采购热线 400-661-9010
生产批次：{"16+"：42，"19+"：124，"22+"：581}
包装规格(MPQ)：160psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRSM836-084MA
上升时间：UVLO
ECCN：EAR99
下降时间：UMOS
工作温度：-40°C~150°C（TJ）
负载类型：电感
峰值拉电流：27A
电源电压：10V~20V
峰值灌电流：7A
特性：自举电路
驱动配置：半桥（3）
包装方式：托盘
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：NCV5703ADR2G
上升时间：9.2ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：1
下降时间：7.9ns
工作温度：-40℃~125℃
负载类型：IGBT
峰值拉电流：7.2A
电源电压：20V
峰值灌电流：7A
驱动配置：高压侧或低压侧
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：NCV5703ADR2G
上升时间：9.2ns
驱动通道数：1
下降时间：7.9ns
工作温度：-40℃~125℃
负载类型：IGBT
峰值拉电流：7.2A
电源电压：20V
峰值灌电流：7A
驱动配置：高压侧或低压侧
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：NCV5703CDR2G
上升时间：9.2ns
驱动通道数：1
下降时间：7.9ns
工作温度：-40℃~125℃
负载类型：IGBT
峰值拉电流：7.2A
电源电压：20V
峰值灌电流：7A
驱动配置：高压侧或低压侧
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：NCD57084DR2G
上升时间：10ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：1
下降时间：15ns
工作温度：-40℃~+125℃
峰值拉电流：7A
峰值灌电流：7A
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
生产批次：{"21+"：14556}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NCD57084DR2G
上升时间：10ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：1
下降时间：15ns
工作温度：-40℃~+125℃
峰值拉电流：7A
峰值灌电流：7A
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：NCP51560BBDWR2G
上升时间：11ns
驱动通道数：2
下降时间：10ns
工作温度：-40℃~+125℃
峰值拉电流：2.6A
峰值灌电流：7A
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：LMG1020YFFT
上升时间：375ps
ECCN：EAR99
驱动通道数：1
下降时间：350ps
工作温度：-40℃~125℃
负载类型：N沟道，P沟道MOSFET
峰值拉电流：5A
电源电压：4.75V~5.25V
峰值灌电流：7A
驱动配置：低端
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：LMG1025QDEERQ1
ECCN：EAR99
驱动通道数：1
工作温度：-40℃~125℃
负载类型：N沟道，P沟道MOSFET
峰值拉电流：5A
电源电压：4.75V~5.25V
峰值灌电流：7A
驱动配置：低端
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：LMG1025QDEERQ1
驱动通道数：1
工作温度：-40℃~125℃
负载类型：N沟道，P沟道MOSFET
峰值拉电流：5A
电源电压：4.75V~5.25V
峰值灌电流：7A
驱动配置：低端
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：160psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRSM836-084MA
上升时间：UVLO
ECCN：EAR99
下降时间：UMOS
工作温度：-40°C~150°C（TJ）
负载类型：电感
峰值拉电流：27A
电源电压：10V~20V
峰值灌电流：7A
特性：自举电路
驱动配置：半桥（3）
包装方式：托盘
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
生产批次：{"19+"：2500}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NCV5703CDR2G
上升时间：9.2ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：1
下降时间：7.9ns
工作温度：-40℃~125℃
负载类型：IGBT
峰值拉电流：7.2A
电源电压：20V
峰值灌电流：7A
驱动配置：高压侧或低压侧
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：LMG1025QDEETQ1
上升时间：650ps
ECCN：EAR99
驱动通道数：1
下降时间：850ps
工作温度：-40℃~125℃
负载类型：N沟道，P沟道MOSFET
峰值拉电流：5A
电源电压：4.75V~5.25V
峰值灌电流：7A
驱动配置：低端
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：NCP51560BBDWR2G
上升时间：11ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：10ns
工作温度：-40℃~+125℃
峰值拉电流：2.6A
峰值灌电流：7A
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
生产批次：{"18+"：5000，"19+"：5000，"22+"：1150，"23+"：1472}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NCD5703ADR2G
上升时间：9.2ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：1
下降时间：7.9ns
工作温度：-40℃~125℃
负载类型：IGBT
峰值拉电流：7.2A
电源电压：20V
峰值灌电流：7A
驱动配置：高压侧或低压侧
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：LMG1020YFFR
上升时间：375ps
驱动通道数：1
下降时间：350ps
工作温度：-40℃~125℃
负载类型：N沟道，P沟道MOSFET
峰值拉电流：5A
电源电压：4.75V~5.25V
峰值灌电流：7A
驱动配置：低端
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：NCD57084DR2G
上升时间：10ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：1
下降时间：15ns
工作温度：-40℃~+125℃
峰值拉电流：7A
峰值灌电流：7A
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：NCD5703ADR2G
上升时间：9.2ns
驱动通道数：1
下降时间：7.9ns
工作温度：-40℃~125℃
负载类型：IGBT
峰值拉电流：7.2A
电源电压：20V
峰值灌电流：7A
驱动配置：高压侧或低压侧
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：LMG1020YFFR
上升时间：375ps
驱动通道数：1
下降时间：350ps
工作温度：-40℃~125℃
负载类型：N沟道，P沟道MOSFET
峰值拉电流：5A
电源电压：4.75V~5.25V
峰值灌电流：7A
驱动配置：低端
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：NCD57085DR2G
上升时间：10ns
驱动通道数：1
下降时间：15ns
工作温度：-40℃~+125℃
峰值拉电流：7A
峰值灌电流：7A
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
生产批次：{"19+"：2500}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NCV5703CDR2G
上升时间：9.2ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：1
下降时间：7.9ns
工作温度：-40℃~125℃
负载类型：IGBT
峰值拉电流：7.2A
电源电压：20V
峰值灌电流：7A
驱动配置：高压侧或低压侧
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
生产批次：{"18+"：5000，"19+"：5000，"22+"：1150，"23+"：1472}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NCD5703ADR2G
上升时间：9.2ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：1
下降时间：7.9ns
工作温度：-40℃~125℃
负载类型：IGBT
峰值拉电流：7.2A
电源电压：20V
峰值灌电流：7A
驱动配置：高压侧或低压侧
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：LMG1025QDEETQ1
上升时间：650ps
驱动通道数：1
下降时间：850ps
工作温度：-40℃~125℃
负载类型：N沟道，P沟道MOSFET
峰值拉电流：5A
电源电压：4.75V~5.25V
峰值灌电流：7A
驱动配置：低端
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：NCV5703ADR2G
上升时间：9.2ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：1
下降时间：7.9ns
工作温度：-40℃~125℃
负载类型：IGBT
峰值拉电流：7.2A
电源电压：20V
峰值灌电流：7A
驱动配置：高压侧或低压侧
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：LMG1025QDEERQ1
驱动通道数：1
工作温度：-40℃~125℃
负载类型：N沟道，P沟道MOSFET
峰值拉电流：5A
电源电压：4.75V~5.25V
峰值灌电流：7A
驱动配置：低端
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：LMG1025QDEERQ1
驱动通道数：1
工作温度：-40℃~125℃
负载类型：N沟道，P沟道MOSFET
峰值拉电流：5A
电源电压：4.75V~5.25V
峰值灌电流：7A
驱动配置：低端
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：NCV5703ADR2G
上升时间：9.2ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：1
下降时间：7.9ns
工作温度：-40℃~125℃
负载类型：IGBT
峰值拉电流：7.2A
电源电压：20V
峰值灌电流：7A
驱动配置：高压侧或低压侧
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：LMG1025QDEETQ1
上升时间：650ps
ECCN：EAR99
驱动通道数：1
下降时间：850ps
工作温度：-40℃~125℃
负载类型：N沟道，P沟道MOSFET
峰值拉电流：5A
电源电压：4.75V~5.25V
峰值灌电流：7A
驱动配置：低端
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：NCD57085DR2G
上升时间：10ns
驱动通道数：1
下降时间：15ns
工作温度：-40℃~+125℃
峰值拉电流：7A
峰值灌电流：7A
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：NCV5703CDR2G
上升时间：9.2ns
驱动通道数：1
下降时间：7.9ns
工作温度：-40℃~125℃
负载类型：IGBT
峰值拉电流：7.2A
电源电压：20V
峰值灌电流：7A
驱动配置：高压侧或低压侧
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
