销售单位：个

规格型号(MPN)：LM5109BQNGTRQ1

上升时间：15ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：2

下降时间：15ns

工作温度：-40℃~125℃

负载类型：N沟道MOSFET

峰值拉电流：1A

电源电压：8V~14V

峰值灌电流：1A

驱动配置：半桥

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：AUIR2085STR

上升时间：40ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：2

下降时间：20ns

工作温度：-40℃~150℃

负载类型：N沟道MOSFET

峰值拉电流：1A

电源电压：10V~15V

峰值灌电流：1A

驱动配置：半桥

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：NCP1392BDR2G

上升时间：40ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：2

下降时间：20ns

工作温度：-40℃~125℃

负载类型：N沟道MOSFET

峰值拉电流：1A

电源电压：8V~20V

峰值灌电流：500mA

驱动配置：半桥

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：LM5109BQNGTTQ1

上升时间：15ns

驱动通道数：2

下降时间：15ns

工作温度：-40℃~125℃

负载类型：N沟道MOSFET

峰值拉电流：1A

电源电压：8V~14V

峰值灌电流：1A

驱动配置：半桥

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：95psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：MIC4605-2YM

上升时间：20ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：2

下降时间：20ns

工作温度：-40℃~125℃

负载类型：N沟道MOSFET

峰值拉电流：1A

电源电压：5.5V~16V

峰值灌电流：1A

驱动配置：半桥

包装方式：管件

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：MPQ6531GV-AEC1-Z

ECCN：EAR99

驱动通道数：6

工作温度：-40℃~125℃

负载类型：N沟道MOSFET

峰值拉电流：1A

电源电压：5V~60V

峰值灌电流：800mA

驱动配置：高端

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：95psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：LM5109BMA/NOPB

上升时间：15ns

驱动通道数：2

下降时间：15ns

工作温度：-40℃~125℃

负载类型：N沟道MOSFET

峰值拉电流：1A

电源电压：8V~14V

峰值灌电流：1A

驱动配置：半桥

包装方式：管件

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：LM25101CMAX/NOPB

上升时间：990ns

驱动通道数：2

下降时间：715ns

工作温度：-40℃~125℃

负载类型：N沟道MOSFET

峰值拉电流：1A

电源电压：9V~14V

峰值灌电流：1A

驱动配置：半桥

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：60psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：TC1411NCPA

上升时间：25ns

驱动通道数：1

下降时间：25ns

工作温度：0℃~150℃

负载类型：N沟道，P沟道MOSFET

峰值拉电流：1A

电源电压：4.5V~16V

峰值灌电流：1A

驱动配置：低端

包装方式：管件

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：500psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：MP6539BGV-P

ECCN：EAR99

驱动通道数：6

工作温度：-40℃~125℃

负载类型：N沟道MOSFET

峰值拉电流：1A

电源电压：8.5V~14V

峰值灌电流：800mA

驱动配置：半桥

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：LM5109BQNGTTQ1

上升时间：15ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：2

下降时间：15ns

工作温度：-40℃~125℃

负载类型：N沟道MOSFET

峰值拉电流：1A

电源电压：8V~14V

峰值灌电流：1A

驱动配置：半桥

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：MIC4606-2YTS-TR

上升时间：20ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：4

下降时间：20ns

工作温度：-40℃~125℃

负载类型：N沟道MOSFET

峰值拉电流：1A

电源电压：5.25V~16V

峰值灌电流：1A

驱动配置：全桥

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：LM5101CMY/NOPB

上升时间：990ns

驱动通道数：2

下降时间：715ns

工作温度：-40℃~125℃

负载类型：N沟道MOSFET

峰值拉电流：1A

电源电压：9V~14V

峰值灌电流：1A

驱动配置：半桥

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：60psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：TC1411NCPA

上升时间：25ns

驱动通道数：1

下降时间：25ns

工作温度：0℃~150℃

负载类型：N沟道，P沟道MOSFET

峰值拉电流：1A

电源电压：4.5V~16V

峰值灌电流：1A

驱动配置：低端

包装方式：管件

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：500psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：MP6539BGV-P

ECCN：EAR99

驱动通道数：6

工作温度：-40℃~125℃

负载类型：N沟道MOSFET

峰值拉电流：1A

电源电压：8.5V~14V

峰值灌电流：800mA

驱动配置：半桥

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：50psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IR2011PBF

上升时间：35ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：2

下降时间：20ns

工作温度：-40℃~150℃

负载类型：N沟道MOSFET

峰值拉电流：1A

电源电压：10V~20V

峰值灌电流：1A

驱动配置：高压侧或低压侧

包装方式：管件

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：UCC27710DR

上升时间：40ns

驱动通道数：2

下降时间：20ns

工作温度：-40℃~125℃

负载类型：IGBT，N沟道，P沟道MOSFET

峰值拉电流：1A

电源电压：10V~20V

峰值灌电流：500mA

驱动配置：半桥

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：LM5109BQNGTRQ1

上升时间：15ns

驱动通道数：2

下降时间：15ns

工作温度：-40℃~125℃

负载类型：N沟道MOSFET

峰值拉电流：1A

电源电压：8V~14V

峰值灌电流：1A

驱动配置：半桥

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：MIC4605-2YMT-TR

上升时间：20ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：2

下降时间：20ns

工作温度：-40℃~125℃

负载类型：N沟道MOSFET

峰值拉电流：1A

电源电压：5.5V~16V

峰值灌电流：1A

驱动配置：半桥

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：TC1411NEOA713

上升时间：25ns

驱动通道数：1

下降时间：25ns

工作温度：-40℃~150℃

负载类型：N沟道，P沟道MOSFET

峰值拉电流：1A

电源电压：4.5V~16V

峰值灌电流：1A

驱动配置：低端

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：TLE9180D21QKXUMA1

ECCN：EAR99

驱动通道数：6

工作温度：-40℃~150℃

负载类型：N沟道MOSFET

峰值拉电流：1A

电源电压：5.5V~60V

峰值灌电流：1A

驱动配置：半桥

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：60psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：TC1411NCPA

上升时间：25ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：1

下降时间：25ns

工作温度：0℃~150℃

负载类型：N沟道，P沟道MOSFET

峰值拉电流：1A

电源电压：4.5V~16V

峰值灌电流：1A

驱动配置：低端

包装方式：管件

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：60psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：TC1411NCPA

上升时间：25ns

驱动通道数：1

下降时间：25ns

工作温度：0℃~150℃

负载类型：N沟道，P沟道MOSFET

峰值拉电流：1A

电源电压：4.5V~16V

峰值灌电流：1A

驱动配置：低端

包装方式：管件

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：TLE9180D21QKXUMA1

ECCN：EAR99

驱动通道数：6

工作温度：-40℃~150℃

负载类型：N沟道MOSFET

峰值拉电流：1A

电源电压：5.5V~60V

峰值灌电流：1A

驱动配置：半桥

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

生产批次：{"15+"：11120，"18+"：32938，"MI+"：12500}

销售单位：个

规格型号(MPN)：TND315S-TL-2H

ECCN：EAR99

下降时间：功率 MOSFET

工作温度：-55°C~150°C（TJ）

负载类型：电感

峰值拉电流：1A

电源电压：4.5V~25V

驱动配置：半桥（2）

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：95psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：MIC4605-1YM

上升时间：20ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：2

下降时间：20ns

工作温度：-40℃~125℃

负载类型：N沟道MOSFET

峰值拉电流：1A

电源电压：5.5V~16V

峰值灌电流：1A

驱动配置：半桥

包装方式：管件

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：LM5100CMAX/NOPB

上升时间：990ns

驱动通道数：2

下降时间：715ns

工作温度：-40℃~125℃

负载类型：N沟道MOSFET

峰值拉电流：1A

电源电压：9V~14V

峰值灌电流：1A

驱动配置：半桥

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：100psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：TC1411NEOA

上升时间：25ns

驱动通道数：1

下降时间：25ns

工作温度：-40℃~150℃

负载类型：N沟道，P沟道MOSFET

峰值拉电流：1A

电源电压：4.5V~16V

峰值灌电流：1A

驱动配置：低端

包装方式：管件

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：LM5109AMAX/NOPB

上升时间：15ns

驱动通道数：2

下降时间：15ns

工作温度：-40℃~125℃

负载类型：N沟道MOSFET

峰值拉电流：1A

电源电压：8V~14V

峰值灌电流：1A

驱动配置：半桥

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：MIC4605-1YM-TR

上升时间：20ns

驱动通道数：2

下降时间：20ns

工作温度：-40℃~125℃

负载类型：N沟道MOSFET

峰值拉电流：1A

电源电压：5.5V~16V

峰值灌电流：1A

驱动配置：半桥

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1