采购热线 400-661-9010
销售单位：个
规格型号(MPN)：NCV5703ADR2G
上升时间：9.2ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：1
下降时间：7.9ns
工作温度：-40℃~125℃
负载类型：IGBT
峰值拉电流：7.2A
电源电压：20V
峰值灌电流：7A
驱动配置：高压侧或低压侧
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：LMG1020YFFT
上升时间：375ps
ECCN：EAR99
驱动通道数：1
下降时间：350ps
工作温度：-40℃~125℃
负载类型：N沟道，P沟道MOSFET
峰值拉电流：5A
电源电压：4.75V~5.25V
峰值灌电流：7A
驱动配置：低端
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：LMG1025QDEERQ1
ECCN：EAR99
驱动通道数：1
工作温度：-40℃~125℃
负载类型：N沟道，P沟道MOSFET
峰值拉电流：5A
电源电压：4.75V~5.25V
峰值灌电流：7A
驱动配置：低端
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
生产批次：{"19+"：2500}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NCV5703CDR2G
上升时间：9.2ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：1
下降时间：7.9ns
工作温度：-40℃~125℃
负载类型：IGBT
峰值拉电流：7.2A
电源电压：20V
峰值灌电流：7A
驱动配置：高压侧或低压侧
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：LMG1025QDEETQ1
上升时间：650ps
ECCN：EAR99
驱动通道数：1
下降时间：850ps
工作温度：-40℃~125℃
负载类型：N沟道，P沟道MOSFET
峰值拉电流：5A
电源电压：4.75V~5.25V
峰值灌电流：7A
驱动配置：低端
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
生产批次：{"18+"：5000，"19+"：5000，"22+"：1150，"23+"：1472}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NCD5703ADR2G
上升时间：9.2ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：1
下降时间：7.9ns
工作温度：-40℃~125℃
负载类型：IGBT
峰值拉电流：7.2A
电源电压：20V
峰值灌电流：7A
驱动配置：高压侧或低压侧
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
生产批次：{"19+"：2500}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NCV5703CDR2G
上升时间：9.2ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：1
下降时间：7.9ns
工作温度：-40℃~125℃
负载类型：IGBT
峰值拉电流：7.2A
电源电压：20V
峰值灌电流：7A
驱动配置：高压侧或低压侧
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
生产批次：{"18+"：5000，"19+"：5000，"22+"：1150，"23+"：1472}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NCD5703ADR2G
上升时间：9.2ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：1
下降时间：7.9ns
工作温度：-40℃~125℃
负载类型：IGBT
峰值拉电流：7.2A
电源电压：20V
峰值灌电流：7A
驱动配置：高压侧或低压侧
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：NCV5703ADR2G
上升时间：9.2ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：1
下降时间：7.9ns
工作温度：-40℃~125℃
负载类型：IGBT
峰值拉电流：7.2A
电源电压：20V
峰值灌电流：7A
驱动配置：高压侧或低压侧
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：NCV5703ADR2G
上升时间：9.2ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：1
下降时间：7.9ns
工作温度：-40℃~125℃
负载类型：IGBT
峰值拉电流：7.2A
电源电压：20V
峰值灌电流：7A
驱动配置：高压侧或低压侧
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：LMG1025QDEETQ1
上升时间：650ps
ECCN：EAR99
驱动通道数：1
下降时间：850ps
工作温度：-40℃~125℃
负载类型：N沟道，P沟道MOSFET
峰值拉电流：5A
电源电压：4.75V~5.25V
峰值灌电流：7A
驱动配置：低端
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：LMG1020YFFT
上升时间：375ps
ECCN：EAR99
驱动通道数：1
下降时间：350ps
工作温度：-40℃~125℃
负载类型：N沟道，P沟道MOSFET
峰值拉电流：5A
电源电压：4.75V~5.25V
峰值灌电流：7A
驱动配置：低端
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：NCV5703ADR2G
上升时间：9.2ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：1
下降时间：7.9ns
工作温度：-40℃~125℃
负载类型：IGBT
峰值拉电流：7.2A
电源电压：20V
峰值灌电流：7A
驱动配置：高压侧或低压侧
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：LMG1025QDEERQ1
ECCN：EAR99
驱动通道数：1
工作温度：-40℃~125℃
负载类型：N沟道，P沟道MOSFET
峰值拉电流：5A
电源电压：4.75V~5.25V
峰值灌电流：7A
驱动配置：低端
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：LMG1025QDEERQ1
ECCN：EAR99
驱动通道数：1
工作温度：-40℃~125℃
负载类型：N沟道，P沟道MOSFET
峰值拉电流：5A
电源电压：4.75V~5.25V
峰值灌电流：7A
驱动配置：低端
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：LMG1025QDEETQ1
上升时间：650ps
ECCN：EAR99
驱动通道数：1
下降时间：850ps
工作温度：-40℃~125℃
负载类型：N沟道，P沟道MOSFET
峰值拉电流：5A
电源电压：4.75V~5.25V
峰值灌电流：7A
驱动配置：低端
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：NCV5703ADR2G
上升时间：9.2ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：1
下降时间：7.9ns
工作温度：-40℃~125℃
负载类型：IGBT
峰值拉电流：7.2A
电源电压：20V
峰值灌电流：7A
驱动配置：高压侧或低压侧
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：LMG1025QDEERQ1
ECCN：EAR99
驱动通道数：1
工作温度：-40℃~125℃
负载类型：N沟道，P沟道MOSFET
峰值拉电流：5A
电源电压：4.75V~5.25V
峰值灌电流：7A
驱动配置：低端
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：LMG1025QDEETQ1
上升时间：650ps
ECCN：EAR99
驱动通道数：1
下降时间：850ps
工作温度：-40℃~125℃
负载类型：N沟道，P沟道MOSFET
峰值拉电流：5A
电源电压：4.75V~5.25V
峰值灌电流：7A
驱动配置：低端
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：LMG1025QDEERQ1
ECCN：EAR99
驱动通道数：1
工作温度：-40℃~125℃
负载类型：N沟道，P沟道MOSFET
峰值拉电流：5A
电源电压：4.75V~5.25V
峰值灌电流：7A
驱动配置：低端
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：LMG1025QDEERQ1
ECCN：EAR99
驱动通道数：1
工作温度：-40℃~125℃
负载类型：N沟道，P沟道MOSFET
峰值拉电流：5A
电源电压：4.75V~5.25V
峰值灌电流：7A
驱动配置：低端
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：NCV5703ADR2G
上升时间：9.2ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：1
下降时间：7.9ns
工作温度：-40℃~125℃
负载类型：IGBT
峰值拉电流：7.2A
电源电压：20V
峰值灌电流：7A
驱动配置：高压侧或低压侧
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：LMG1020YFFR
上升时间：375ps
ECCN：EAR99
驱动通道数：1
下降时间：350ps
工作温度：-40℃~125℃
负载类型：N沟道，P沟道MOSFET
峰值拉电流：5A
电源电压：4.75V~5.25V
峰值灌电流：7A
驱动配置：低端
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：LMG1020YFFR
上升时间：375ps
ECCN：EAR99
驱动通道数：1
下降时间：350ps
工作温度：-40℃~125℃
负载类型：N沟道，P沟道MOSFET
峰值拉电流：5A
电源电压：4.75V~5.25V
峰值灌电流：7A
驱动配置：低端
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
生产批次：{"18+"：5000，"19+"：5000，"22+"：1150，"23+"：1472}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NCD5703ADR2G
上升时间：9.2ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：1
下降时间：7.9ns
工作温度：-40℃~125℃
负载类型：IGBT
峰值拉电流：7.2A
电源电压：20V
峰值灌电流：7A
驱动配置：高压侧或低压侧
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：LMG1025QDEETQ1
上升时间：650ps
ECCN：EAR99
驱动通道数：1
下降时间：850ps
工作温度：-40℃~125℃
负载类型：N沟道，P沟道MOSFET
峰值拉电流：5A
电源电压：4.75V~5.25V
峰值灌电流：7A
驱动配置：低端
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：LMG1020YFFT
上升时间：375ps
ECCN：EAR99
驱动通道数：1
下降时间：350ps
工作温度：-40℃~125℃
负载类型：N沟道，P沟道MOSFET
峰值拉电流：5A
电源电压：4.75V~5.25V
峰值灌电流：7A
驱动配置：低端
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：LMG1020YFFR
上升时间：375ps
ECCN：EAR99
驱动通道数：1
下降时间：350ps
工作温度：-40℃~125℃
负载类型：N沟道，P沟道MOSFET
峰值拉电流：5A
电源电压：4.75V~5.25V
峰值灌电流：7A
驱动配置：低端
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：NCV5703ADR2G
上升时间：9.2ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：1
下降时间：7.9ns
工作温度：-40℃~125℃
负载类型：IGBT
峰值拉电流：7.2A
电源电压：20V
峰值灌电流：7A
驱动配置：高压侧或低压侧
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：LMG1025QDEERQ1
ECCN：EAR99
驱动通道数：1
工作温度：-40℃~125℃
负载类型：N沟道，P沟道MOSFET
峰值拉电流：5A
电源电压：4.75V~5.25V
峰值灌电流：7A
驱动配置：低端
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
