采购热线 400-661-9010
品牌：ON SEMI
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
生产批次：{"23+"：4072}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FAN3278TMX
上升时间：21ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：8ns
工作温度：-55℃~150℃
负载类型：N沟道，P沟道MOSFET
峰值拉电流：1.5A
电源电压：8V~27V
峰值灌电流：1A
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：HIP2100IBZT7A
上升时间：10ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：10ns
工作温度：-55℃~150℃
负载类型：N沟道MOSFET
峰值拉电流：2A
电源电压：9V~14V
峰值灌电流：2A
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：HIP2100IBZT
上升时间：10ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：10ns
工作温度：-55℃~150℃
负载类型：N沟道MOSFET
峰值拉电流：2A
电源电压：9V~14V
峰值灌电流：2A
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：FAN3268TMX-F085
上升时间：12ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：9ns
工作温度：-55℃~150℃
负载类型：N沟道，P沟道MOSFET
峰值拉电流：3A
电源电压：4.5V~18V
峰值灌电流：3A
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
包装规格(MPQ)：980psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：HIP2100EIBZ
上升时间：10ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：10ns
工作温度：-55℃~150℃
负载类型：N沟道MOSFET
峰值拉电流：2A
电源电压：9V~14V
峰值灌电流：2A
驱动配置：半桥
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：FAN3278TMX
上升时间：21ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：8ns
工作温度：-55℃~150℃
负载类型：N沟道，P沟道MOSFET
峰值拉电流：1.5A
电源电压：8V~27V
峰值灌电流：1A
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：HIP2100IBZT7A
上升时间：10ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：10ns
工作温度：-55℃~150℃
负载类型：N沟道MOSFET
峰值拉电流：2A
电源电压：9V~14V
峰值灌电流：2A
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
包装规格(MPQ)：980psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：HIP2101IBZ
上升时间：10ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：10ns
工作温度：-55℃~150℃
负载类型：N沟道MOSFET
峰值拉电流：2A
电源电压：9V~14V
峰值灌电流：2A
驱动配置：半桥
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：HIP2100IBZT7A
上升时间：10ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：10ns
工作温度：-55℃~150℃
负载类型：N沟道MOSFET
峰值拉电流：2A
电源电压：9V~14V
峰值灌电流：2A
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：HIP2100IBZT
上升时间：10ns
驱动通道数：2
下降时间：10ns
工作温度：-55℃~150℃
负载类型：N沟道MOSFET
峰值拉电流：2A
电源电压：9V~14V
峰值灌电流：2A
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：FAN3268TMX
上升时间：12ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：9ns
工作温度：-55℃~150℃
负载类型：N沟道，P沟道MOSFET
峰值拉电流：3A
电源电压：4.5V~18V
峰值灌电流：3A
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：HIP2100IBZT
上升时间：10ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：10ns
工作温度：-55℃~150℃
负载类型：N沟道MOSFET
峰值拉电流：2A
电源电压：9V~14V
峰值灌电流：2A
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：HIP2101IBZT7A
上升时间：10ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：10ns
工作温度：-55℃~150℃
负载类型：N沟道MOSFET
峰值拉电流：2A
电源电压：9V~14V
峰值灌电流：2A
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：HIP2101IBZT
上升时间：10ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：10ns
工作温度：-55℃~150℃
负载类型：N沟道MOSFET
峰值拉电流：2A
电源电压：9V~14V
峰值灌电流：2A
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
包装规格(MPQ)：45psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IR2213SPBF
上升时间：25ns
驱动通道数：2
下降时间：17ns
工作温度：-55℃~150℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：2.5A
电源电压：12V~20V
峰值灌电流：2A
驱动配置：半桥
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：HIP2101IBZT
上升时间：10ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：10ns
工作温度：-55℃~150℃
负载类型：N沟道MOSFET
峰值拉电流：2A
电源电压：9V~14V
峰值灌电流：2A
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：HIP2101IBZT
上升时间：10ns
驱动通道数：2
下降时间：10ns
工作温度：-55℃~150℃
负载类型：N沟道MOSFET
峰值拉电流：2A
电源电压：9V~14V
峰值灌电流：2A
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：HIP2101IBZT
上升时间：10ns
驱动通道数：2
下降时间：10ns
工作温度：-55℃~150℃
负载类型：N沟道MOSFET
峰值拉电流：2A
电源电压：9V~14V
峰值灌电流：2A
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
包装规格(MPQ)：980psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：HIP2101IBZ
上升时间：10ns
驱动通道数：2
下降时间：10ns
工作温度：-55℃~150℃
负载类型：N沟道MOSFET
峰值拉电流：2A
电源电压：9V~14V
峰值灌电流：2A
驱动配置：半桥
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：FAN3278TMX
上升时间：21ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：8ns
工作温度：-55℃~150℃
负载类型：N沟道，P沟道MOSFET
峰值拉电流：1.5A
电源电压：8V~27V
峰值灌电流：1A
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：HIP2100IBZT7A
上升时间：10ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：10ns
工作温度：-55℃~150℃
负载类型：N沟道MOSFET
峰值拉电流：2A
电源电压：9V~14V
峰值灌电流：2A
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：HIP2100IBZT7A
上升时间：10ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：10ns
工作温度：-55℃~150℃
负载类型：N沟道MOSFET
峰值拉电流：2A
电源电压：9V~14V
峰值灌电流：2A
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
包装规格(MPQ)：980psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：HIP2101IBZ
上升时间：10ns
驱动通道数：2
下降时间：10ns
工作温度：-55℃~150℃
负载类型：N沟道MOSFET
峰值拉电流：2A
电源电压：9V~14V
峰值灌电流：2A
驱动配置：半桥
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：FAN3278TMX
上升时间：21ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：8ns
工作温度：-55℃~150℃
负载类型：N沟道，P沟道MOSFET
峰值拉电流：1.5A
电源电压：8V~27V
峰值灌电流：1A
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：FAN3278TMX
上升时间：21ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：8ns
工作温度：-55℃~150℃
负载类型：N沟道，P沟道MOSFET
峰值拉电流：1.5A
电源电压：8V~27V
峰值灌电流：1A
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：HIP2100EIBZT
上升时间：10ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：10ns
工作温度：-55℃~150℃
负载类型：N沟道MOSFET
峰值拉电流：2A
电源电压：9V~14V
峰值灌电流：2A
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：HIP2101EIBZT
上升时间：10ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：10ns
工作温度：-55℃~150℃
负载类型：N沟道MOSFET
峰值拉电流：2A
电源电压：9V~14V
峰值灌电流：2A
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：HIP2101EIBZT
上升时间：10ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：10ns
工作温度：-55℃~150℃
负载类型：N沟道MOSFET
峰值拉电流：2A
电源电压：9V~14V
峰值灌电流：2A
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：HIP2100IBZT
上升时间：10ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：10ns
工作温度：-55℃~150℃
负载类型：N沟道MOSFET
峰值拉电流：2A
电源电压：9V~14V
峰值灌电流：2A
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
包装规格(MPQ)：980psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：HIP2101IBZ
上升时间：10ns
驱动通道数：2
下降时间：10ns
工作温度：-55℃~150℃
负载类型：N沟道MOSFET
峰值拉电流：2A
电源电压：9V~14V
峰值灌电流：2A
驱动配置：半桥
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：
