采购热线 400-661-9010
销售单位：个
规格型号(MPN)：FAN8811TMPX
上升时间：6ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：4ns
工作温度：-40℃~125℃
负载类型：N沟道MOSFET
峰值拉电流：6A
电源电压：8V~16V
峰值灌电流：3A
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：FAN8811TMPX
上升时间：6ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：4ns
工作温度：-40℃~125℃
负载类型：N沟道MOSFET
峰值拉电流：6A
电源电压：8V~16V
峰值灌电流：3A
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：FAN8811TMPX
上升时间：6ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：4ns
工作温度：-40℃~125℃
负载类型：N沟道MOSFET
峰值拉电流：6A
电源电压：8V~16V
峰值灌电流：3A
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：UP1966E
上升时间：8ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：4ns
工作温度：-40℃~125℃
负载类型：增强模式GaNFET
峰值拉电流：12.5A
电源电压：4.5V~5.5V
峰值灌电流：7.1A
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：FAN8811TMPX
上升时间：6ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：4ns
工作温度：-40℃~125℃
负载类型：N沟道MOSFET
峰值拉电流：6A
电源电压：8V~16V
峰值灌电流：3A
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：FAN8811TMPX
上升时间：6ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：4ns
工作温度：-40℃~125℃
负载类型：N沟道MOSFET
峰值拉电流：6A
电源电压：8V~16V
峰值灌电流：3A
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：UP1966E
上升时间：8ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：4ns
工作温度：-40℃~125℃
负载类型：增强模式GaNFET
峰值拉电流：12.5A
电源电压：4.5V~5.5V
峰值灌电流：7.1A
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
生产批次：{"20+"：4504，"21+"：4000，"22+"：2500}
销售单位：个
规格型号(MPN)：EL7154CSZ-T7
上升时间：4ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：4ns
工作温度：-40℃~125℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：4A
电源电压：4.5V~16V
峰值灌电流：4A
驱动配置：高压侧或低压侧
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：UP1966E
上升时间：8ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：4ns
工作温度：-40℃~125℃
负载类型：增强模式GaNFET
峰值拉电流：12.5A
电源电压：4.5V~5.5V
峰值灌电流：7.1A
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：UP1966E
上升时间：8ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：4ns
工作温度：-40℃~125℃
负载类型：增强模式GaNFET
峰值拉电流：12.5A
电源电压：4.5V~5.5V
峰值灌电流：7.1A
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：FAN8811TMPX
上升时间：6ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：4ns
工作温度：-40℃~125℃
负载类型：N沟道MOSFET
峰值拉电流：6A
电源电压：8V~16V
峰值灌电流：3A
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：UP1966E
上升时间：8ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：4ns
工作温度：-40℃~125℃
负载类型：增强模式GaNFET
峰值拉电流：12.5A
电源电压：4.5V~5.5V
峰值灌电流：7.1A
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：UP1966E
上升时间：8ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：4ns
工作温度：-40℃~125℃
负载类型：增强模式GaNFET
峰值拉电流：12.5A
电源电压：4.5V~5.5V
峰值灌电流：7.1A
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：FAN8811TMPX
上升时间：6ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：4ns
工作温度：-40℃~125℃
负载类型：N沟道MOSFET
峰值拉电流：6A
电源电压：8V~16V
峰值灌电流：3A
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：UP1966E
上升时间：8ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：4ns
工作温度：-40℃~125℃
负载类型：增强模式GaNFET
峰值拉电流：12.5A
电源电压：4.5V~5.5V
峰值灌电流：7.1A
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：FAN8811TMPX
上升时间：6ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：4ns
工作温度：-40℃~125℃
负载类型：N沟道MOSFET
峰值拉电流：6A
电源电压：8V~16V
峰值灌电流：3A
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：UP1966E
上升时间：8ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：4ns
工作温度：-40℃~125℃
负载类型：增强模式GaNFET
峰值拉电流：12.5A
电源电压：4.5V~5.5V
峰值灌电流：7.1A
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：UP1966E
上升时间：8ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：4ns
工作温度：-40℃~125℃
负载类型：增强模式GaNFET
峰值拉电流：12.5A
电源电压：4.5V~5.5V
峰值灌电流：7.1A
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：FAN8811TMPX
上升时间：6ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：4ns
工作温度：-40℃~125℃
负载类型：N沟道MOSFET
峰值拉电流：6A
电源电压：8V~16V
峰值灌电流：3A
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：FAN8811TMPX
上升时间：6ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：4ns
工作温度：-40℃~125℃
负载类型：N沟道MOSFET
峰值拉电流：6A
电源电压：8V~16V
峰值灌电流：3A
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：FAN8811TMPX
上升时间：6ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：4ns
工作温度：-40℃~125℃
负载类型：N沟道MOSFET
峰值拉电流：6A
电源电压：8V~16V
峰值灌电流：3A
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：FAN8811TMPX
上升时间：6ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：4ns
工作温度：-40℃~125℃
负载类型：N沟道MOSFET
峰值拉电流：6A
电源电压：8V~16V
峰值灌电流：3A
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：UP1966E
上升时间：8ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：4ns
工作温度：-40℃~125℃
负载类型：增强模式GaNFET
峰值拉电流：12.5A
电源电压：4.5V~5.5V
峰值灌电流：7.1A
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：UP1966E
上升时间：8ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：4ns
工作温度：-40℃~125℃
负载类型：增强模式GaNFET
峰值拉电流：12.5A
电源电压：4.5V~5.5V
峰值灌电流：7.1A
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：FAN8811TMPX
上升时间：6ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：4ns
工作温度：-40℃~125℃
负载类型：N沟道MOSFET
峰值拉电流：6A
电源电压：8V~16V
峰值灌电流：3A
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：UP1966E
上升时间：8ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：4ns
工作温度：-40℃~125℃
负载类型：增强模式GaNFET
峰值拉电流：12.5A
电源电压：4.5V~5.5V
峰值灌电流：7.1A
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：FAN8811TMPX
上升时间：6ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：4ns
工作温度：-40℃~125℃
负载类型：N沟道MOSFET
峰值拉电流：6A
电源电压：8V~16V
峰值灌电流：3A
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：FAN8811TMPX
上升时间：6ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：4ns
工作温度：-40℃~125℃
负载类型：N沟道MOSFET
峰值拉电流：6A
电源电压：8V~16V
峰值灌电流：3A
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
生产批次：{"20+"：4504，"21+"：4000，"22+"：2500}
销售单位：个
规格型号(MPN)：EL7154CSZ-T7
上升时间：4ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：4ns
工作温度：-40℃~125℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：4A
电源电压：4.5V~16V
峰值灌电流：4A
驱动配置：高压侧或低压侧
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
生产批次：{"20+"：4504，"21+"：4000，"22+"：2500}
销售单位：个
规格型号(MPN)：EL7154CSZ-T7
上升时间：4ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：4ns
工作温度：-40℃~125℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：4A
电源电压：4.5V~16V
峰值灌电流：4A
驱动配置：高压侧或低压侧
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
