns
驱动通道数:1
下降时间:11ns
工作温度:-55℃~150℃
负载类型:IGBT,N沟道,P沟道MOSFET
峰值拉电流:30A
电源电压:12.5V~35V
峰值灌电流:30A
驱动配置:低端
包装方式:Tube
包装清单:商品主体 * 1
库存: