生产批次:{"22+":48000}
销售单位:个
规格型号(MPN):NCP302035MNTWG
上升时间:超温,UVLO
ECCN:EAR99
下降时间:MOSFET(金属氧化物)
工作温度:-40°C~125°C(TA)
负载类型:电感,电容性,电阻
峰值拉电流:70A
电源电压:4.5V~5.5V
峰值灌电流:35A
特性:自举电路
驱动配置:半桥
包装方式:卷带(TR)
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:POWER INTEGRATIONS
分类:门极驱动器
行业应用:其他
是否隔离:隔离
包装规格(MPQ):6psc
销售单位:个
规格型号(MPN):1SP0335V2M1-65
上升时间:9ns
ECCN:EAR99
驱动通道数:1
下降时间:30ns
工作温度:-40℃~85℃
负载类型:IGBT
峰值拉电流:35A
电源电压:23.5V~26.5V
峰值灌电流:35A
驱动配置:高压侧或低压侧
包装方式:散装
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:门极驱动器
行业应用:其他
是否隔离:隔离
生产批次:{"21+":1651,"22+":1947}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMF3037
上升时间:击穿,UVLO
ECCN:EAR99
下降时间:UMOS
工作温度:-40°C~150°C(TJ)
负载类型:电感
电源电压:4.5V~5.5V
峰值灌电流:35A
特性:自举电路,二极管仿真
驱动配置:半桥
包装方式:卷带(TR)
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:POWER INTEGRATIONS
分类:门极驱动器
行业应用:其他
是否隔离:隔离
包装规格(MPQ):6psc
销售单位:个
规格型号(MPN):1SP0335D2S1-65
上升时间:9ns
ECCN:EAR99
驱动通道数:1
下降时间:30ns
工作温度:-40℃~85℃
负载类型:IGBT
峰值拉电流:35A
电源电压:23.5V~26.5V
峰值灌电流:35A
驱动配置:高压侧或低压侧
包装方式:散装
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:门极驱动器
行业应用:其他
是否隔离:隔离
生产批次:{"22+":2500,"23+":42500}
销售单位:个
规格型号(MPN):NCP5369NMNTXG
上升时间:超温,击穿,UVLO
ECCN:EAR99
下降时间:功率 MOSFET
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
负载类型:电感
峰值拉电流:50A
电源电压:4.5V~5.5V
峰值灌电流:35A
特性:自举电路,状态标志
驱动配置:半桥
包装方式:卷带(TR)
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:门极驱动器
行业应用:其他
是否隔离:隔离
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMF3037
上升时间:击穿,UVLO
ECCN:EAR99
下降时间:UMOS
工作温度:-40°C~150°C(TJ)
负载类型:电感
电源电压:4.5V~5.5V
峰值灌电流:35A
特性:自举电路,二极管仿真
驱动配置:半桥
包装方式:卷带(TR)
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:POWER INTEGRATIONS
分类:门极驱动器
行业应用:其他
是否隔离:隔离
销售单位:个
规格型号(MPN):2SC0635T2A1-45
上升时间:20ns
驱动通道数:2
下降时间:25ns
工作温度:-40℃~85℃
负载类型:IGBT
峰值拉电流:35A
电源电压:14.5V~15.5V
峰值灌电流:35A
驱动配置:高压侧或低压侧
包装方式:散装
包装清单:商品主体 * 1
库存:
生产批次:{"10+":147000,"13+":2770,"14+":6900,"16+":6000,"9999":2000,"MI+":18000}
包装规格(MPQ):138psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMF6704A
上升时间:击穿,UVLO
ECCN:EAR99
下降时间:DrMOS
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
负载类型:电感
峰值拉电流:80A
电源电压:4.5V~5.5V
峰值灌电流:35A
特性:自举电路
驱动配置:半桥
包装方式:散装
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:门极驱动器
行业应用:其他
是否隔离:隔离
生产批次:{"18+":3000,"19+":5850}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMF6704
上升时间:击穿,UVLO
ECCN:EAR99
下降时间:DrMOS
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
负载类型:电感
峰值拉电流:80A
电源电压:4.5V~5.5V
峰值灌电流:35A
特性:自举电路
驱动配置:半桥
包装方式:卷带(TR)
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:POWER INTEGRATIONS
分类:门极驱动器
行业应用:其他
是否隔离:隔离
包装规格(MPQ):24psc
销售单位:个
规格型号(MPN):2SC0435T2F1-17
上升时间:20ns
ECCN:EAR99
驱动通道数:2
下降时间:20ns
工作温度:-40℃~85℃
负载类型:IGBT
峰值拉电流:35A
电源电压:14.5V~15.5V
峰值灌电流:35A
驱动配置:高压侧或低压侧
包装方式:托盘
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:POWER INTEGRATIONS
分类:门极驱动器
行业应用:其他
是否隔离:隔离
包装规格(MPQ):6psc
销售单位:个
规格型号(MPN):1SP0635V2M1-12
上升时间:9ns
ECCN:EAR99
驱动通道数:1
下降时间:30ns
工作温度:-40℃~85℃
负载类型:IGBT
峰值拉电流:35A
电源电压:14.5V~15.5V
峰值灌电流:35A
驱动配置:高压侧或低压侧
包装方式:散装
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:门极驱动器
行业应用:其他
是否隔离:隔离
生产批次:{"14+":1918}
销售单位:个
规格型号(MPN):NCP5369NMNTXG
上升时间:超温,击穿,UVLO
ECCN:EAR99
下降时间:功率 MOSFET
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
负载类型:电感
峰值拉电流:50A
电源电压:4.5V~5.5V
峰值灌电流:35A
特性:自举电路,状态标志
驱动配置:半桥
包装方式:卷带(TR)
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:门极驱动器
行业应用:其他
是否隔离:隔离
生产批次:{"19+":26480,"20+":6000}
销售单位:个
规格型号(MPN):NCP302035MNTWG
上升时间:超温,UVLO
ECCN:EAR99
下降时间:MOSFET(金属氧化物)
工作温度:-40°C~125°C(TA)
负载类型:电感,电容性,电阻
峰值拉电流:70A
电源电压:4.5V~5.5V
峰值灌电流:35A
特性:自举电路
驱动配置:半桥
包装方式:卷带(TR)
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:门极驱动器
行业应用:其他
是否隔离:隔离
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMF6704
上升时间:击穿,UVLO
ECCN:EAR99
下降时间:DrMOS
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
负载类型:电感
峰值拉电流:80A
电源电压:4.5V~5.5V
峰值灌电流:35A
特性:自举电路
驱动配置:半桥
包装方式:卷带(TR)
包装清单:商品主体 * 1
库存:
生产批次:{"13+":2172,"15+":45900,"MI+":10000}
销售单位:个
规格型号(MPN):NCP81081MNR2G
上升时间:超温,UVLO
ECCN:EAR99
下降时间:功率 MOSFET
工作温度:0°C~150°C(TJ)
负载类型:电感
峰值拉电流:50A
电源电压:4.5V~5.5V
峰值灌电流:35A
特性:自举电路,状态标志
驱动配置:半桥
包装方式:卷带(TR)
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:POWER INTEGRATIONS
分类:门极驱动器
行业应用:其他
是否隔离:隔离
销售单位:个
规格型号(MPN):2SC0535T2G0-33
上升时间:20ns
ECCN:EAR99
驱动通道数:2
下降时间:25ns
工作温度:-55℃~85℃
负载类型:IGBT
峰值拉电流:35A
电源电压:14.5V~15.5V
峰值灌电流:35A
驱动配置:高压侧或低压侧
包装方式:盒
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:POWER INTEGRATIONS
分类:门极驱动器
行业应用:其他
是否隔离:隔离
包装规格(MPQ):24psc
销售单位:个
规格型号(MPN):2SC0435T2H0-17
上升时间:20ns
ECCN:EAR99
驱动通道数:2
下降时间:20ns
工作温度:-40℃~85℃
负载类型:IGBT,N沟道,P沟道MOSFET
峰值拉电流:35A
电源电压:14.5V~15.5V
峰值灌电流:35A
驱动配置:高压侧或低压侧
包装方式:托盘
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:门极驱动器
行业应用:其他
是否隔离:隔离
销售单位:个
规格型号(MPN):NCP302035MNTWG
上升时间:超温,UVLO
ECCN:EAR99
下降时间:MOSFET(金属氧化物)
工作温度:-40°C~125°C(TA)
负载类型:电感,电容性,电阻
峰值拉电流:70A
电源电压:4.5V~5.5V
峰值灌电流:35A
特性:自举电路
驱动配置:半桥
包装方式:卷带(TR)
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:POWER INTEGRATIONS
分类:门极驱动器
行业应用:其他
是否隔离:隔离
包装规格(MPQ):24psc
销售单位:个
规格型号(MPN):2SC0435T2H0-17
上升时间:20ns
ECCN:EAR99
驱动通道数:2
下降时间:20ns
工作温度:-40℃~85℃
负载类型:IGBT,N沟道,P沟道MOSFET
峰值拉电流:35A
电源电压:14.5V~15.5V
峰值灌电流:35A
驱动配置:高压侧或低压侧
包装方式:托盘
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:门极驱动器
行业应用:其他
是否隔离:隔离
销售单位:个
规格型号(MPN):NCP302035MNTWG
上升时间:超温,UVLO
ECCN:EAR99
下降时间:MOSFET(金属氧化物)
工作温度:-40°C~125°C(TA)
负载类型:电感,电容性,电阻
峰值拉电流:70A
电源电压:4.5V~5.5V
峰值灌电流:35A
特性:自举电路
驱动配置:半桥
包装方式:卷带(TR)
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:门极驱动器
行业应用:其他
是否隔离:隔离
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMF3037
上升时间:击穿,UVLO
ECCN:EAR99
下降时间:UMOS
工作温度:-40°C~150°C(TJ)
负载类型:电感
电源电压:4.5V~5.5V
峰值灌电流:35A
特性:自举电路,二极管仿真
驱动配置:半桥
包装方式:卷带(TR)
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:POWER INTEGRATIONS
分类:门极驱动器
行业应用:其他
是否隔离:隔离
包装规格(MPQ):6psc
销售单位:个
规格型号(MPN):1SP0335D2S1-65
上升时间:9ns
ECCN:EAR99
驱动通道数:1
下降时间:30ns
工作温度:-40℃~85℃
负载类型:IGBT
峰值拉电流:35A
电源电压:23.5V~26.5V
峰值灌电流:35A
驱动配置:高压侧或低压侧
包装方式:散装
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:门极驱动器
行业应用:其他
是否隔离:隔离
生产批次:{"18+":3000,"19+":5850}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMF6704
上升时间:击穿,UVLO
ECCN:EAR99
下降时间:DrMOS
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
负载类型:电感
峰值拉电流:80A
电源电压:4.5V~5.5V
峰值灌电流:35A
特性:自举电路
驱动配置:半桥
包装方式:卷带(TR)
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:门极驱动器
行业应用:其他
是否隔离:隔离
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMF3037
上升时间:击穿,UVLO
ECCN:EAR99
下降时间:UMOS
工作温度:-40°C~150°C(TJ)
负载类型:电感
电源电压:4.5V~5.5V
峰值灌电流:35A
特性:自举电路,二极管仿真
驱动配置:半桥
包装方式:卷带(TR)
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:门极驱动器
行业应用:其他
是否隔离:隔离
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMF3037
上升时间:击穿,UVLO
ECCN:EAR99
下降时间:UMOS
工作温度:-40°C~150°C(TJ)
负载类型:电感
电源电压:4.5V~5.5V
峰值灌电流:35A
特性:自举电路,二极管仿真
驱动配置:半桥
包装方式:卷带(TR)
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:门极驱动器
行业应用:其他
是否隔离:隔离
生产批次:{"14+":1918}
销售单位:个
规格型号(MPN):NCP5369NMNTXG
上升时间:超温,击穿,UVLO
ECCN:EAR99
下降时间:功率 MOSFET
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
负载类型:电感
峰值拉电流:50A
电源电压:4.5V~5.5V
峰值灌电流:35A
特性:自举电路,状态标志
驱动配置:半桥
包装方式:卷带(TR)
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:门极驱动器
行业应用:其他
是否隔离:隔离
生产批次:{"24+":12000}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMF3037
上升时间:击穿,UVLO
ECCN:EAR99
下降时间:UMOS
工作温度:-40°C~150°C(TJ)
负载类型:电感
电源电压:4.5V~5.5V
峰值灌电流:35A
特性:自举电路,二极管仿真
驱动配置:半桥
包装方式:卷带(TR)
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:门极驱动器
行业应用:其他
是否隔离:隔离
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMF3037
上升时间:击穿,UVLO
ECCN:EAR99
下降时间:UMOS
工作温度:-40°C~150°C(TJ)
负载类型:电感
电源电压:4.5V~5.5V
峰值灌电流:35A
特性:自举电路,二极管仿真
驱动配置:半桥
包装方式:卷带(TR)
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:门极驱动器
行业应用:其他
是否隔离:隔离
生产批次:{"19+":26480,"20+":6000}
销售单位:个
规格型号(MPN):NCP302035MNTWG
上升时间:超温,UVLO
ECCN:EAR99
下降时间:MOSFET(金属氧化物)
工作温度:-40°C~125°C(TA)
负载类型:电感,电容性,电阻
峰值拉电流:70A
电源电压:4.5V~5.5V
峰值灌电流:35A
特性:自举电路
驱动配置:半桥
包装方式:卷带(TR)
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:门极驱动器
行业应用:其他
是否隔离:隔离
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMF6704
上升时间:击穿,UVLO
ECCN:EAR99
下降时间:DrMOS
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
负载类型:电感
峰值拉电流:80A
电源电压:4.5V~5.5V
峰值灌电流:35A
特性:自举电路
驱动配置:半桥
包装方式:卷带(TR)
包装清单:商品主体 * 1
库存: