采购热线 400-661-9010
品牌：DIODES
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXGD3006E6QTA
上升时间：48ns
驱动通道数：1
下降时间：35ns
工作温度：-55℃~150℃
负载类型：IGBT，SiCMOSFET
峰值拉电流：10A
电源电压：40V
峰值灌电流：10A
驱动配置：低端
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：UCC27325DR
上升时间：20ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：15ns
工作温度：-55℃~150℃
负载类型：N沟道，P沟道MOSFET
峰值拉电流：4A
电源电压：4.5V~15V
峰值灌电流：4A
驱动配置：低端
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXGD3006E6TA
上升时间：48ns
驱动通道数：1
下降时间：35ns
工作温度：-55℃~150℃
负载类型：IGBT，SiCMOSFET
峰值拉电流：10A
电源电压：40V
峰值灌电流：10A
驱动配置：低端
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：UCC27323DGNR
上升时间：20ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：15ns
工作温度：-55℃~150℃
负载类型：N沟道，P沟道MOSFET
峰值拉电流：4A
电源电压：4.5V~15V
峰值灌电流：4A
驱动配置：低端
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：UCC37324DR
上升时间：20ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：15ns
工作温度：-55℃~150℃
负载类型：N沟道，P沟道MOSFET
峰值拉电流：4A
电源电压：4.5V~15V
峰值灌电流：4A
驱动配置：低端
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：UCC27324DR
上升时间：20ns
驱动通道数：2
下降时间：15ns
工作温度：-55℃~150℃
负载类型：N沟道，P沟道MOSFET
峰值拉电流：4A
电源电压：4.5V~15V
峰值灌电流：4A
驱动配置：低端
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXGD3006E6TA
上升时间：48ns
驱动通道数：1
下降时间：35ns
工作温度：-55℃~150℃
负载类型：IGBT，SiCMOSFET
峰值拉电流：10A
电源电压：40V
峰值灌电流：10A
驱动配置：低端
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：UCC27323DR
上升时间：20ns
驱动通道数：2
下降时间：15ns
工作温度：-55℃~150℃
负载类型：N沟道，P沟道MOSFET
峰值拉电流：4A
电源电压：4.5V~15V
峰值灌电流：4A
驱动配置：低端
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：UCC37324DR
上升时间：20ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：15ns
工作温度：-55℃~150℃
负载类型：N沟道，P沟道MOSFET
峰值拉电流：4A
电源电压：4.5V~15V
峰值灌电流：4A
驱动配置：低端
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：FAN3121TMPX
上升时间：23ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：1
下降时间：19ns
工作温度：-55℃~150℃
负载类型：N沟道MOSFET
峰值拉电流：11.4A
电源电压：4.5V~18V
峰值灌电流：10.6A
驱动配置：低端
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：UCC27324DGNR
上升时间：20ns
驱动通道数：2
下降时间：15ns
工作温度：-55℃~150℃
负载类型：N沟道，P沟道MOSFET
峰值拉电流：4A
电源电压：4.5V~15V
峰值灌电流：4A
驱动配置：低端
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXGD3004E6TA
上升时间：13.4ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：1
下降时间：12.4ns
工作温度：-55℃~150℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：8A
电源电压：40V
峰值灌电流：8A
驱动配置：低端
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXGD3002E6TA
上升时间：8.3ns
驱动通道数：1
下降时间：10.8ns
工作温度：-55℃~150℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：9A
电源电压：20V
峰值灌电流：9A
驱动配置：低端
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：FL3100TSX
上升时间：13ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：1
下降时间：9ns
工作温度：-55℃~150℃
负载类型：N沟道MOSFET
峰值拉电流：3.2A
电源电压：4.5V~18V
峰值灌电流：3A
驱动配置：低端
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXGD3005E6TA
上升时间：48ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：1
下降时间：35ns
工作温度：-55℃~150℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：10A
电源电压：25V
峰值灌电流：10A
驱动配置：低端
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：UCC27323DGNR
上升时间：20ns
驱动通道数：2
下降时间：15ns
工作温度：-55℃~150℃
负载类型：N沟道，P沟道MOSFET
峰值拉电流：4A
电源电压：4.5V~15V
峰值灌电流：4A
驱动配置：低端
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：UCC37325DR
上升时间：20ns
驱动通道数：2
下降时间：15ns
工作温度：-55℃~150℃
负载类型：N沟道，P沟道MOSFET
峰值拉电流：4A
电源电压：4.5V~15V
峰值灌电流：4A
驱动配置：低端
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：FL3100TSX
上升时间：13ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：1
下降时间：9ns
工作温度：-55℃~150℃
负载类型：N沟道MOSFET
峰值拉电流：3.2A
电源电压：4.5V~18V
峰值灌电流：3A
驱动配置：低端
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：UCC27324DR
上升时间：20ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：15ns
工作温度：-55℃~150℃
负载类型：N沟道，P沟道MOSFET
峰值拉电流：4A
电源电压：4.5V~15V
峰值灌电流：4A
驱动配置：低端
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：FAN3100CMPX
上升时间：13ns
驱动通道数：1
下降时间：9ns
工作温度：-55℃~150℃
负载类型：N沟道MOSFET
峰值拉电流：3A
电源电压：4.5V~18V
峰值灌电流：3A
驱动配置：低端
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：UCC37323DR
上升时间：20ns
驱动通道数：2
下降时间：15ns
工作温度：-55℃~150℃
负载类型：N沟道，P沟道MOSFET
峰值拉电流：4A
电源电压：4.5V~15V
峰值灌电流：4A
驱动配置：低端
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：IXYS
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXDD609SITR
上升时间：22ns
驱动通道数：1
下降时间：15ns
工作温度：-55℃~150℃
负载类型：IGBT，N沟道，P沟道MOSFET
峰值拉电流：9A
电源电压：4.5V~35V
峰值灌电流：9A
驱动配置：低端
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXGD3004E6TA
上升时间：13.4ns
驱动通道数：1
下降时间：12.4ns
工作温度：-55℃~150℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：8A
电源电压：40V
峰值灌电流：8A
驱动配置：低端
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：UCC27323DGNR
上升时间：20ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：15ns
工作温度：-55℃~150℃
负载类型：N沟道，P沟道MOSFET
峰值拉电流：4A
电源电压：4.5V~15V
峰值灌电流：4A
驱动配置：低端
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXGD3002E6TA
上升时间：8.3ns
驱动通道数：1
下降时间：10.8ns
工作温度：-55℃~150℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：9A
电源电压：20V
峰值灌电流：9A
驱动配置：低端
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXGD3005E6TA
上升时间：48ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：1
下降时间：35ns
工作温度：-55℃~150℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：10A
电源电压：25V
峰值灌电流：10A
驱动配置：低端
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：UCC27324DGNR
上升时间：20ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：15ns
工作温度：-55℃~150℃
负载类型：N沟道，P沟道MOSFET
峰值拉电流：4A
电源电压：4.5V~15V
峰值灌电流：4A
驱动配置：低端
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：FAN3100CMPX
上升时间：13ns
驱动通道数：1
下降时间：9ns
工作温度：-55℃~150℃
负载类型：N沟道MOSFET
峰值拉电流：3A
电源电压：4.5V~18V
峰值灌电流：3A
驱动配置：低端
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：UCC27324QDRQ1
上升时间：20ns
驱动通道数：2
下降时间：15ns
工作温度：-55℃~150℃
负载类型：N沟道，P沟道MOSFET
峰值拉电流：4A
电源电压：4V~15V
峰值灌电流：4A
驱动配置：低端
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：FAN3122CMPX
上升时间：23ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：1
下降时间：19ns
工作温度：-55℃~150℃
负载类型：N沟道MOSFET
峰值拉电流：11.4A
电源电压：4.5V~18V
峰值灌电流：10.6A
驱动配置：低端
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
