采购热线 400-661-9010
包装规格(MPQ)：100psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXDN609SI
上升时间：22ns
驱动通道数：1
下降时间：15ns
工作温度：-55℃~150℃
负载类型：IGBT，N沟道，P沟道MOSFET
峰值拉电流：9A
电源电压：4.5V~35V
峰值灌电流：9A
驱动配置：低端
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：100psc
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规格型号(MPN)：IXDN609SI
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负载类型：IGBT，N沟道，P沟道MOSFET
峰值拉电流：9A
电源电压：4.5V~35V
峰值灌电流：9A
驱动配置：低端
包装方式：管件
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规格型号(MPN)：IXDN609SI
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负载类型：IGBT，N沟道，P沟道MOSFET
峰值拉电流：9A
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峰值灌电流：9A
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包装方式：管件
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规格型号(MPN)：IXDN609SI
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负载类型：IGBT，N沟道，P沟道MOSFET
峰值拉电流：9A
电源电压：4.5V~35V
峰值灌电流：9A
驱动配置：低端
包装方式：管件
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规格型号(MPN)：IXDN609SI
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负载类型：IGBT，N沟道，P沟道MOSFET
峰值拉电流：9A
电源电压：4.5V~35V
峰值灌电流：9A
驱动配置：低端
包装方式：管件
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规格型号(MPN)：IXDN609SI
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负载类型：IGBT，N沟道，P沟道MOSFET
峰值拉电流：9A
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峰值灌电流：9A
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库存：
品牌：IXYS
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
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规格型号(MPN)：IXDN609SI
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峰值拉电流：9A
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峰值灌电流：9A
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下降时间：15ns
工作温度：-55℃~150℃
负载类型：IGBT，N沟道，P沟道MOSFET
峰值拉电流：9A
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峰值灌电流：9A
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规格型号(MPN)：IXDN609SI
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工作温度：-55℃~150℃
负载类型：IGBT，N沟道，P沟道MOSFET
峰值拉电流：9A
电源电压：4.5V~35V
峰值灌电流：9A
驱动配置：低端
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：
