销售单位：个

规格型号(MPN)：IVCR1407SR

上升时间：6ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：2

下降时间：6ns

工作温度：-40℃~125℃

负载类型：IGBT，N沟道MOSFET

峰值拉电流：4A

电源电压：4.5V~20V

峰值灌电流：4A

驱动配置：低端

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：IVCR1407SR

上升时间：6ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：2

下降时间：6ns

工作温度：-40℃~125℃

负载类型：IGBT，N沟道MOSFET

峰值拉电流：4A

电源电压：4.5V~20V

峰值灌电流：4A

驱动配置：低端

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：IVCR1407SR

上升时间：6ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：2

下降时间：6ns

工作温度：-40℃~125℃

负载类型：IGBT，N沟道MOSFET

峰值拉电流：4A

电源电压：4.5V~20V

峰值灌电流：4A

驱动配置：低端

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：IVCR1407SR

上升时间：6ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：2

下降时间：6ns

工作温度：-40℃~125℃

负载类型：IGBT，N沟道MOSFET

峰值拉电流：4A

电源电压：4.5V~20V

峰值灌电流：4A

驱动配置：低端

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：IVCR1407SR

上升时间：6ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：2

下降时间：6ns

工作温度：-40℃~125℃

负载类型：IGBT，N沟道MOSFET

峰值拉电流：4A

电源电压：4.5V~20V

峰值灌电流：4A

驱动配置：低端

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：IVCR1407SR

上升时间：6ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：2

下降时间：6ns

工作温度：-40℃~125℃

负载类型：IGBT，N沟道MOSFET

峰值拉电流：4A

电源电压：4.5V~20V

峰值灌电流：4A

驱动配置：低端

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：RT7020GS

上升时间：70ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：2

下降时间：35ns

工作温度：-40℃~125℃

负载类型：IGBT，N沟道MOSFET

峰值拉电流：600mA

电源电压：10V~20V

峰值灌电流：300mA

驱动配置：半桥

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：IVCR1407SR

上升时间：6ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：2

下降时间：6ns

工作温度：-40℃~125℃

负载类型：IGBT，N沟道MOSFET

峰值拉电流：4A

电源电压：4.5V~20V

峰值灌电流：4A

驱动配置：低端

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：RT7020GS

上升时间：70ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：2

下降时间：35ns

工作温度：-40℃~125℃

负载类型：IGBT，N沟道MOSFET

峰值拉电流：600mA

电源电压：10V~20V

峰值灌电流：300mA

驱动配置：半桥

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：IVCR1407SR

上升时间：6ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：2

下降时间：6ns

工作温度：-40℃~125℃

负载类型：IGBT，N沟道MOSFET

峰值拉电流：4A

电源电压：4.5V~20V

峰值灌电流：4A

驱动配置：低端

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：RT7020GS

上升时间：70ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：2

下降时间：35ns

工作温度：-40℃~125℃

负载类型：IGBT，N沟道MOSFET

峰值拉电流：600mA

电源电压：10V~20V

峰值灌电流：300mA

驱动配置：半桥

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：IVCR1407SR

上升时间：6ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：2

下降时间：6ns

工作温度：-40℃~125℃

负载类型：IGBT，N沟道MOSFET

峰值拉电流：4A

电源电压：4.5V~20V

峰值灌电流：4A

驱动配置：低端

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：RT7020GS

上升时间：70ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：2

下降时间：35ns

工作温度：-40℃~125℃

负载类型：IGBT，N沟道MOSFET

峰值拉电流：600mA

电源电压：10V~20V

峰值灌电流：300mA

驱动配置：半桥

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：IVCR1407SR

上升时间：6ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：2

下降时间：6ns

工作温度：-40℃~125℃

负载类型：IGBT，N沟道MOSFET

峰值拉电流：4A

电源电压：4.5V~20V

峰值灌电流：4A

驱动配置：低端

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：IVCR1407SR

上升时间：6ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：2

下降时间：6ns

工作温度：-40℃~125℃

负载类型：IGBT，N沟道MOSFET

峰值拉电流：4A

电源电压：4.5V~20V

峰值灌电流：4A

驱动配置：低端

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：IVCR1407SR

上升时间：6ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：2

下降时间：6ns

工作温度：-40℃~125℃

负载类型：IGBT，N沟道MOSFET

峰值拉电流：4A

电源电压：4.5V~20V

峰值灌电流：4A

驱动配置：低端

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：IVCR1407SR

上升时间：6ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：2

下降时间：6ns

工作温度：-40℃~125℃

负载类型：IGBT，N沟道MOSFET

峰值拉电流：4A

电源电压：4.5V~20V

峰值灌电流：4A

驱动配置：低端

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：RT7020GS

上升时间：70ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：2

下降时间：35ns

工作温度：-40℃~125℃

负载类型：IGBT，N沟道MOSFET

峰值拉电流：600mA

电源电压：10V~20V

峰值灌电流：300mA

驱动配置：半桥

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：RT7020GS

上升时间：70ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：2

下降时间：35ns

工作温度：-40℃~125℃

负载类型：IGBT，N沟道MOSFET

峰值拉电流：600mA

电源电压：10V~20V

峰值灌电流：300mA

驱动配置：半桥

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：RT7020GS

上升时间：70ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：2

下降时间：35ns

工作温度：-40℃~125℃

负载类型：IGBT，N沟道MOSFET

峰值拉电流：600mA

电源电压：10V~20V

峰值灌电流：300mA

驱动配置：半桥

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：IVCR1407SR

峰值灌电流：4A

上升时间：6ns

驱动配置：低端

电源电压：4.5V~20V

ECCN：EAR99

下降时间：6ns

峰值拉电流：4A

包装方式：卷带（TR）

驱动通道数：2

工作温度：-40℃~125℃

负载类型：IGBT，N沟道MOSFET

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：IVCR1407SR

峰值灌电流：4A

上升时间：6ns

驱动配置：低端

电源电压：4.5V~20V

ECCN：EAR99

下降时间：6ns

峰值拉电流：4A

包装方式：卷带（TR）

驱动通道数：2

工作温度：-40℃~125℃

负载类型：IGBT，N沟道MOSFET

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：RT7020GS

峰值灌电流：300mA

峰值拉电流：600mA

电源电压：10V~20V

ECCN：EAR99

下降时间：35ns

包装方式：卷带（TR）

驱动配置：半桥

上升时间：70ns

驱动通道数：2

工作温度：-40℃~125℃

负载类型：IGBT，N沟道MOSFET

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：IVCR1407SR

峰值灌电流：4A

上升时间：6ns

驱动配置：低端

电源电压：4.5V~20V

ECCN：EAR99

下降时间：6ns

峰值拉电流：4A

包装方式：卷带（TR）

驱动通道数：2

工作温度：-40℃~125℃

负载类型：IGBT，N沟道MOSFET

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：RT7020GS

峰值灌电流：300mA

峰值拉电流：600mA

电源电压：10V~20V

ECCN：EAR99

下降时间：35ns

包装方式：卷带（TR）

驱动配置：半桥

上升时间：70ns

驱动通道数：2

工作温度：-40℃~125℃

负载类型：IGBT，N沟道MOSFET

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：IVCR1407SR

峰值灌电流：4A

上升时间：6ns

驱动配置：低端

电源电压：4.5V~20V

ECCN：EAR99

下降时间：6ns

峰值拉电流：4A

包装方式：卷带（TR）

驱动通道数：2

工作温度：-40℃~125℃

负载类型：IGBT，N沟道MOSFET

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：DGD2101MS8-13

上升时间：70ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：2

下降时间：35ns

工作温度：-40℃~125℃

负载类型：IGBT，N沟道MOSFET

峰值拉电流：600mA

电源电压：10V~20V

峰值灌电流：290mA

驱动配置：高压侧或低压侧

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：2ED21064S06JXUMA1

上升时间：100ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：2

下降时间：35ns

工作温度：-40℃~125℃

负载类型：IGBT，N沟道MOSFET

电源电压：10V~20V

驱动配置：高压侧和低压侧

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：FAN7191MX-F085

上升时间：25ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：2

下降时间：25ns

工作温度：-40℃~125℃

负载类型：IGBT，N沟道MOSFET

峰值拉电流：4.5A

电源电压：10V~22V

峰值灌电流：4.5A

驱动配置：半桥

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：UCC27714DR

上升时间：15ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：2

下降时间：15ns

工作温度：-40℃~125℃

负载类型：IGBT，N沟道MOSFET

峰值拉电流：4A

电源电压：10V~18V

峰值灌电流：4A

驱动配置：半桥

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1