采购热线 400-661-9010
品牌：ON SEMI
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：NCV51705MNTWG
上升时间：8ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：1
下降时间：8ns
工作温度：-40℃~125℃
负载类型：SiCMOSFET
峰值拉电流：6A
电源电压：10V~22V
峰值灌电流：6A
驱动配置：低端
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：NCP51705MNTXG
上升时间：8ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：1
下降时间：8ns
工作温度：-40℃~125℃
负载类型：SiCMOSFET
峰值拉电流：6A
电源电压：10V~22V
峰值灌电流：6A
驱动配置：低端
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：ISL6208BIRZ-T
上升时间：8ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：8ns
工作温度：-40℃~125℃
负载类型：N沟道MOSFET
峰值拉电流：2A
电源电压：4.5V~5.5V
峰值灌电流：2A
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：BD2320UEFJ-LAE2
上升时间：8ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：6ns
工作温度：-40℃~125℃
负载类型：N沟道MOSFET
峰值拉电流：4.5A
电源电压：7.5V~14.5V
峰值灌电流：3.5A
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：BD2320UEFJ-LAE2
上升时间：8ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：6ns
工作温度：-40℃~125℃
负载类型：N沟道MOSFET
峰值拉电流：4.5A
电源电压：7.5V~14.5V
峰值灌电流：3.5A
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：BD2320EFJ-LAE2
上升时间：8ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：6ns
工作温度：-40℃~125℃
负载类型：N沟道MOSFET
峰值拉电流：4.5A
电源电压：7.5V~14.5V
峰值灌电流：3.5A
驱动配置：高压侧和低压侧
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：NCV51705MNTWG
上升时间：8ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：1
下降时间：8ns
工作温度：-40℃~125℃
负载类型：SiCMOSFET
峰值拉电流：6A
电源电压：10V~22V
峰值灌电流：6A
驱动配置：低端
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：ISL6208BIRZ-T
上升时间：8ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：8ns
工作温度：-40℃~125℃
负载类型：N沟道MOSFET
峰值拉电流：2A
电源电压：4.5V~5.5V
峰值灌电流：2A
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：UP1966E
上升时间：8ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：4ns
工作温度：-40℃~125℃
负载类型：增强模式GaNFET
峰值拉电流：12.5A
电源电压：4.5V~5.5V
峰值灌电流：7.1A
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：NCP51705MNTXG
上升时间：8ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：1
下降时间：8ns
工作温度：-40℃~125℃
负载类型：SiCMOSFET
峰值拉电流：6A
电源电压：10V~22V
峰值灌电流：6A
驱动配置：低端
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：NCP51705MNTXG
上升时间：8ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：1
下降时间：8ns
工作温度：-40℃~125℃
负载类型：SiCMOSFET
峰值拉电流：6A
电源电压：10V~22V
峰值灌电流：6A
驱动配置：低端
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：BD2320EFJ-LAE2
上升时间：8ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：6ns
工作温度：-40℃~125℃
负载类型：N沟道MOSFET
峰值拉电流：4.5A
电源电压：7.5V~14.5V
峰值灌电流：3.5A
驱动配置：高压侧和低压侧
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：BD2320EFJ-LAE2
上升时间：8ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：6ns
工作温度：-40℃~125℃
负载类型：N沟道MOSFET
峰值拉电流：4.5A
电源电压：7.5V~14.5V
峰值灌电流：3.5A
驱动配置：高压侧和低压侧
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：BD2320UEFJ-LAE2
上升时间：8ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：6ns
工作温度：-40℃~125℃
负载类型：N沟道MOSFET
峰值拉电流：4.5A
电源电压：7.5V~14.5V
峰值灌电流：3.5A
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：HIP2103FRTAAZ
上升时间：8ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：2ns
工作温度：-40℃~125℃
负载类型：N沟道MOSFET
峰值拉电流：1A
电源电压：4.5V~14V
峰值灌电流：1A
驱动配置：半桥
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：BD2320UEFJ-LAE2
上升时间：8ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：6ns
工作温度：-40℃~125℃
负载类型：N沟道MOSFET
峰值拉电流：4.5A
电源电压：7.5V~14.5V
峰值灌电流：3.5A
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：BD2320UEFJ-LAE2
上升时间：8ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：6ns
工作温度：-40℃~125℃
负载类型：N沟道MOSFET
峰值拉电流：4.5A
电源电压：7.5V~14.5V
峰值灌电流：3.5A
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：BD2320UEFJ-LAE2
上升时间：8ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：6ns
工作温度：-40℃~125℃
负载类型：N沟道MOSFET
峰值拉电流：4.5A
电源电压：7.5V~14.5V
峰值灌电流：3.5A
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：HIP2103FRTAAZ
上升时间：8ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：2ns
工作温度：-40℃~125℃
负载类型：N沟道MOSFET
峰值拉电流：1A
电源电压：4.5V~14V
峰值灌电流：1A
驱动配置：半桥
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：NCV51705MNTWG
上升时间：8ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：1
下降时间：8ns
工作温度：-40℃~125℃
负载类型：SiCMOSFET
峰值拉电流：6A
电源电压：10V~22V
峰值灌电流：6A
驱动配置：低端
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：HIP2103FRTAAZ
上升时间：8ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：2ns
工作温度：-40℃~125℃
负载类型：N沟道MOSFET
峰值拉电流：1A
电源电压：4.5V~14V
峰值灌电流：1A
驱动配置：半桥
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：BD2320UEFJ-LAE2
上升时间：8ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：6ns
工作温度：-40℃~125℃
负载类型：N沟道MOSFET
峰值拉电流：4.5A
电源电压：7.5V~14.5V
峰值灌电流：3.5A
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：BD2320EFJ-LAE2
上升时间：8ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：6ns
工作温度：-40℃~125℃
负载类型：N沟道MOSFET
峰值拉电流：4.5A
电源电压：7.5V~14.5V
峰值灌电流：3.5A
驱动配置：高压侧和低压侧
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：ISL6208BIRZ-T
上升时间：8ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：8ns
工作温度：-40℃~125℃
负载类型：N沟道MOSFET
峰值拉电流：2A
电源电压：4.5V~5.5V
峰值灌电流：2A
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：BD2320UEFJ-LAE2
上升时间：8ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：6ns
工作温度：-40℃~125℃
负载类型：N沟道MOSFET
峰值拉电流：4.5A
电源电压：7.5V~14.5V
峰值灌电流：3.5A
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：BD2320EFJ-LAE2
上升时间：8ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：6ns
工作温度：-40℃~125℃
负载类型：N沟道MOSFET
峰值拉电流：4.5A
电源电压：7.5V~14.5V
峰值灌电流：3.5A
驱动配置：高压侧和低压侧
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：ISL6596IRZ
上升时间：8ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：8ns
工作温度：-40℃~125℃
负载类型：N沟道MOSFET
峰值拉电流：4A
电源电压：4.5V~5.5V
驱动配置：半桥
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：UP1966E
上升时间：8ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：4ns
工作温度：-40℃~125℃
负载类型：增强模式GaNFET
峰值拉电流：12.5A
电源电压：4.5V~5.5V
峰值灌电流：7.1A
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：ISL6596IRZ
上升时间：8ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：8ns
工作温度：-40℃~125℃
负载类型：N沟道MOSFET
峰值拉电流：4A
电源电压：4.5V~5.5V
驱动配置：半桥
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：NCV51705MNTWG
上升时间：8ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：1
下降时间：8ns
工作温度：-40℃~125℃
负载类型：SiCMOSFET
峰值拉电流：6A
电源电压：10V~22V
峰值灌电流：6A
驱动配置：低端
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
