采购热线 400-661-9010
品牌：INFINEON
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRS2304PBF
上升时间：70ns
驱动通道数：2
下降时间：35ns
工作温度：-40℃~150℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：600mA
电源电压：10V~20V
峰值灌电流：290mA
驱动配置：半桥
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：
生产批次：{"18+"：655，"22+"：3513，"23+"：5654，"MI+"：3800}
包装规格(MPQ)：95psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRS2004SPBF
上升时间：70ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：35ns
工作温度：-40℃~150℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：600mA
电源电压：10V~20V
峰值灌电流：290mA
驱动配置：半桥
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：95psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRS2101SPBF
上升时间：70ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：35ns
工作温度：-40℃~150℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：600mA
电源电压：10V~20V
峰值灌电流：290mA
驱动配置：高压侧或低压侧
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：95psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRS2103SPBF
上升时间：70ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：35ns
工作温度：-40℃~150℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：600mA
电源电压：10V~20V
峰值灌电流：290mA
驱动配置：半桥
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：
生产批次：{"13+"：42，"21+"：120，"23+"：12000，"9999"：394}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRS2104PBF
上升时间：70ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：35ns
工作温度：-40℃~150℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：600mA
电源电压：10V~20V
峰值灌电流：290mA
驱动配置：半桥
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：100psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：L6388ED
上升时间：70ns
驱动通道数：2
下降时间：40ns
工作温度：-40℃~150℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：650mA
电源电压：17V
峰值灌电流：400mA
驱动配置：半桥
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRS2104SPBF
上升时间：70ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：35ns
工作温度：-40℃~150℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：600mA
电源电压：10V~20V
峰值灌电流：290mA
驱动配置：半桥
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：
生产批次：{"15+"：1267，"20+"：1900，"9999"：473}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRS2004PBF
上升时间：70ns
ECCN：EAR99
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工作温度：-40℃~150℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：600mA
电源电压：10V~20V
峰值灌电流：290mA
驱动配置：半桥
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：
生产批次：{"23+"：8100，"MI+"：3800}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRS2104SPBF
上升时间：70ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：35ns
工作温度：-40℃~150℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：600mA
电源电压：10V~20V
峰值灌电流：290mA
驱动配置：半桥
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：
生产批次：{"13+"：42，"21+"：120，"23+"：12000，"9999"：394}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRS2104PBF
上升时间：70ns
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工作温度：-40℃~150℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：600mA
电源电压：10V~20V
峰值灌电流：290mA
驱动配置：半桥
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：
生产批次：{"13+"：42，"21+"：120，"23+"：12000，"9999"：394}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRS2104PBF
上升时间：70ns
ECCN：EAR99
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工作温度：-40℃~150℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：600mA
电源电压：10V~20V
峰值灌电流：290mA
驱动配置：半桥
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：
生产批次：{"20+"：400，"9999"：1750}
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRS2304PBF
上升时间：70ns
ECCN：EAR99
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工作温度：-40℃~150℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：600mA
电源电压：10V~20V
峰值灌电流：290mA
驱动配置：半桥
包装方式：管件
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库存：
包装规格(MPQ)：95psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRS2101SPBF
上升时间：70ns
ECCN：EAR99
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工作温度：-40℃~150℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：600mA
电源电压：10V~20V
峰值灌电流：290mA
驱动配置：高压侧或低压侧
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
包装规格(MPQ)：95psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRS2004SPBF
上升时间：70ns
驱动通道数：2
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工作温度：-40℃~150℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：600mA
电源电压：10V~20V
峰值灌电流：290mA
驱动配置：半桥
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
包装规格(MPQ)：95psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRS2004SPBF
上升时间：70ns
驱动通道数：2
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工作温度：-40℃~150℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：600mA
电源电压：10V~20V
峰值灌电流：290mA
驱动配置：半桥
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
生产批次：{"13+"：850，"15+"：900，"17+"：5823，"18+"：8800，"19+"：1400}
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRS2101PBF
上升时间：70ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
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工作温度：-40℃~150℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：600mA
电源电压：10V~20V
峰值灌电流：290mA
驱动配置：高压侧或低压侧
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRS2104SPBF
上升时间：70ns
驱动通道数：2
下降时间：35ns
工作温度：-40℃~150℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：600mA
电源电压：10V~20V
峰值灌电流：290mA
驱动配置：半桥
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：100psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：L6388ED
上升时间：70ns
驱动通道数：2
下降时间：40ns
工作温度：-40℃~150℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：650mA
电源电压：17V
峰值灌电流：400mA
驱动配置：半桥
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：95psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRS2004SPBF
上升时间：70ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
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工作温度：-40℃~150℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：600mA
电源电压：10V~20V
峰值灌电流：290mA
驱动配置：半桥
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：95psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRS2004SPBF
上升时间：70ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
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工作温度：-40℃~150℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：600mA
电源电压：10V~20V
峰值灌电流：290mA
驱动配置：半桥
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
生产批次：{"13+"：850，"15+"：900，"17+"：5823，"18+"：8800，"19+"：1400}
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销售单位：个
规格型号(MPN)：IRS2101PBF
上升时间：70ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
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工作温度：-40℃~150℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：600mA
电源电压：10V~20V
峰值灌电流：290mA
驱动配置：高压侧或低压侧
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
包装规格(MPQ)：95psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRS2004SPBF
上升时间：70ns
驱动通道数：2
下降时间：35ns
工作温度：-40℃~150℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：600mA
电源电压：10V~20V
峰值灌电流：290mA
驱动配置：半桥
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
生产批次：{"13+"：850，"15+"：900，"17+"：5823，"18+"：8800，"19+"：1400}
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRS2101PBF
上升时间：70ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：35ns
工作温度：-40℃~150℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：600mA
电源电压：10V~20V
峰值灌电流：290mA
驱动配置：高压侧或低压侧
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
生产批次：{"15+"：450，"18+"：30000，"19+"：2900}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRS2003PBF
上升时间：70ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：35ns
工作温度：-40℃~150℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：600mA
电源电压：10V~20V
峰值灌电流：290mA
驱动配置：半桥
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：95psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRS2004SPBF
上升时间：70ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：35ns
工作温度：-40℃~150℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：600mA
电源电压：10V~20V
峰值灌电流：290mA
驱动配置：半桥
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRS2304SPBF
上升时间：70ns
驱动通道数：2
下降时间：35ns
工作温度：-40℃~150℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：600mA
电源电压：10V~20V
峰值灌电流：290mA
驱动配置：半桥
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：95psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRS2004SPBF
上升时间：70ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：35ns
工作温度：-40℃~150℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：600mA
电源电压：10V~20V
峰值灌电流：290mA
驱动配置：半桥
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
生产批次：{"15+"：1267，"20+"：1900，"9999"：473}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRS2004PBF
上升时间：70ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：35ns
工作温度：-40℃~150℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：600mA
电源电压：10V~20V
峰值灌电流：290mA
驱动配置：半桥
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：95psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRS2101SPBF
上升时间：70ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：35ns
工作温度：-40℃~150℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：600mA
电源电压：10V~20V
峰值灌电流：290mA
驱动配置：高压侧或低压侧
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRS2304PBF
上升时间：70ns
驱动通道数：2
下降时间：35ns
工作温度：-40℃~150℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：600mA
电源电压：10V~20V
峰值灌电流：290mA
驱动配置：半桥
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：
