采购热线 400-661-9010
包装规格(MPQ)：100psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IX4340NE
上升时间：7ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：7ns
工作温度：-55℃~150℃
负载类型：N沟道，P沟道MOSFET
峰值拉电流：5A
电源电压：5V~20V
峰值灌电流：5A
驱动配置：低端
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXGD3003E6TA
上升时间：8.9ns
驱动通道数：1
下降时间：8.9ns
工作温度：-55℃~150℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：5A
电源电压：40V
峰值灌电流：5A
驱动配置：低端
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXGD3003E6TA
上升时间：8.9ns
驱动通道数：1
下降时间：8.9ns
工作温度：-55℃~150℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：5A
电源电压：40V
峰值灌电流：5A
驱动配置：低端
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXGD3003E6QTA
上升时间：8.9ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：1
下降时间：8.9ns
工作温度：-55℃~150℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：5A
电源电压：40V
峰值灌电流：5A
驱动配置：低端
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXGD3003E6QTA
上升时间：8.9ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：1
下降时间：8.9ns
工作温度：-55℃~150℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：5A
电源电压：40V
峰值灌电流：5A
驱动配置：低端
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：IXYS
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
包装规格(MPQ)：100psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IX4340N
上升时间：7ns
驱动通道数：2
下降时间：7ns
工作温度：-55℃~150℃
负载类型：N沟道，P沟道MOSFET
峰值拉电流：5A
电源电压：5V~20V
峰值灌电流：5A
驱动配置：低端
包装方式：Tube
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXGD3003E6TA
上升时间：8.9ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：1
下降时间：8.9ns
工作温度：-55℃~150℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：5A
电源电压：40V
峰值灌电流：5A
驱动配置：低端
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXGD3003E6QTA
上升时间：8.9ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：1
下降时间：8.9ns
工作温度：-55℃~150℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：5A
电源电压：40V
峰值灌电流：5A
驱动配置：低端
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXGD3003E6QTA
上升时间：8.9ns
驱动通道数：1
下降时间：8.9ns
工作温度：-55℃~150℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：5A
电源电压：40V
峰值灌电流：5A
驱动配置：低端
包装方式：卷带（TR）
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库存：
包装规格(MPQ)：100psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IX4340NE
上升时间：7ns
驱动通道数：2
下降时间：7ns
工作温度：-55℃~150℃
负载类型：N沟道，P沟道MOSFET
峰值拉电流：5A
电源电压：5V~20V
峰值灌电流：5A
驱动配置：低端
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：100psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IX4340N
上升时间：7ns
驱动通道数：2
下降时间：7ns
工作温度：-55℃~150℃
负载类型：N沟道，P沟道MOSFET
峰值拉电流：5A
电源电压：5V~20V
峰值灌电流：5A
驱动配置：低端
包装方式：Tube
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库存：
品牌：DIODES
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXGD3003E6QTA
上升时间：8.9ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：1
下降时间：8.9ns
工作温度：-55℃~150℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：5A
电源电压：40V
峰值灌电流：5A
驱动配置：低端
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXGD3003E6QTA
上升时间：8.9ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：1
下降时间：8.9ns
工作温度：-55℃~150℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：5A
电源电压：40V
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包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：100psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IX4340NE
上升时间：7ns
驱动通道数：2
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工作温度：-55℃~150℃
负载类型：N沟道，P沟道MOSFET
峰值拉电流：5A
电源电压：5V~20V
峰值灌电流：5A
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包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXGD3003E6TA
上升时间：8.9ns
驱动通道数：1
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工作温度：-55℃~150℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：5A
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销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXGD3003E6TA
上升时间：8.9ns
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工作温度：-55℃~150℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：5A
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库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXGD3003E6TA
上升时间：8.9ns
驱动通道数：1
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工作温度：-55℃~150℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：5A
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峰值灌电流：5A
驱动配置：低端
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXGD3003E6TA
上升时间：8.9ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：1
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工作温度：-55℃~150℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：5A
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峰值灌电流：5A
驱动配置：低端
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：100psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IX4340NE
上升时间：7ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
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工作温度：-55℃~150℃
负载类型：N沟道，P沟道MOSFET
峰值拉电流：5A
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包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXGD3003E6QTA
上升时间：8.9ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：1
下降时间：8.9ns
工作温度：-55℃~150℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：5A
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驱动配置：低端
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXGD3003E6QTA
上升时间：8.9ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：1
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工作温度：-55℃~150℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：5A
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峰值灌电流：5A
驱动配置：低端
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：100psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IX4340NE
上升时间：7ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
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工作温度：-55℃~150℃
负载类型：N沟道，P沟道MOSFET
峰值拉电流：5A
电源电压：5V~20V
峰值灌电流：5A
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包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
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销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXGD3003E6TA
上升时间：8.9ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：1
下降时间：8.9ns
工作温度：-55℃~150℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：5A
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峰值灌电流：5A
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包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：100psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IX4340UE
上升时间：7ns
驱动通道数：2
下降时间：7ns
工作温度：-55℃~150℃
负载类型：N沟道，P沟道MOSFET
峰值拉电流：5A
电源电压：5V~20V
峰值灌电流：5A
驱动配置：低端
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXGD3003E6TA
上升时间：8.9ns
驱动通道数：1
下降时间：8.9ns
工作温度：-55℃~150℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：5A
电源电压：40V
峰值灌电流：5A
驱动配置：低端
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：IXYS
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
包装规格(MPQ)：100psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IX4340NE
上升时间：7ns
驱动通道数：2
下降时间：7ns
工作温度：-55℃~150℃
负载类型：N沟道，P沟道MOSFET
峰值拉电流：5A
电源电压：5V~20V
峰值灌电流：5A
驱动配置：低端
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXGD3003E6TA
上升时间：8.9ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：1
下降时间：8.9ns
工作温度：-55℃~150℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：5A
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峰值灌电流：5A
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包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：IXYS
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：IX4340NTR
上升时间：7ns
驱动通道数：2
下降时间：7ns
工作温度：-55℃~150℃
负载类型：N沟道，P沟道MOSFET
峰值拉电流：5A
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包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXGD3003E6TA
上升时间：8.9ns
驱动通道数：1
下降时间：8.9ns
工作温度：-55℃~150℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：5A
电源电压：40V
峰值灌电流：5A
驱动配置：低端
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXGD3003E6QTA
上升时间：8.9ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：1
下降时间：8.9ns
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负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：5A
电源电压：40V
峰值灌电流：5A
驱动配置：低端
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
