采购热线 400-661-9010
品牌：ON SEMI
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：NCD5701ADR2G
上升时间：9.2ns
驱动通道数：1
下降时间：7.9ns
工作温度：-40℃~150℃
负载类型：IGBT
峰值拉电流：6.8A
电源电压：20V
峰值灌电流：7.8A
驱动配置：高压侧或低压侧
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：TC4431VOA713
上升时间：25ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：1
下降时间：33ns
工作温度：-40℃~150℃
负载类型：N沟道，P沟道MOSFET
峰值拉电流：1.5A
电源电压：4.5V~30V
峰值灌电流：1.5A
驱动配置：高压侧或低压侧
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：MCP1415T-E/OT
上升时间：20ns
驱动通道数：1
下降时间：20ns
工作温度：-40℃~150℃
负载类型：IGBT，N沟道，P沟道MOSFET
峰值拉电流：1.5A
电源电压：4.5V~18V
峰值灌电流：1.5A
驱动配置：低端
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：TC4422AVOA713
上升时间：38ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：1
下降时间：33ns
工作温度：-40℃~150℃
负载类型：IGBT，N沟道，P沟道MOSFET
峰值拉电流：10A
电源电压：4.5V~18V
峰值灌电流：10A
驱动配置：低端
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：TC4420EOA713
上升时间：25ns
驱动通道数：1
下降时间：25ns
工作温度：-40℃~150℃
负载类型：N沟道，P沟道MOSFET
峰值拉电流：6A
电源电压：4.5V~18V
峰值灌电流：6A
驱动配置：低端
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：95psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IR21271SPBF
上升时间：80ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：1
下降时间：40ns
工作温度：-40℃~150℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：500mA
电源电压：9V~20V
峰值灌电流：250mA
驱动配置：高压侧或低压侧
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：100psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TC4432VOA
上升时间：25ns
驱动通道数：1
下降时间：33ns
工作温度：-40℃~150℃
负载类型：N沟道，P沟道MOSFET
峰值拉电流：1.5A
电源电压：4.5V~30V
峰值灌电流：1.5A
驱动配置：高压侧或低压侧
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：1EDN7512BXTSA1
上升时间：6.5ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：1
下降时间：4.5ns
工作温度：-40℃~150℃
负载类型：N沟道MOSFET
峰值拉电流：8A
电源电压：4.5V~20V
峰值灌电流：4A
驱动配置：低端
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：UCC27517AQDBVRQ1
上升时间：8ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：1
下降时间：7ns
工作温度：-40℃~150℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：4A
电源电压：4.5V~18V
峰值灌电流：4A
驱动配置：低端
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：100psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TC4421AVOA
上升时间：38ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：1
下降时间：33ns
工作温度：-40℃~150℃
负载类型：IGBT，N沟道，P沟道MOSFET
峰值拉电流：10A
电源电压：4.5V~18V
峰值灌电流：10A
驱动配置：低端
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：SII
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
包装规格(MPQ)：95psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：MIC5015YM
ECCN：EAR99
驱动通道数：1
工作温度：-40℃~150℃
负载类型：N沟道MOSFET
电源电压：2.75V~30V
驱动配置：高压侧或低压侧
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：MIC4422YM-TR
上升时间：20ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：1
下降时间：24ns
工作温度：-40℃~150℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：9A
电源电压：4.5V~18V
峰值灌电流：9A
驱动配置：低端
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：UCC27531QDBVRQ1
上升时间：15ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：1
下降时间：7ns
工作温度：-40℃~150℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：5A
电源电压：10V~32V
峰值灌电流：2.5A
驱动配置：低端
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：MCP1416T-E/OT
上升时间：20ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：1
下降时间：20ns
工作温度：-40℃~150℃
负载类型：IGBT，N沟道，P沟道MOSFET
峰值拉电流：1.5A
电源电压：4.5V~18V
峰值灌电流：1.5A
驱动配置：低端
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：TC1413NEOA713
上升时间：20ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：1
下降时间：20ns
工作温度：-40℃~150℃
负载类型：N沟道，P沟道MOSFET
峰值拉电流：3A
电源电压：4.5V~16V
峰值灌电流：3A
驱动配置：低端
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRS44273LTRPBF
上升时间：25ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：1
下降时间：25ns
工作温度：-40℃~150℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：1.5A
电源电压：10.2V~20V
峰值灌电流：1.5A
驱动配置：低端
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：100psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TC4431EOA
上升时间：25ns
驱动通道数：1
下降时间：33ns
工作温度：-40℃~150℃
负载类型：N沟道，P沟道MOSFET
峰值拉电流：1.5A
电源电压：4.5V~30V
峰值灌电流：1.5A
驱动配置：高压侧或低压侧
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AUIR3241STR
上升时间：6µs
ECCN：EAR99
驱动通道数：1
下降时间：6µs
工作温度：-40℃~150℃
负载类型：N沟道MOSFET
峰值拉电流：350mA
电源电压：3V~36V
峰值灌电流：350mA
驱动配置：高端
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：100psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TC4431VOA
上升时间：25ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：1
下降时间：33ns
工作温度：-40℃~150℃
负载类型：N沟道，P沟道MOSFET
峰值拉电流：1.5A
电源电压：4.5V~30V
峰值灌电流：1.5A
驱动配置：高压侧或低压侧
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：TC4432EOA713
上升时间：25ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：1
下降时间：33ns
工作温度：-40℃~150℃
负载类型：N沟道，P沟道MOSFET
峰值拉电流：1.5A
电源电压：4.5V~30V
峰值灌电流：1.5A
驱动配置：高压侧或低压侧
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：TC4420VOA713
上升时间：25ns
驱动通道数：1
下降时间：25ns
工作温度：-40℃~150℃
负载类型：N沟道，P沟道MOSFET
峰值拉电流：6A
电源电压：4.5V~18V
峰值灌电流：6A
驱动配置：低端
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：NCP81074AMNTBG
上升时间：4ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：1
下降时间：4ns
工作温度：-40℃~150℃
负载类型：N沟道MOSFET
峰值拉电流：10A
电源电压：4.5V~20V
峰值灌电流：10A
驱动配置：低端
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：1EBN1001AEXUMA1
上升时间：50ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：1
下降时间：90ns
工作温度：-40℃~150℃
负载类型：IGBT，N沟道，P沟道MOSFET
电源电压：13V~18V
驱动配置：高压侧或低压侧
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：MIC4429YM-TR
上升时间：12ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：1
下降时间：13ns
工作温度：-40℃~150℃
负载类型：N沟道，P沟道MOSFET
峰值拉电流：6A
电源电压：4.5V~18V
峰值灌电流：6A
驱动配置：低端
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
包装规格(MPQ)：95psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：MIC4429YM
上升时间：12ns
驱动通道数：1
下降时间：13ns
工作温度：-40℃~150℃
负载类型：N沟道，P沟道MOSFET
峰值拉电流：6A
电源电压：4.5V~18V
峰值灌电流：6A
驱动配置：低端
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：TLF11251EPXUMA1
上升时间：60ns
驱动通道数：1
下降时间：60ns
工作温度：-40℃~150℃
负载类型：N沟道，P沟道MOSFET
峰值拉电流：2.5A
电源电压：2.35V~7V
峰值灌电流：2.5A
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：60psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TC4421AVPA
上升时间：38ns
驱动通道数：1
下降时间：33ns
工作温度：-40℃~150℃
负载类型：IGBT，N沟道，P沟道MOSFET
峰值拉电流：10A
电源电压：4.5V~18V
峰值灌电流：10A
驱动配置：低端
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：1EDN7511B
上升时间：6.5ns
驱动通道数：1
下降时间：4.5ns
工作温度：-40℃~150℃
负载类型：NChannel|PChannelMOSFET
电源电压：4.5V~20V
驱动配置：Half Bridge|Low Side
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：MIC5015YM-TR
ECCN：EAR99
驱动通道数：1
工作温度：-40℃~150℃
负载类型：N沟道MOSFET
电源电压：2.75V~30V
驱动配置：高压侧或低压侧
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：MIC5015YN
驱动通道数：1
工作温度：-40℃~150℃
负载类型：N沟道MOSFET
电源电压：2.75V~30V
驱动配置：高压侧或低压侧
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：
