包装规格(MPQ)：50psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：L5991D

启动电压：15V

拓扑结构：反激，升压

输出隔离：隔离

工作温度：-40℃~150℃

包装方式：管件

最大占空比：93%

开关频率：1MHz

电源电压：10V~20V

特性：限流，过压，频率控制，软启动，同步

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：50psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：L5991D

启动电压：15V

拓扑结构：反激，升压

输出隔离：隔离

工作温度：-40℃~150℃

包装方式：管件

最大占空比：93%

开关频率：1MHz

电源电压：10V~20V

特性：限流，过压，频率控制，软启动，同步

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：50psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：L5991D

启动电压：15V

拓扑结构：反激，升压

输出隔离：隔离

工作温度：-40℃~150℃

包装方式：管件

最大占空比：93%

开关频率：1MHz

电源电压：10V~20V

特性：限流，过压，频率控制，软启动，同步

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：50psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：L5991D

启动电压：15V

拓扑结构：反激，升压

输出隔离：隔离

工作温度：-40℃~150℃

包装方式：管件

最大占空比：93%

开关频率：1MHz

电源电压：10V~20V

特性：限流，过压，频率控制，软启动，同步

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：50psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：L5991D

启动电压：15V

拓扑结构：反激，升压

输出隔离：隔离

工作温度：-40℃~150℃

包装方式：管件

最大占空比：93%

开关频率：1MHz

电源电压：10V~20V

特性：限流，过压，频率控制，软启动，同步

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：50psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：L5991D

启动电压：15V

拓扑结构：反激，升压

输出隔离：隔离

工作温度：-40℃~150℃

包装方式：管件

最大占空比：93%

开关频率：1MHz

电源电压：10V~20V

特性：限流，过压，频率控制，软启动，同步

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：50psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：L5991D

启动电压：15V

拓扑结构：反激，升压

输出隔离：隔离

工作温度：-40℃~150℃

包装方式：管件

最大占空比：93%

开关频率：1MHz

电源电压：10V~20V

特性：限流，过压，频率控制，软启动，同步

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

包装规格(MPQ)：50psc

规格型号(MPN)：L5991D

启动电压：15V

输出隔离：隔离

包装方式：管件

工作温度：-40℃~150℃

电源电压：10V~20V

拓扑结构：反激，升压

开关频率：1MHz

特性：限流，过压，频率控制，软启动，同步

最大占空比：93%

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

包装规格(MPQ)：50psc

规格型号(MPN)：L5991D

启动电压：15V

输出隔离：隔离

包装方式：管件

工作温度：-40℃~150℃

电源电压：10V~20V

拓扑结构：反激，升压

开关频率：1MHz

特性：限流，过压，频率控制，软启动，同步

最大占空比：93%

包装清单：商品主体 * 1

生产批次：2221

包装规格(MPQ)：95psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IR2183SPBF

上升时间：40ns

驱动通道数：2

下降时间：20ns

工作温度：-40℃~150℃

负载类型：IGBT，N沟道MOSFET

峰值拉电流：2.3A

电源电压：10V~20V

峰值灌电流：1.9A

驱动配置：半桥

包装方式：管件

包装清单：商品主体 * 1

生产批次：{"17+"：6222，"30+"：3000，"9999"：175}

销售单位：个

规格型号(MPN)：IRS2308PBF

上升时间：100ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：2

下降时间：35ns

工作温度：-40℃~150℃

负载类型：IGBT，N沟道MOSFET

峰值拉电流：600mA

电源电压：10V~20V

峰值灌电流：290mA

驱动配置：半桥

包装方式：管件

包装清单：商品主体 * 1

生产批次：{"18+"：5613，"20+"：2815}

销售单位：个

规格型号(MPN)：IRS21834PBF

上升时间：40ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：2

下降时间：20ns

工作温度：-40℃~150℃

负载类型：IGBT，N沟道MOSFET

峰值拉电流：2.3A

电源电压：10V~20V

峰值灌电流：1.9A

驱动配置：半桥

包装方式：管件

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：IR2101SPBF

上升时间：100ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：2

下降时间：50ns

工作温度：-40℃~150℃

负载类型：IGBT，N沟道MOSFET

峰值拉电流：360mA

电源电压：10V~20V

峰值灌电流：210mA

驱动配置：半桥

包装方式：管件

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：50psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IR2104PBF

上升时间：100ns

驱动通道数：2

下降时间：50ns

工作温度：-40℃~150℃

负载类型：IGBT，N沟道MOSFET

峰值拉电流：360mA

电源电压：10V~20V

峰值灌电流：210mA

驱动配置：半桥

包装方式：管件

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：95psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IR2109SPBF

上升时间：150ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：2

下降时间：50ns

工作温度：-40℃~150℃

负载类型：IGBT，N沟道MOSFET

峰值拉电流：350mA

电源电压：10V~20V

峰值灌电流：200mA

驱动配置：半桥

包装方式：管件

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：50psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IRS2304PBF

上升时间：70ns

驱动通道数：2

下降时间：35ns

工作温度：-40℃~150℃

负载类型：IGBT，N沟道MOSFET

峰值拉电流：600mA

电源电压：10V~20V

峰值灌电流：290mA

驱动配置：半桥

包装方式：管件

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：IR21844PBF

上升时间：40ns

驱动通道数：2

下降时间：20ns

工作温度：-40℃~150℃

负载类型：IGBT，N沟道MOSFET

峰值拉电流：2.3A

电源电压：10V~20V

峰值灌电流：1.9A

驱动配置：半桥

包装方式：管件

包装清单：商品主体 * 1

生产批次：{"18+"：655，"22+"：3513，"23+"：5654，"MI+"：3800}

包装规格(MPQ)：95psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IRS2004SPBF

上升时间：70ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：2

下降时间：35ns

工作温度：-40℃~150℃

负载类型：IGBT，N沟道MOSFET

峰值拉电流：600mA

电源电压：10V~20V

峰值灌电流：290mA

驱动配置：半桥

包装方式：管件

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：45psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IR2010SPBF

上升时间：10ns

驱动通道数：2

下降时间：15ns

工作温度：-40℃~150℃

负载类型：IGBT，N沟道MOSFET

峰值拉电流：3A

电源电压：10V~20V

峰值灌电流：3A

驱动配置：半桥

包装方式：管件

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：95psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IR2183SPBF

上升时间：40ns

驱动通道数：2

下降时间：20ns

工作温度：-40℃~150℃

负载类型：IGBT，N沟道MOSFET

峰值拉电流：2.3A

电源电压：10V~20V

峰值灌电流：1.9A

驱动配置：半桥

包装方式：管件

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：IR2181SPBF

上升时间：40ns

驱动通道数：2

下降时间：20ns

工作温度：-40℃~150℃

负载类型：IGBT，N沟道MOSFET

峰值拉电流：2.3A

电源电压：10V~20V

峰值灌电流：1.9A

驱动配置：半桥

包装方式：管件

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：95psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IRS2101SPBF

上升时间：70ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：2

下降时间：35ns

工作温度：-40℃~150℃

负载类型：IGBT，N沟道MOSFET

峰值拉电流：600mA

电源电压：10V~20V

峰值灌电流：290mA

驱动配置：高压侧或低压侧

包装方式：管件

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：IR2184PBF

上升时间：40ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：2

下降时间：20ns

工作温度：-40℃~150℃

负载类型：IGBT，N沟道MOSFET

峰值拉电流：2.3A

电源电压：10V~20V

峰值灌电流：1.9A

驱动配置：半桥

包装方式：管件

包装清单：商品主体 * 1

生产批次：{"23+"：19650，"9999"：11}

销售单位：个

规格型号(MPN)：IRS21844SPBF

上升时间：40ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：2

下降时间：20ns

工作温度：-40℃~150℃

负载类型：IGBT，N沟道MOSFET

峰值拉电流：2.3A

电源电压：10V~20V

峰值灌电流：1.9A

驱动配置：半桥

包装方式：管件

包装清单：商品主体 * 1

生产批次：{"17+"：484，"20+"：6}

销售单位：个

规格型号(MPN)：IR2108PBF

上升时间：150ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：2

下降时间：50ns

工作温度：-40℃~150℃

负载类型：IGBT，N沟道MOSFET

峰值拉电流：350mA

电源电压：10V~20V

峰值灌电流：200mA

驱动配置：半桥

包装方式：管件

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：95psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IRS2103SPBF

上升时间：70ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：2

下降时间：35ns

工作温度：-40℃~150℃

负载类型：IGBT，N沟道MOSFET

峰值拉电流：600mA

电源电压：10V~20V

峰值灌电流：290mA

驱动配置：半桥

包装方式：管件

包装清单：商品主体 * 1

生产批次：{"18+"：4，"23+"：765}

销售单位：个

规格型号(MPN)：IR2132SPBF

上升时间：80ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：6

下降时间：35ns

工作温度：-40℃~150℃

负载类型：IGBT，N沟道MOSFET

峰值拉电流：500mA

电源电压：10V~20V

峰值灌电流：250mA

驱动配置：半桥

包装方式：管件

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：50psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IR2011PBF

上升时间：35ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：2

下降时间：20ns

工作温度：-40℃~150℃

负载类型：N沟道MOSFET

峰值拉电流：1A

电源电压：10V~20V

峰值灌电流：1A

驱动配置：高压侧或低压侧

包装方式：管件

包装清单：商品主体 * 1

生产批次：{"18+"：5535，"19+"：3000}

销售单位：个

规格型号(MPN)：IRS2181PBF

上升时间：40ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：2

下降时间：20ns

工作温度：-40℃~150℃

负载类型：IGBT，N沟道MOSFET

峰值拉电流：2.3A

电源电压：10V~20V

峰值灌电流：1.9A

驱动配置：半桥

包装方式：管件

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：IR2109PBF

上升时间：150ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：2

下降时间：50ns

工作温度：-40℃~150℃

负载类型：IGBT，N沟道MOSFET

峰值拉电流：350mA

电源电压：10V~20V

峰值灌电流：200mA

驱动配置：半桥

包装方式：管件

包装清单：商品主体 * 1