包装规格(MPQ)：750psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：UCC5870QDWJRQ1

上升时间：150ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：1

下降时间：150ns

工作温度：-40℃~125℃

负载类型：IGBT，SiCMOSFET

峰值拉电流：15A

电源电压：3V~5.5V

峰值灌电流：15A

驱动配置：低端

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：MGD3160AM335EKR2

上升时间：超温，短路

ECCN：EAR99

下降时间：功率 MOSFET，IGBT

工作温度：-40°C~150°C（TJ）

负载类型：电感，电容性，电阻

峰值拉电流：15A

电源电压：4.5V~40V

峰值灌电流：15A

驱动配置：半桥

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

生产批次：{"19+"：238}

销售单位：个

规格型号(MPN)：IRSM505-055DA

上升时间：UVLO

ECCN：EAR99

下降时间：UMOS

工作温度：-40°C~150°C（TJ）

负载类型：电感

峰值拉电流：15A

电源电压：13.5V~16.5V

峰值灌电流：2.4A

特性：自举电路

驱动配置：半桥（3）

包装方式：管件

包装清单：商品主体 * 1

生产批次：{"19+"：1680}

销售单位：个

规格型号(MPN)：IRSM505-035DA2

上升时间：UVLO

ECCN：EAR99

下降时间：UMOS

工作温度：-40°C~150°C（TJ）

负载类型：电感

峰值拉电流：15A

电源电压：13.5V~16.5V

峰值灌电流：2.1A

特性：自举电路

驱动配置：半桥（3）

包装方式：管件

包装清单：商品主体 * 1

生产批次：{"18+"：1680，"19+"：17040}

销售单位：个

规格型号(MPN)：IRSM505-044DA

上升时间：UVLO

ECCN：EAR99

下降时间：UMOS

工作温度：-40°C~150°C（TJ）

负载类型：电感

峰值拉电流：15A

电源电压：13.5V~16.5V

峰值灌电流：3A

特性：自举电路

驱动配置：半桥（3）

包装方式：管件

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：12psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：2SP0115T2B0-12

上升时间：5ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：2

下降时间：10ns

工作温度：-20℃~85℃

负载类型：IGBT

峰值拉电流：15A

电源电压：14.5V~15.5V

峰值灌电流：8A

驱动配置：半桥

包装方式：托盘

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：MGD3160AM315EKR2

上升时间：超温，短路

ECCN：EAR99

下降时间：IGBT

工作温度：-40°C~125°C（TA）

负载类型：电感

峰值拉电流：15A

电源电压：4.5V~40V

峰值灌电流：15A

驱动配置：半桥

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

生产批次：{"15+"：495}

销售单位：个

规格型号(MPN)：IRSM505-084DA2

上升时间：UVLO

ECCN：EAR99

下降时间：UMOS

工作温度：-40°C~150°C（TJ）

负载类型：电感

峰值拉电流：15A

电源电压：13.5V~16.5V

峰值灌电流：4.6A

特性：自举电路

驱动配置：半桥（3）

包装方式：管件

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：MGD3160AM315EKR2

上升时间：超温，短路

ECCN：EAR99

下降时间：IGBT

工作温度：-40°C~125°C（TA）

负载类型：电感

峰值拉电流：15A

电源电压：4.5V~40V

峰值灌电流：15A

驱动配置：半桥

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

生产批次：{"22+"：500，"23+"：79825，"MI+"：1000}

包装规格(MPQ)：500psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：BTM7710GPAUMA1

上升时间：超温，短路，UVLO

ECCN：EAR99

下降时间：DMOS

工作温度：-40°C~110°C（TJ）

负载类型：电感

峰值拉电流：15A

电源电压：1.8V~42V

特性：状态标志

驱动配置：半桥（2）

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

生产批次：{"19+"：10800，"20+"：960}

销售单位：个

规格型号(MPN)：IRSM515-065PA

上升时间：UVLO

ECCN：EAR99

下降时间：UMOS

工作温度：-40°C~150°C（TJ）

负载类型：电感

峰值拉电流：15A

电源电压：13.5V~16.5V

峰值灌电流：2.6A

特性：自举电路

驱动配置：半桥（3）

包装方式：管件

包装清单：商品主体 * 1

生产批次：{"20+"：5555}

销售单位：个

规格型号(MPN)：IRSM515-055DA2

上升时间：UVLO

ECCN：EAR99

下降时间：UMOS

工作温度：-40°C~150°C（TJ）

负载类型：电感

峰值拉电流：15A

电源电压：13.5V~16.5V

峰值灌电流：2.4A

特性：自举电路

驱动配置：半桥（3）

包装方式：管件

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：12psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：2SP0115T2A0-12

上升时间：5ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：2

下降时间：10ns

工作温度：-20℃~85℃

负载类型：IGBT

峰值拉电流：15A

电源电压：14.5V~15.5V

峰值灌电流：8A

驱动配置：半桥

包装方式：托盘

包装清单：商品主体 * 1

生产批次：{"19+"：5480}

销售单位：个

规格型号(MPN)：IRSM515-035DA

上升时间：UVLO

ECCN：EAR99

下降时间：UMOS

工作温度：-40°C~150°C（TJ）

负载类型：电感

峰值拉电流：15A

电源电压：13.5V~16.5V

峰值灌电流：2.1A

特性：自举电路

驱动配置：半桥（3）

包装方式：管件

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：750psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：UCC5870QDWJRQ1

上升时间：150ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：1

下降时间：150ns

工作温度：-40℃~125℃

负载类型：IGBT，SiCMOSFET

峰值拉电流：15A

电源电压：3V~5.5V

峰值灌电流：15A

驱动配置：低端

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

生产批次：{"20+"：3600，"22+"：16800}

销售单位：个

规格型号(MPN)：IRSM505-065DA2

上升时间：UVLO

ECCN：EAR99

下降时间：UMOS

工作温度：-40°C~150°C（TJ）

负载类型：电感

峰值拉电流：15A

电源电压：13.5V~16.5V

峰值灌电流：2.6A

特性：自举电路

驱动配置：半桥（3）

包装方式：管件

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：MC33GD3100A3EK

驱动通道数：1

工作温度：-40℃~125℃

负载类型：IGBT，N沟道MOSFET

峰值拉电流：15A

电源电压：3.3V

峰值灌电流：15A

驱动配置：半桥

包装方式：管件

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：35psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：2SC0115T2A0-12

上升时间：6ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：2

下降时间：12ns

工作温度：-40℃~105℃

负载类型：IGBT

峰值拉电流：15A

电源电压：14.5V~15.5V

峰值灌电流：15A

驱动配置：高压侧或低压侧

包装方式：托盘

包装清单：商品主体 * 1

生产批次：{"14+"：3840，"19+"：12000}

销售单位：个

规格型号(MPN)：IRSM505-044PA

上升时间：UVLO

ECCN：EAR99

下降时间：UMOS

工作温度：-40°C~150°C（TJ）

负载类型：电感

峰值拉电流：15A

电源电压：13.5V~16.5V

峰值灌电流：3A

特性：自举电路

驱动配置：半桥（3）

包装方式：管件

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：750psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：UCC5870QDWJRQ1

上升时间：150ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：1

下降时间：150ns

工作温度：-40℃~125℃

负载类型：IGBT，SiCMOSFET

峰值拉电流：15A

电源电压：3V~5.5V

峰值灌电流：15A

驱动配置：低端

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：750psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：UCC5870QDWJRQ1

上升时间：150ns

驱动通道数：1

下降时间：150ns

工作温度：-40℃~125℃

负载类型：IGBT，SiCMOSFET

峰值拉电流：15A

电源电压：3V~5.5V

峰值灌电流：15A

驱动配置：低端

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：12psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：2SP0115T2B0-17

上升时间：5ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：2

下降时间：10ns

工作温度：-20℃~85℃

负载类型：IGBT

峰值拉电流：15A

电源电压：14.5V~15.5V

峰值灌电流：8A

驱动配置：半桥

包装方式：托盘

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：MGD3160AM335EKR2

上升时间：超温，短路

ECCN：EAR99

下降时间：功率 MOSFET，IGBT

工作温度：-40°C~150°C（TJ）

负载类型：电感，电容性，电阻

峰值拉电流：15A

电源电压：4.5V~40V

峰值灌电流：15A

驱动配置：半桥

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：35psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：2SC0115T2A0-12

上升时间：6ns

驱动通道数：2

下降时间：12ns

工作温度：-40℃~105℃

负载类型：IGBT

峰值拉电流：15A

电源电压：14.5V~15.5V

峰值灌电流：15A

驱动配置：高压侧或低压侧

包装方式：托盘

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：MGD3160AM315EKR2

上升时间：超温，短路

ECCN：EAR99

下降时间：IGBT

工作温度：-40°C~125°C（TA）

负载类型：电感

峰值拉电流：15A

电源电压：4.5V~40V

峰值灌电流：15A

驱动配置：半桥

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

生产批次：{"19+"：2400，"22+"：6500，"MI+"：46295}

销售单位：个

规格型号(MPN)：IRSM505-065PATR

上升时间：UVLO

ECCN：EAR99

下降时间：UMOS

工作温度：-40°C~150°C（TJ）

负载类型：电感

峰值拉电流：15A

电源电压：13.5V~16.5V

峰值灌电流：2.6A

特性：自举电路

驱动配置：半桥（3）

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

生产批次：{"19+"：2640，"20+"：2880}

包装规格(MPQ)：15psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IRSM515-055DA

上升时间：UVLO

ECCN：EAR99

下降时间：UMOS

工作温度：-40°C~150°C（TJ）

负载类型：电感

峰值拉电流：15A

电源电压：13.5V~16.5V

峰值灌电流：2.4A

特性：自举电路

驱动配置：半桥（3）

包装方式：管件

包装清单：商品主体 * 1

生产批次：{"18+"：1680，"19+"：17040}

销售单位：个

规格型号(MPN)：IRSM505-044DA

上升时间：UVLO

ECCN：EAR99

下降时间：UMOS

工作温度：-40°C~150°C（TJ）

负载类型：电感

峰值拉电流：15A

电源电压：13.5V~16.5V

峰值灌电流：3A

特性：自举电路

驱动配置：半桥（3）

包装方式：管件

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：MGD3160AM335EKT

ECCN：EAR99

驱动通道数：1

工作温度：-40℃~125℃

负载类型：IGBT，SiCMOSFET

峰值拉电流：15A

电源电压：4.5V~40V

峰值灌电流：15A

驱动配置：高端

包装方式：托盘

包装清单：商品主体 * 1

生产批次：{"20+"：3600，"22+"：16800}

销售单位：个

规格型号(MPN)：IRSM505-065DA2

上升时间：UVLO

ECCN：EAR99

下降时间：UMOS

工作温度：-40°C~150°C（TJ）

负载类型：电感

峰值拉电流：15A

电源电压：13.5V~16.5V

峰值灌电流：2.6A

特性：自举电路

驱动配置：半桥（3）

包装方式：管件

包装清单：商品主体 * 1