品牌:TI
分类:门极驱动器
行业应用:其他
是否隔离:隔离
销售单位:个
规格型号(MPN):UCC27282QDRCRQ1
上升时间:12ns
ECCN:EAR99
驱动通道数:2
下降时间:10ns
工作温度:-40℃~125℃
负载类型:N沟道MOSFET
峰值拉电流:3.5A
电源电压:5.5V~16V
峰值灌电流:2.5A
驱动配置:半桥
包装方式:卷带(TR)
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:门极驱动器
行业应用:其他
是否隔离:隔离
销售单位:个
规格型号(MPN):MIC44F20YML-TR
上升时间:10ns
ECCN:EAR99
驱动通道数:1
下降时间:10ns
工作温度:-40℃~125℃
负载类型:N沟道MOSFET
峰值拉电流:6A
电源电压:4.5V~13.2V
峰值灌电流:6A
驱动配置:低端
包装方式:卷带(TR)
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:门极驱动器
行业应用:其他
是否隔离:隔离
销售单位:个
规格型号(MPN):UCC27712QDRQ1
上升时间:16ns
ECCN:EAR99
驱动通道数:2
下降时间:10ns
工作温度:-40℃~125℃
负载类型:IGBT,N沟道,P沟道MOSFET
峰值拉电流:2.8A
电源电压:10V~20V
峰值灌电流:1.8A
驱动配置:半桥
包装方式:卷带(TR)
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):EL7202CSZ-T7
上升时间:7.5ns
ECCN:EAR99
驱动通道数:2
下降时间:10ns
工作温度:-40℃~125℃
负载类型:N沟道,P沟道MOSFET
峰值拉电流:2A
电源电压:4.5V~15V
峰值灌电流:2A
驱动配置:低端
包装方式:卷带(TR)
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:门极驱动器
行业应用:其他
是否隔离:隔离
销售单位:个
规格型号(MPN):UCC27282QDDARQ1
上升时间:12ns
ECCN:EAR99
驱动通道数:2
下降时间:10ns
工作温度:-40℃~125℃
负载类型:N沟道MOSFET
峰值拉电流:3.5A
电源电压:5.5V~16V
峰值灌电流:2.5A
驱动配置:半桥
包装方式:卷带(TR)
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:门极驱动器
行业应用:其他
是否隔离:隔离
生产批次:{"22+":2147}
销售单位:个
规格型号(MPN):ISL6615IRZ
上升时间:13ns
ECCN:EAR99
驱动通道数:2
下降时间:10ns
工作温度:-40℃~125℃
负载类型:N沟道MOSFET
峰值拉电流:4A
电源电压:6.8V~13.2V
峰值灌电流:2.5A
驱动配置:半桥
包装方式:管件
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:门极驱动器
行业应用:其他
是否隔离:隔离
销售单位:个
规格型号(MPN):6ED2742S01QXTMA1
上升时间:20ns
ECCN:EAR99
驱动通道数:6
下降时间:10ns
工作温度:-40℃~125℃
负载类型:N沟道MOSFET
峰值拉电流:2A
电源电压:6V~140V
峰值灌电流:1A
驱动配置:半桥
包装方式:卷带(TR)
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):EL7222CSZ-T7
上升时间:7.5ns
ECCN:EAR99
驱动通道数:2
下降时间:10ns
工作温度:-40℃~125℃
负载类型:N沟道,P沟道MOSFET
峰值拉电流:2A
电源电压:4.5V~15V
峰值灌电流:2A
驱动配置:低端
包装方式:卷带(TR)
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:门极驱动器
行业应用:其他
是否隔离:隔离
销售单位:个
规格型号(MPN):EL7212CSZ-T7
上升时间:7.5ns
ECCN:EAR99
驱动通道数:2
下降时间:10ns
工作温度:-40℃~125℃
负载类型:N沟道,P沟道MOSFET
峰值拉电流:2A
电源电压:4.5V~15V
峰值灌电流:2A
驱动配置:低端
包装方式:卷带(TR)
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:门极驱动器
行业应用:其他
是否隔离:隔离
销售单位:个
规格型号(MPN):MIC44F19YMME-TR
上升时间:10ns
ECCN:EAR99
驱动通道数:1
下降时间:10ns
工作温度:-40℃~125℃
负载类型:P沟道MOSFET
峰值拉电流:6A
电源电压:4.5V~13.2V
峰值灌电流:6A
驱动配置:低端
包装方式:卷带(TR)
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:门极驱动器
行业应用:其他
是否隔离:隔离
销售单位:个
规格型号(MPN):TPS28225TDRQ1
上升时间:10ns
ECCN:EAR99
驱动通道数:2
下降时间:10ns
工作温度:-40℃~125℃
负载类型:N沟道MOSFET
峰值拉电流:2A
电源电压:4.5V~8.8V
峰值灌电流:2A
驱动配置:半桥
包装方式:卷带(TR)
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):776psc
销售单位:个
规格型号(MPN):EL7242CSZ
上升时间:10ns
ECCN:EAR99
驱动通道数:2
下降时间:10ns
工作温度:-40℃~125℃
负载类型:N沟道,P沟道MOSFET
峰值拉电流:2A
电源电压:4.5V~16V
峰值灌电流:2A
驱动配置:低端
包装方式:管件
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):EL7202CSZ-T7
上升时间:7.5ns
ECCN:EAR99
驱动通道数:2
下降时间:10ns
工作温度:-40℃~125℃
负载类型:N沟道,P沟道MOSFET
峰值拉电流:2A
电源电压:4.5V~15V
峰值灌电流:2A
驱动配置:低端
包装方式:卷带(TR)
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:门极驱动器
行业应用:其他
是否隔离:隔离
包装规格(MPQ):970psc
销售单位:个
规格型号(MPN):EL7212CSZ
上升时间:7.5ns
ECCN:EAR99
驱动通道数:2
下降时间:10ns
工作温度:-40℃~125℃
负载类型:N沟道,P沟道MOSFET
峰值拉电流:2A
电源电压:4.5V~15V
峰值灌电流:2A
驱动配置:低端
包装方式:管件
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):75psc
销售单位:个
规格型号(MPN):UCC27712D
上升时间:16ns
ECCN:EAR99
驱动通道数:2
下降时间:10ns
工作温度:-40℃~125℃
负载类型:IGBT,N沟道,P沟道MOSFET
峰值拉电流:2.8A
电源电压:10V~20V
峰值灌电流:1.8A
驱动配置:半桥
包装方式:管件
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):EL7242CSZ-T7
上升时间:10ns
ECCN:EAR99
驱动通道数:2
下降时间:10ns
工作温度:-40℃~125℃
负载类型:N沟道,P沟道MOSFET
峰值拉电流:2A
电源电压:4.5V~16V
峰值灌电流:2A
驱动配置:低端
包装方式:卷带(TR)
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:门极驱动器
行业应用:其他
是否隔离:隔离
销售单位:个
规格型号(MPN):UCC27282QDRCRQ1
上升时间:12ns
ECCN:EAR99
驱动通道数:2
下降时间:10ns
工作温度:-40℃~125℃
负载类型:N沟道MOSFET
峰值拉电流:3.5A
电源电压:5.5V~16V
峰值灌电流:2.5A
驱动配置:半桥
包装方式:卷带(TR)
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:门极驱动器
行业应用:其他
是否隔离:隔离
生产批次:{"19+":4900}
包装规格(MPQ):100psc
销售单位:个
规格型号(MPN):ISL6615AIRZ
上升时间:13ns
ECCN:EAR99
驱动通道数:2
下降时间:10ns
工作温度:-40℃~125℃
负载类型:N沟道MOSFET
峰值拉电流:4A
电源电压:6.8V~13.2V
峰值灌电流:2.5A
驱动配置:半桥
包装方式:管件
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:门极驱动器
行业应用:其他
是否隔离:隔离
销售单位:个
规格型号(MPN):UCC27282QDRQ1
上升时间:12ns
ECCN:EAR99
驱动通道数:2
下降时间:10ns
工作温度:-40℃~125℃
负载类型:N沟道MOSFET
峰值拉电流:3.5A
电源电压:5.5V~16V
峰值灌电流:2.5A
驱动配置:半桥
包装方式:卷带(TR)
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:门极驱动器
行业应用:其他
是否隔离:隔离
销售单位:个
规格型号(MPN):UCC27712QDRQ1
上升时间:16ns
ECCN:EAR99
驱动通道数:2
下降时间:10ns
工作温度:-40℃~125℃
负载类型:IGBT,N沟道,P沟道MOSFET
峰值拉电流:2.8A
电源电压:10V~20V
峰值灌电流:1.8A
驱动配置:半桥
包装方式:卷带(TR)
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:门极驱动器
行业应用:其他
是否隔离:隔离
销售单位:个
规格型号(MPN):TPS28225TDRBRQ1
上升时间:10ns
ECCN:EAR99
驱动通道数:2
下降时间:10ns
工作温度:-40℃~125℃
负载类型:N沟道MOSFET
峰值拉电流:2A
电源电压:4.5V~8.8V
峰值灌电流:2A
驱动配置:半桥
包装方式:卷带(TR)
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:门极驱动器
行业应用:其他
是否隔离:隔离
销售单位:个
规格型号(MPN):MIC44F20YML-TR
上升时间:10ns
ECCN:EAR99
驱动通道数:1
下降时间:10ns
工作温度:-40℃~125℃
负载类型:N沟道MOSFET
峰值拉电流:6A
电源电压:4.5V~13.2V
峰值灌电流:6A
驱动配置:低端
包装方式:卷带(TR)
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:门极驱动器
行业应用:其他
是否隔离:隔离
销售单位:个
规格型号(MPN):EL7212CSZ-T7
上升时间:7.5ns
ECCN:EAR99
驱动通道数:2
下降时间:10ns
工作温度:-40℃~125℃
负载类型:N沟道,P沟道MOSFET
峰值拉电流:2A
电源电压:4.5V~15V
峰值灌电流:2A
驱动配置:低端
包装方式:卷带(TR)
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:门极驱动器
行业应用:其他
是否隔离:隔离
销售单位:个
规格型号(MPN):TPS28225TDRBRQ1
上升时间:10ns
ECCN:EAR99
驱动通道数:2
下降时间:10ns
工作温度:-40℃~125℃
负载类型:N沟道MOSFET
峰值拉电流:2A
电源电压:4.5V~8.8V
峰值灌电流:2A
驱动配置:半桥
包装方式:卷带(TR)
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:门极驱动器
行业应用:其他
是否隔离:隔离
包装规格(MPQ):250psc
销售单位:个
规格型号(MPN):UCC27282QDRCTQ1
上升时间:12ns
ECCN:EAR99
驱动通道数:2
下降时间:10ns
工作温度:-40℃~125℃
负载类型:N沟道MOSFET
峰值拉电流:3.5A
电源电压:5.5V~16V
峰值灌电流:2.5A
驱动配置:半桥
包装方式:卷带(TR)
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):EL7104CSZ-T7
上升时间:7.5ns
ECCN:EAR99
驱动通道数:1
下降时间:10ns
工作温度:-40℃~125℃
负载类型:N沟道,P沟道MOSFET
峰值拉电流:4A
电源电压:4.5V~16V
峰值灌电流:4A
驱动配置:低端
包装方式:卷带(TR)
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:门极驱动器
行业应用:其他
是否隔离:隔离
生产批次:{"22+":2147}
销售单位:个
规格型号(MPN):ISL6615IRZ
上升时间:13ns
ECCN:EAR99
驱动通道数:2
下降时间:10ns
工作温度:-40℃~125℃
负载类型:N沟道MOSFET
峰值拉电流:4A
电源电压:6.8V~13.2V
峰值灌电流:2.5A
驱动配置:半桥
包装方式:管件
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):LM5106MMX/NOPB
上升时间:15ns
ECCN:EAR99
驱动通道数:2
下降时间:10ns
工作温度:-40℃~125℃
负载类型:N沟道MOSFET
峰值拉电流:1.8A
电源电压:8V~14V
峰值灌电流:1.2A
驱动配置:半桥
包装方式:卷带(TR)
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):970psc
销售单位:个
规格型号(MPN):EL7222CSZ
上升时间:7.5ns
ECCN:EAR99
驱动通道数:2
下降时间:10ns
工作温度:-40℃~125℃
负载类型:N沟道,P沟道MOSFET
峰值拉电流:2A
电源电压:4.5V~15V
峰值灌电流:2A
驱动配置:低端
包装方式:管件
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:门极驱动器
行业应用:其他
是否隔离:隔离
包装规格(MPQ):75psc
销售单位:个
规格型号(MPN):UCC27282D
上升时间:12ns
ECCN:EAR99
驱动通道数:2
下降时间:10ns
工作温度:-40℃~125℃
负载类型:N沟道MOSFET
峰值拉电流:3.5A
电源电压:5.5V~16V
峰值灌电流:2.5A
驱动配置:半桥
包装方式:管件
包装清单:商品主体 * 1
库存: