采购热线 400-661-9010
品牌：DIODES
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXGD3006E6QTA
上升时间：48ns
驱动通道数：1
下降时间：35ns
工作温度：-55℃~150℃
负载类型：IGBT，SiCMOSFET
峰值拉电流：10A
电源电压：40V
峰值灌电流：10A
驱动配置：低端
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：IXYS
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXDI609CI
上升时间：22ns
驱动通道数：1
下降时间：15ns
工作温度：-55℃~150℃
负载类型：IGBT，N沟道，P沟道MOSFET
峰值拉电流：9A
电源电压：4.5V~35V
峰值灌电流：9A
驱动配置：低端
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXGD3006E6TA
上升时间：48ns
驱动通道数：1
下降时间：35ns
工作温度：-55℃~150℃
负载类型：IGBT，SiCMOSFET
峰值拉电流：10A
电源电压：40V
峰值灌电流：10A
驱动配置：低端
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXDD609YI
上升时间：22ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：1
下降时间：15ns
工作温度：-55℃~150℃
负载类型：IGBT，N沟道，P沟道MOSFET
峰值拉电流：9A
电源电压：4.5V~35V
峰值灌电流：9A
驱动配置：低端
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXGD3006E6TA
上升时间：48ns
驱动通道数：1
下降时间：35ns
工作温度：-55℃~150℃
负载类型：IGBT，SiCMOSFET
峰值拉电流：10A
电源电压：40V
峰值灌电流：10A
驱动配置：低端
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：FAN3121TMPX
上升时间：23ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：1
下降时间：19ns
工作温度：-55℃~150℃
负载类型：N沟道MOSFET
峰值拉电流：11.4A
电源电压：4.5V~18V
峰值灌电流：10.6A
驱动配置：低端
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXGD3004E6TA
上升时间：13.4ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：1
下降时间：12.4ns
工作温度：-55℃~150℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：8A
电源电压：40V
峰值灌电流：8A
驱动配置：低端
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXGD3002E6TA
上升时间：8.3ns
驱动通道数：1
下降时间：10.8ns
工作温度：-55℃~150℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：9A
电源电压：20V
峰值灌电流：9A
驱动配置：低端
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：FL3100TSX
上升时间：13ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：1
下降时间：9ns
工作温度：-55℃~150℃
负载类型：N沟道MOSFET
峰值拉电流：3.2A
电源电压：4.5V~18V
峰值灌电流：3A
驱动配置：低端
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXGD3005E6TA
上升时间：48ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：1
下降时间：35ns
工作温度：-55℃~150℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：10A
电源电压：25V
峰值灌电流：10A
驱动配置：低端
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：FL3100TSX
上升时间：13ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：1
下降时间：9ns
工作温度：-55℃~150℃
负载类型：N沟道MOSFET
峰值拉电流：3.2A
电源电压：4.5V~18V
峰值灌电流：3A
驱动配置：低端
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：FAN73711MX
上升时间：25ns
驱动通道数：1
下降时间：15ns
工作温度：-55℃~150℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：4A
电源电压：10V~20V
峰值灌电流：4A
驱动配置：高端
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：FAN3100CMPX
上升时间：13ns
驱动通道数：1
下降时间：9ns
工作温度：-55℃~150℃
负载类型：N沟道MOSFET
峰值拉电流：3A
电源电压：4.5V~18V
峰值灌电流：3A
驱动配置：低端
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：IXYS
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
包装规格(MPQ)：100psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXDI609SI
上升时间：22ns
驱动通道数：1
下降时间：15ns
工作温度：-55℃~150℃
负载类型：IGBT，N沟道，P沟道MOSFET
峰值拉电流：9A
电源电压：4.5V~35V
峰值灌电流：9A
驱动配置：低端
包装方式：Tube
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：IXYS
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXDD609SITR
上升时间：22ns
驱动通道数：1
下降时间：15ns
工作温度：-55℃~150℃
负载类型：IGBT，N沟道，P沟道MOSFET
峰值拉电流：9A
电源电压：4.5V~35V
峰值灌电流：9A
驱动配置：低端
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：IXYS
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
包装规格(MPQ)：100psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXDN614SI
上升时间：25ns
驱动通道数：1
下降时间：18ns
工作温度：-55℃~150℃
负载类型：IGBT，N沟道，P沟道MOSFET
峰值拉电流：14A
电源电压：4.5V~35V
峰值灌电流：14A
驱动配置：低端
包装方式：Tube
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXGD3004E6TA
上升时间：13.4ns
驱动通道数：1
下降时间：12.4ns
工作温度：-55℃~150℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：8A
电源电压：40V
峰值灌电流：8A
驱动配置：低端
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXGD3002E6TA
上升时间：8.3ns
驱动通道数：1
下降时间：10.8ns
工作温度：-55℃~150℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：9A
电源电压：20V
峰值灌电流：9A
驱动配置：低端
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXGD3005E6TA
上升时间：48ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：1
下降时间：35ns
工作温度：-55℃~150℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：10A
电源电压：25V
峰值灌电流：10A
驱动配置：低端
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：IXYS
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXDN609YI
上升时间：22ns
驱动通道数：1
下降时间：15ns
工作温度：-55℃~150℃
负载类型：IGBT，N沟道，P沟道MOSFET
峰值拉电流：9A
电源电压：4.5V~35V
峰值灌电流：9A
驱动配置：低端
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRS25752LTRPBF
上升时间：85ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：1
下降时间：40ns
工作温度：-55℃~150℃
负载类型：N沟道MOSFET
峰值拉电流：240mA
电源电压：10V~18V
峰值灌电流：160mA
驱动配置：高端
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：FAN3100CMPX
上升时间：13ns
驱动通道数：1
下降时间：9ns
工作温度：-55℃~150℃
负载类型：N沟道MOSFET
峰值拉电流：3A
电源电压：4.5V~18V
峰值灌电流：3A
驱动配置：低端
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：IXYS
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXDN614YI
上升时间：25ns
驱动通道数：1
下降时间：18ns
工作温度：-55℃~150℃
负载类型：IGBT，N沟道，P沟道MOSFET
峰值拉电流：14A
电源电压：4.5V~35V
峰值灌电流：14A
驱动配置：低端
包装方式：Tube
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：FAN3122CMPX
上升时间：23ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：1
下降时间：19ns
工作温度：-55℃~150℃
负载类型：N沟道MOSFET
峰值拉电流：11.4A
电源电压：4.5V~18V
峰值灌电流：10.6A
驱动配置：低端
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：IXYS
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
包装规格(MPQ)：2000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXDN609SITR
上升时间：22ns
驱动通道数：1
下降时间：15ns
工作温度：-55℃~150℃
负载类型：IGBT，N沟道，P沟道MOSFET
峰值拉电流：9A
电源电压：4.5V~35V
峰值灌电流：9A
驱动配置：低端
包装方式：Reel
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXGD3003E6TA
上升时间：8.9ns
驱动通道数：1
下降时间：8.9ns
工作温度：-55℃~150℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：5A
电源电压：40V
峰值灌电流：5A
驱动配置：低端
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：FAN7171MX-F085
上升时间：25ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：1
下降时间：15ns
工作温度：-55℃~150℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：4A
电源电压：10V~20V
峰值灌电流：4A
驱动配置：高端
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：FAN3122CMPX
上升时间：23ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：1
下降时间：19ns
工作温度：-55℃~150℃
负载类型：N沟道MOSFET
峰值拉电流：11.4A
电源电压：4.5V~18V
峰值灌电流：10.6A
驱动配置：低端
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
生产批次：{"22+"：35784}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FAN3122TMX-F085
上升时间：23ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：1
下降时间：19ns
工作温度：-55℃~150℃
负载类型：N沟道MOSFET
峰值拉电流：11.4A
电源电压：4.5V~18V
峰值灌电流：10.6A
驱动配置：低端
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：UC3710T
上升时间：85ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：1
下降时间：85ns
工作温度：-55℃~150℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：6A
电源电压：4.7V~18V
峰值灌电流：6A
驱动配置：低端
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：
