品牌:DIODES
分类:门极驱动器
行业应用:其他
是否隔离:隔离
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXGD3006E6QTA
上升时间:48ns
驱动通道数:1
下降时间:35ns
工作温度:-55℃~150℃
负载类型:IGBT,SiCMOSFET
峰值拉电流:10A
电源电压:40V
峰值灌电流:10A
驱动配置:低端
包装方式:卷带(TR)
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):UCC27325DR
上升时间:20ns
ECCN:EAR99
驱动通道数:2
下降时间:15ns
工作温度:-55℃~150℃
负载类型:N沟道,P沟道MOSFET
峰值拉电流:4A
电源电压:4.5V~15V
峰值灌电流:4A
驱动配置:低端
包装方式:卷带(TR)
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:IXYS
分类:门极驱动器
行业应用:其他
是否隔离:隔离
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IXDI609CI
上升时间:22ns
驱动通道数:1
下降时间:15ns
工作温度:-55℃~150℃
负载类型:IGBT,N沟道,P沟道MOSFET
峰值拉电流:9A
电源电压:4.5V~35V
峰值灌电流:9A
驱动配置:低端
包装方式:管件
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:门极驱动器
行业应用:其他
是否隔离:隔离
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXGD3006E6TA
上升时间:48ns
驱动通道数:1
下降时间:35ns
工作温度:-55℃~150℃
负载类型:IGBT,SiCMOSFET
峰值拉电流:10A
电源电压:40V
峰值灌电流:10A
驱动配置:低端
包装方式:卷带(TR)
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IXDD609YI
上升时间:22ns
ECCN:EAR99
驱动通道数:1
下降时间:15ns
工作温度:-55℃~150℃
负载类型:IGBT,N沟道,P沟道MOSFET
峰值拉电流:9A
电源电压:4.5V~35V
峰值灌电流:9A
驱动配置:低端
包装方式:管件
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):UCC27323DGNR
上升时间:20ns
ECCN:EAR99
驱动通道数:2
下降时间:15ns
工作温度:-55℃~150℃
负载类型:N沟道,P沟道MOSFET
峰值拉电流:4A
电源电压:4.5V~15V
峰值灌电流:4A
驱动配置:低端
包装方式:卷带(TR)
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):UCC37324DR
上升时间:20ns
ECCN:EAR99
驱动通道数:2
下降时间:15ns
工作温度:-55℃~150℃
负载类型:N沟道,P沟道MOSFET
峰值拉电流:4A
电源电压:4.5V~15V
峰值灌电流:4A
驱动配置:低端
包装方式:卷带(TR)
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):UCC27324DR
上升时间:20ns
驱动通道数:2
下降时间:15ns
工作温度:-55℃~150℃
负载类型:N沟道,P沟道MOSFET
峰值拉电流:4A
电源电压:4.5V~15V
峰值灌电流:4A
驱动配置:低端
包装方式:卷带(TR)
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:门极驱动器
行业应用:其他
是否隔离:隔离
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXGD3006E6TA
上升时间:48ns
驱动通道数:1
下降时间:35ns
工作温度:-55℃~150℃
负载类型:IGBT,SiCMOSFET
峰值拉电流:10A
电源电压:40V
峰值灌电流:10A
驱动配置:低端
包装方式:卷带(TR)
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:门极驱动器
行业应用:其他
是否隔离:隔离
销售单位:个
规格型号(MPN):UCC27323DR
上升时间:20ns
驱动通道数:2
下降时间:15ns
工作温度:-55℃~150℃
负载类型:N沟道,P沟道MOSFET
峰值拉电流:4A
电源电压:4.5V~15V
峰值灌电流:4A
驱动配置:低端
包装方式:卷带(TR)
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):UCC37324DR
上升时间:20ns
ECCN:EAR99
驱动通道数:2
下降时间:15ns
工作温度:-55℃~150℃
负载类型:N沟道,P沟道MOSFET
峰值拉电流:4A
电源电压:4.5V~15V
峰值灌电流:4A
驱动配置:低端
包装方式:卷带(TR)
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:门极驱动器
行业应用:其他
是否隔离:隔离
销售单位:个
规格型号(MPN):FAN3121TMPX
上升时间:23ns
ECCN:EAR99
驱动通道数:1
下降时间:19ns
工作温度:-55℃~150℃
负载类型:N沟道MOSFET
峰值拉电流:11.4A
电源电压:4.5V~18V
峰值灌电流:10.6A
驱动配置:低端
包装方式:卷带(TR)
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):UCC27324DGNR
上升时间:20ns
驱动通道数:2
下降时间:15ns
工作温度:-55℃~150℃
负载类型:N沟道,P沟道MOSFET
峰值拉电流:4A
电源电压:4.5V~15V
峰值灌电流:4A
驱动配置:低端
包装方式:卷带(TR)
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:门极驱动器
行业应用:其他
是否隔离:隔离
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXGD3004E6TA
上升时间:13.4ns
ECCN:EAR99
驱动通道数:1
下降时间:12.4ns
工作温度:-55℃~150℃
负载类型:IGBT,N沟道MOSFET
峰值拉电流:8A
电源电压:40V
峰值灌电流:8A
驱动配置:低端
包装方式:卷带(TR)
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:门极驱动器
行业应用:其他
是否隔离:隔离
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXGD3002E6TA
上升时间:8.3ns
驱动通道数:1
下降时间:10.8ns
工作温度:-55℃~150℃
负载类型:IGBT,N沟道MOSFET
峰值拉电流:9A
电源电压:20V
峰值灌电流:9A
驱动配置:低端
包装方式:卷带(TR)
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):UCC27323D
上升时间:20ns
驱动通道数:2
下降时间:15ns
工作温度:-55℃~150℃
负载类型:N沟道,P沟道MOSFET
峰值拉电流:4A
电源电压:4.5V~15V
峰值灌电流:4A
驱动配置:低端
包装方式:管件
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:门极驱动器
行业应用:其他
是否隔离:隔离
销售单位:个
规格型号(MPN):FL3100TSX
上升时间:13ns
ECCN:EAR99
驱动通道数:1
下降时间:9ns
工作温度:-55℃~150℃
负载类型:N沟道MOSFET
峰值拉电流:3.2A
电源电压:4.5V~18V
峰值灌电流:3A
驱动配置:低端
包装方式:卷带(TR)
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:门极驱动器
行业应用:其他
是否隔离:隔离
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXGD3005E6TA
上升时间:48ns
ECCN:EAR99
驱动通道数:1
下降时间:35ns
工作温度:-55℃~150℃
负载类型:IGBT,N沟道MOSFET
峰值拉电流:10A
电源电压:25V
峰值灌电流:10A
驱动配置:低端
包装方式:卷带(TR)
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:门极驱动器
行业应用:其他
是否隔离:隔离
销售单位:个
规格型号(MPN):UCC27323DGNR
上升时间:20ns
驱动通道数:2
下降时间:15ns
工作温度:-55℃~150℃
负载类型:N沟道,P沟道MOSFET
峰值拉电流:4A
电源电压:4.5V~15V
峰值灌电流:4A
驱动配置:低端
包装方式:卷带(TR)
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):UCC37325DR
上升时间:20ns
驱动通道数:2
下降时间:15ns
工作温度:-55℃~150℃
负载类型:N沟道,P沟道MOSFET
峰值拉电流:4A
电源电压:4.5V~15V
峰值灌电流:4A
驱动配置:低端
包装方式:卷带(TR)
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):FL3100TSX
上升时间:13ns
ECCN:EAR99
驱动通道数:1
下降时间:9ns
工作温度:-55℃~150℃
负载类型:N沟道MOSFET
峰值拉电流:3.2A
电源电压:4.5V~18V
峰值灌电流:3A
驱动配置:低端
包装方式:卷带(TR)
包装清单:商品主体 * 1
库存:
生产批次:1119
包装规格(MPQ):75psc
销售单位:个
规格型号(MPN):UCC27324D
上升时间:20ns
驱动通道数:2
下降时间:15ns
工作温度:-55℃~150℃
负载类型:N沟道,P沟道MOSFET
峰值拉电流:4A
电源电压:4.5V~15V
峰值灌电流:4A
驱动配置:低端
包装方式:管件
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):UCC27324DR
上升时间:20ns
ECCN:EAR99
驱动通道数:2
下降时间:15ns
工作温度:-55℃~150℃
负载类型:N沟道,P沟道MOSFET
峰值拉电流:4A
电源电压:4.5V~15V
峰值灌电流:4A
驱动配置:低端
包装方式:卷带(TR)
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:门极驱动器
行业应用:其他
是否隔离:隔离
包装规格(MPQ):56psc
销售单位:个
规格型号(MPN):TC4424MJA
上升时间:23ns
ECCN:EAR99
驱动通道数:2
下降时间:25ns
工作温度:-55℃~150℃
负载类型:N沟道,P沟道MOSFET
峰值拉电流:3A
电源电压:4.5V~18V
峰值灌电流:3A
驱动配置:低端
包装方式:管件
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:门极驱动器
行业应用:其他
是否隔离:隔离
销售单位:个
规格型号(MPN):FAN3100CMPX
上升时间:13ns
驱动通道数:1
下降时间:9ns
工作温度:-55℃~150℃
负载类型:N沟道MOSFET
峰值拉电流:3A
电源电压:4.5V~18V
峰值灌电流:3A
驱动配置:低端
包装方式:卷带(TR)
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:门极驱动器
行业应用:其他
是否隔离:隔离
销售单位:个
规格型号(MPN):UCC37323DR
上升时间:20ns
驱动通道数:2
下降时间:15ns
工作温度:-55℃~150℃
负载类型:N沟道,P沟道MOSFET
峰值拉电流:4A
电源电压:4.5V~15V
峰值灌电流:4A
驱动配置:低端
包装方式:卷带(TR)
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):100psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IX4340NE
上升时间:7ns
ECCN:EAR99
驱动通道数:2
下降时间:7ns
工作温度:-55℃~150℃
负载类型:N沟道,P沟道MOSFET
峰值拉电流:5A
电源电压:5V~20V
峰值灌电流:5A
驱动配置:低端
包装方式:管件
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:IXYS
分类:门极驱动器
行业应用:其他
是否隔离:隔离
包装规格(MPQ):100psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IXDI609SI
上升时间:22ns
驱动通道数:1
下降时间:15ns
工作温度:-55℃~150℃
负载类型:IGBT,N沟道,P沟道MOSFET
峰值拉电流:9A
电源电压:4.5V~35V
峰值灌电流:9A
驱动配置:低端
包装方式:Tube
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:IXYS
分类:门极驱动器
行业应用:其他
是否隔离:隔离
销售单位:个
规格型号(MPN):IXDD609SITR
上升时间:22ns
驱动通道数:1
下降时间:15ns
工作温度:-55℃~150℃
负载类型:IGBT,N沟道,P沟道MOSFET
峰值拉电流:9A
电源电压:4.5V~35V
峰值灌电流:9A
驱动配置:低端
包装方式:卷带(TR)
包装清单:商品主体 * 1
库存: