销售单位：个

规格型号(MPN)：NCV5104DR2G

上升时间：85ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：2

下降时间：35ns

工作温度：-40℃~125℃

负载类型：IGBT，N沟道MOSFET

峰值拉电流：500mA

电源电压：10V~20V

峰值灌电流：250mA

驱动配置：半桥

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：NCP5104DR2G

上升时间：85ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：2

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工作温度：-40℃~125℃

负载类型：IGBT，N沟道MOSFET

峰值拉电流：500mA

电源电压：10V~20V

峰值灌电流：250mA

驱动配置：半桥

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：NCP5111DR2G

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ECCN：EAR99

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负载类型：IGBT，N沟道MOSFET

峰值拉电流：500mA

电源电压：10V~20V

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驱动配置：半桥

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销售单位：个

规格型号(MPN)：NCP5104DR2G

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ECCN：EAR99

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负载类型：IGBT，N沟道MOSFET

峰值拉电流：500mA

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驱动配置：半桥

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销售单位：个

规格型号(MPN)：NCP5106BDR2G

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峰值拉电流：500mA

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规格型号(MPN)：NCP5304DR2G

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驱动配置：半桥

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销售单位：个

规格型号(MPN)：NCV5104DR2G

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销售单位：个

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驱动配置：高端

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销售单位：个

规格型号(MPN)：NCP5304DR2G

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销售单位：个

规格型号(MPN)：IRS20752LTRPBF

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规格型号(MPN)：NCP5304DR2G

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销售单位：个

规格型号(MPN)：NCV5104DR2G

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销售单位：个

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ECCN：EAR99

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销售单位：个

规格型号(MPN)：NCV5106ADR2G

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ECCN：EAR99

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销售单位：个

规格型号(MPN)：NCP5109ADR2G

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ECCN：EAR99

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销售单位：个

规格型号(MPN)：NCP5109BDR2G

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ECCN：EAR99

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负载类型：IGBT，N沟道MOSFET

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销售单位：个

规格型号(MPN)：IRS20752LTRPBF

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ECCN：EAR99

驱动通道数：1

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负载类型：N沟道MOSFET

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销售单位：个

规格型号(MPN)：NCP5109BDR2G

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ECCN：EAR99

驱动通道数：2

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负载类型：IGBT，N沟道MOSFET

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规格型号(MPN)：NCP5104PG

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ECCN：EAR99

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负载类型：IGBT，N沟道MOSFET

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销售单位：个

规格型号(MPN)：IRS20752LTRPBF

上升时间：85ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：1

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工作温度：-40℃~125℃

负载类型：N沟道MOSFET

峰值拉电流：240mA

电源电压：10V~18V

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驱动配置：高端

包装方式：卷带（TR）

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销售单位：个

规格型号(MPN)：NCP5304DR2G

上升时间：85ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：2

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工作温度：-40℃~125℃

负载类型：IGBT，N沟道MOSFET

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生产批次：{"07+"：3302，"9999"：342}

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销售单位：个

规格型号(MPN)：NCP5304PG

上升时间：85ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：2

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负载类型：IGBT，N沟道MOSFET

峰值拉电流：500mA

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驱动配置：半桥

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销售单位：个

规格型号(MPN)：NCP5111DR2G

上升时间：85ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：2

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工作温度：-40℃~125℃

负载类型：IGBT，N沟道MOSFET

峰值拉电流：500mA

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ECCN：EAR99

驱动通道数：1

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工作温度：-40℃~125℃

负载类型：N沟道MOSFET

峰值拉电流：240mA

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驱动配置：高端

包装方式：卷带（TR）

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销售单位：个

规格型号(MPN)：IRS10752LTRPBF

上升时间：85ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：1

下降时间：40ns

工作温度：-40℃~125℃

负载类型：N沟道MOSFET

峰值拉电流：240mA

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生产批次：{"07+"：2063，"22+"：11495，"MI+"：2500}

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销售单位：个

规格型号(MPN)：NCP5109BDR2G

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ECCN：EAR99

驱动通道数：2

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工作温度：-40℃~125℃

负载类型：IGBT，N沟道MOSFET

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驱动配置：半桥

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销售单位：个

规格型号(MPN)：NCP5106ADR2G

上升时间：85ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：2

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工作温度：-40℃~125℃

负载类型：IGBT，N沟道MOSFET

峰值拉电流：500mA

电源电压：10V~20V

峰值灌电流：250mA

驱动配置：半桥

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1