采购热线 400-661-9010
包装规格(MPQ)：95psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IR21271SPBF
上升时间：80ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：1
下降时间：40ns
工作温度：-40℃~150℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：500mA
电源电压：9V~20V
峰值灌电流：250mA
驱动配置：高压侧或低压侧
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
包装规格(MPQ)：95psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IR2127SPBF
上升时间：80ns
驱动通道数：1
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负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：500mA
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峰值灌电流：250mA
驱动配置：高压侧或低压侧
包装方式：管件
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库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：IR21271PBF
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负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：500mA
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峰值灌电流：250mA
驱动配置：高压侧或低压侧
包装方式：管件
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库存：
包装规格(MPQ)：95psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IR2127SPBF
上升时间：80ns
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负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：500mA
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峰值灌电流：250mA
驱动配置：高压侧或低压侧
包装方式：管件
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库存：
包装规格(MPQ)：95psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IR2117SPBF
上升时间：80ns
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工作温度：-40℃~150℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：500mA
电源电压：10V~20V
峰值灌电流：250mA
驱动配置：高端
包装方式：管件
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库存：
品牌：INFINEON
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：IR2112SPBF
上升时间：80ns
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工作温度：-40℃~150℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：500mA
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包装方式：管件
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库存：
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销售单位：个
规格型号(MPN)：L6388ED
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工作温度：-40℃~150℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：650mA
电源电压：17V
峰值灌电流：400mA
驱动配置：半桥
包装方式：管件
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库存：
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销售单位：个
规格型号(MPN)：IR2118PBF
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工作温度：-40℃~150℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：500mA
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峰值灌电流：250mA
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规格型号(MPN)：IR2117SPBF
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规格型号(MPN)：IR2117PBF
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负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：500mA
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峰值灌电流：250mA
驱动配置：高端
包装方式：管件
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库存：
生产批次：{"17+"：141，"21+"：1800，"22+"：7544，"24+"：2000}
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规格型号(MPN)：IR2117PBF
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负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：500mA
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库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：IR2111PBF
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工作温度：-40℃~150℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：500mA
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销售单位：个
规格型号(MPN)：IR21271PBF
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工作温度：-40℃~150℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：500mA
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包装方式：管件
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生产批次：{"19+"：2800，"22+"：2828}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IR21271PBF
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工作温度：-40℃~150℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：500mA
电源电压：9V~20V
峰值灌电流：250mA
驱动配置：高压侧或低压侧
包装方式：管件
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规格型号(MPN)：IR2118PBF
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工作温度：-40℃~150℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：500mA
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销售单位：个
规格型号(MPN)：IR21271PBF
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生产批次：{"20+"：315，"22+"：3119，"9999"：27}
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工作温度：-40℃~150℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：500mA
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峰值灌电流：250mA
驱动配置：高压侧或低压侧
包装方式：管件
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生产批次：{"19+"：67，"22+"：26743}
包装规格(MPQ)：95psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IR21271SPBF
上升时间：80ns
ECCN：EAR99
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工作温度：-40℃~150℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：500mA
电源电压：9V~20V
峰值灌电流：250mA
驱动配置：高压侧或低压侧
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：95psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IR2117SPBF
上升时间：80ns
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工作温度：-40℃~150℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：500mA
电源电压：10V~20V
峰值灌电流：250mA
驱动配置：高端
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
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生产批次：{"20+"：315，"22+"：3119，"9999"：27}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IR2112SPBF
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工作温度：-40℃~150℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：500mA
电源电压：10V~20V
峰值灌电流：250mA
驱动配置：高压侧或低压侧
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：IR2112SPBF
上升时间：80ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
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工作温度：-40℃~150℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：500mA
电源电压：10V~20V
峰值灌电流：250mA
驱动配置：高压侧或低压侧
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
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包装规格(MPQ)：95psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IR2118SPBF
上升时间：80ns
驱动通道数：1
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工作温度：-40℃~150℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：500mA
电源电压：10V~20V
峰值灌电流：250mA
驱动配置：高端
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：IR2111PBF
上升时间：80ns
驱动通道数：2
下降时间：40ns
工作温度：-40℃~150℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：500mA
电源电压：10V~20V
峰值灌电流：250mA
驱动配置：半桥
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：
生产批次：{"18+"：1048}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IR2128PBF
上升时间：80ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：1
下降时间：40ns
工作温度：-40℃~150℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：500mA
电源电压：12V~20V
峰值灌电流：250mA
驱动配置：高压侧或低压侧
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：
生产批次：{"18+"：25600，"21+"：3010}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IR2111PBF
上升时间：80ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：40ns
工作温度：-40℃~150℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：500mA
电源电压：10V~20V
峰值灌电流：250mA
驱动配置：半桥
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IR2118PBF
上升时间：80ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：1
下降时间：40ns
工作温度：-40℃~150℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：500mA
电源电压：10V~20V
峰值灌电流：250mA
驱动配置：高端
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
包装规格(MPQ)：95psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IR2127SPBF
上升时间：80ns
驱动通道数：1
下降时间：40ns
工作温度：-40℃~150℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：500mA
电源电压：12V~20V
峰值灌电流：250mA
驱动配置：高压侧或低压侧
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：
生产批次：{"22+"：4681}
包装规格(MPQ)：95psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IR2127SPBF
上升时间：80ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：1
下降时间：40ns
工作温度：-40℃~150℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：500mA
电源电压：12V~20V
峰值灌电流：250mA
驱动配置：高压侧或低压侧
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：IR21271PBF
上升时间：80ns
驱动通道数：1
下降时间：40ns
工作温度：-40℃~150℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：500mA
电源电压：9V~20V
峰值灌电流：250mA
驱动配置：高压侧或低压侧
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：IR2111SPBF
上升时间：80ns
驱动通道数：2
下降时间：40ns
工作温度：-40℃~150℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：500mA
电源电压：10V~20V
峰值灌电流：250mA
驱动配置：半桥
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：
