销售单位：个

规格型号(MPN)：IVCR1407SR

上升时间：6ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：2

下降时间：6ns

工作温度：-40℃~125℃

负载类型：IGBT，N沟道MOSFET

峰值拉电流：4A

电源电压：4.5V~20V

峰值灌电流：4A

驱动配置：低端

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：IVCR1407SR

上升时间：6ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：2

下降时间：6ns

工作温度：-40℃~125℃

负载类型：IGBT，N沟道MOSFET

峰值拉电流：4A

电源电压：4.5V~20V

峰值灌电流：4A

驱动配置：低端

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：IVCR1407SR

上升时间：6ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：2

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工作温度：-40℃~125℃

负载类型：IGBT，N沟道MOSFET

峰值拉电流：4A

电源电压：4.5V~20V

峰值灌电流：4A

驱动配置：低端

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：IVCR1407SR

上升时间：6ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：2

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工作温度：-40℃~125℃

负载类型：IGBT，N沟道MOSFET

峰值拉电流：4A

电源电压：4.5V~20V

峰值灌电流：4A

驱动配置：低端

包装方式：卷带（TR）

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销售单位：个

规格型号(MPN)：IVCR1407SR

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ECCN：EAR99

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工作温度：-40℃~125℃

负载类型：IGBT，N沟道MOSFET

峰值拉电流：4A

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驱动配置：低端

包装方式：卷带（TR）

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销售单位：个

规格型号(MPN)：IVCR1407SR

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ECCN：EAR99

驱动通道数：2

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工作温度：-40℃~125℃

负载类型：IGBT，N沟道MOSFET

峰值拉电流：4A

电源电压：4.5V~20V

峰值灌电流：4A

驱动配置：低端

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：IVCR1407SR

上升时间：6ns

ECCN：EAR99

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工作温度：-40℃~125℃

负载类型：IGBT，N沟道MOSFET

峰值拉电流：4A

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峰值灌电流：4A

驱动配置：低端

包装方式：卷带（TR）

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销售单位：个

规格型号(MPN)：IVCR1407SR

上升时间：6ns

ECCN：EAR99

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工作温度：-40℃~125℃

负载类型：IGBT，N沟道MOSFET

峰值拉电流：4A

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峰值灌电流：4A

驱动配置：低端

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：IVCR1407SR

上升时间：6ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：2

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工作温度：-40℃~125℃

负载类型：IGBT，N沟道MOSFET

峰值拉电流：4A

电源电压：4.5V~20V

峰值灌电流：4A

驱动配置：低端

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：IVCR1407SR

上升时间：6ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：2

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工作温度：-40℃~125℃

负载类型：IGBT，N沟道MOSFET

峰值拉电流：4A

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峰值灌电流：4A

驱动配置：低端

包装方式：卷带（TR）

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销售单位：个

规格型号(MPN)：IVCR1407SR

上升时间：6ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：2

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工作温度：-40℃~125℃

负载类型：IGBT，N沟道MOSFET

峰值拉电流：4A

电源电压：4.5V~20V

峰值灌电流：4A

驱动配置：低端

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：IVCR1407SR

上升时间：6ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：2

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工作温度：-40℃~125℃

负载类型：IGBT，N沟道MOSFET

峰值拉电流：4A

电源电压：4.5V~20V

峰值灌电流：4A

驱动配置：低端

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：IVCR1407SR

上升时间：6ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：2

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工作温度：-40℃~125℃

负载类型：IGBT，N沟道MOSFET

峰值拉电流：4A

电源电压：4.5V~20V

峰值灌电流：4A

驱动配置：低端

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：IVCR1407SR

峰值灌电流：4A

上升时间：6ns

驱动配置：低端

电源电压：4.5V~20V

ECCN：EAR99

下降时间：6ns

峰值拉电流：4A

包装方式：卷带（TR）

驱动通道数：2

工作温度：-40℃~125℃

负载类型：IGBT，N沟道MOSFET

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：IVCR1407SR

峰值灌电流：4A

上升时间：6ns

驱动配置：低端

电源电压：4.5V~20V

ECCN：EAR99

下降时间：6ns

峰值拉电流：4A

包装方式：卷带（TR）

驱动通道数：2

工作温度：-40℃~125℃

负载类型：IGBT，N沟道MOSFET

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：IVCR1407SR

峰值灌电流：4A

上升时间：6ns

驱动配置：低端

电源电压：4.5V~20V

ECCN：EAR99

下降时间：6ns

峰值拉电流：4A

包装方式：卷带（TR）

驱动通道数：2

工作温度：-40℃~125℃

负载类型：IGBT，N沟道MOSFET

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：IVCR1407SR

峰值灌电流：4A

上升时间：6ns

驱动配置：低端

电源电压：4.5V~20V

ECCN：EAR99

下降时间：6ns

峰值拉电流：4A

包装方式：卷带（TR）

驱动通道数：2

工作温度：-40℃~125℃

负载类型：IGBT，N沟道MOSFET

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：BD2320UEFJ-LAE2

上升时间：8ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：2

下降时间：6ns

工作温度：-40℃~125℃

负载类型：N沟道MOSFET

峰值拉电流：4.5A

电源电压：7.5V~14.5V

峰值灌电流：3.5A

驱动配置：半桥

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：40psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：UCC21222D

上升时间：5ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：2

下降时间：6ns

工作温度：-40℃~125℃

负载类型：IGBT，N沟道MOSFET

峰值拉电流：6A

电源电压：3V~5.5V

峰值灌电流：4A

驱动配置：半桥

包装方式：管件

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：BD2320UEFJ-LAE2

上升时间：8ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：2

下降时间：6ns

工作温度：-40℃~125℃

负载类型：N沟道MOSFET

峰值拉电流：4.5A

电源电压：7.5V~14.5V

峰值灌电流：3.5A

驱动配置：半桥

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

生产批次：{"21+"：1288，"22+"：7593}

销售单位：个

规格型号(MPN)：NCP302150MNTWG

上升时间：12ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：2

下降时间：6ns

工作温度：-40℃~125℃

负载类型：N沟道MOSFET

峰值拉电流：2.5A

电源电压：4.5V~5.5V

峰值灌电流：2A

驱动配置：高压侧或低压侧

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：BD2320EFJ-LAE2

上升时间：8ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：2

下降时间：6ns

工作温度：-40℃~125℃

负载类型：N沟道MOSFET

峰值拉电流：4.5A

电源电压：7.5V~14.5V

峰值灌电流：3.5A

驱动配置：高压侧和低压侧

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：40psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：UCC21222D

上升时间：5ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：2

下降时间：6ns

工作温度：-40℃~125℃

负载类型：IGBT，N沟道MOSFET

峰值拉电流：6A

电源电压：3V~5.5V

峰值灌电流：4A

驱动配置：半桥

包装方式：管件

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：NCP302155AMNTWG

上升时间：12ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：2

下降时间：6ns

工作温度：-40℃~125℃

负载类型：N沟道MOSFET

峰值拉电流：2.5A

电源电压：4.5V~5.5V

峰值灌电流：2A

驱动配置：高压侧和低压侧

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：40psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：UCC21222D

上升时间：5ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：2

下降时间：6ns

工作温度：-40℃~125℃

负载类型：IGBT，N沟道MOSFET

峰值拉电流：6A

电源电压：3V~5.5V

峰值灌电流：4A

驱动配置：半桥

包装方式：管件

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：40psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：UCC21222D

上升时间：5ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：2

下降时间：6ns

工作温度：-40℃~125℃

负载类型：IGBT，N沟道MOSFET

峰值拉电流：6A

电源电压：3V~5.5V

峰值灌电流：4A

驱动配置：半桥

包装方式：管件

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：NCP302155MNTWG

上升时间：12ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：2

下降时间：6ns

工作温度：-40℃~125℃

负载类型：N沟道MOSFET

峰值拉电流：2.5A

电源电压：4.5V~5.5V

峰值灌电流：2A

驱动配置：高压侧或低压侧

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：NCP302155MNTWG

上升时间：12ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：2

下降时间：6ns

工作温度：-40℃~125℃

负载类型：N沟道MOSFET

峰值拉电流：2.5A

电源电压：4.5V~5.5V

峰值灌电流：2A

驱动配置：高压侧或低压侧

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

生产批次：{"21+"：1288，"22+"：7593}

销售单位：个

规格型号(MPN)：NCP302150MNTWG

上升时间：12ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：2

下降时间：6ns

工作温度：-40℃~125℃

负载类型：N沟道MOSFET

峰值拉电流：2.5A

电源电压：4.5V~5.5V

峰值灌电流：2A

驱动配置：高压侧或低压侧

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：NCP302155MNTWG

上升时间：12ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：2

下降时间：6ns

工作温度：-40℃~125℃

负载类型：N沟道MOSFET

峰值拉电流：2.5A

电源电压：4.5V~5.5V

峰值灌电流：2A

驱动配置：高压侧或低压侧

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1