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品牌：DIODES
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXGD3006E6QTA
上升时间：48ns
驱动通道数：1
下降时间：35ns
工作温度：-55℃~150℃
负载类型：IGBT，SiCMOSFET
峰值拉电流：10A
电源电压：40V
峰值灌电流：10A
驱动配置：低端
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXGD3006E6TA
上升时间：48ns
驱动通道数：1
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工作温度：-55℃~150℃
负载类型：IGBT，SiCMOSFET
峰值拉电流：10A
电源电压：40V
峰值灌电流：10A
驱动配置：低端
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：门极驱动器
行业应用：其他
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规格型号(MPN)：ZXGD3006E6TA
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驱动通道数：1
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负载类型：IGBT，SiCMOSFET
峰值拉电流：10A
电源电压：40V
峰值灌电流：10A
驱动配置：低端
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：门极驱动器
行业应用：其他
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规格型号(MPN)：ZXGD3005E6TA
上升时间：48ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：1
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工作温度：-55℃~150℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：10A
电源电压：25V
峰值灌电流：10A
驱动配置：低端
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：门极驱动器
行业应用：其他
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规格型号(MPN)：ZXGD3005E6TA
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ECCN：EAR99
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负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：10A
电源电压：25V
峰值灌电流：10A
驱动配置：低端
包装方式：卷带（TR）
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负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：10A
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包装方式：卷带（TR）
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分类：门极驱动器
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规格型号(MPN)：ZXGD3006E6QTA
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ECCN：EAR99
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负载类型：IGBT，SiCMOSFET
峰值拉电流：10A
电源电压：40V
峰值灌电流：10A
驱动配置：低端
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
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峰值拉电流：10A
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峰值灌电流：10A
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包装方式：卷带（TR）
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峰值拉电流：10A
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规格型号(MPN)：ZXGD3005E6TA
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峰值拉电流：10A
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规格型号(MPN)：ZXGD3005E6TA
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ECCN：EAR99
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峰值拉电流：10A
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峰值拉电流：10A
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峰值拉电流：10A
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规格型号(MPN)：ZXGD3005E6TA
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ECCN：EAR99
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负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：10A
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ECCN：EAR99
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负载类型：IGBT，SiCMOSFET
峰值拉电流：10A
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负载类型：IGBT，SiCMOSFET
峰值拉电流：10A
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负载类型：IGBT，SiCMOSFET
峰值拉电流：10A
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规格型号(MPN)：ZXGD3005E6TA
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ECCN：EAR99
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负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：10A
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峰值灌电流：10A
驱动配置：低端
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ECCN：EAR99
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行业应用：其他
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负载类型：IGBT，SiCMOSFET
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分类：门极驱动器
行业应用：其他
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销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXGD3006E6QTA
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负载类型：IGBT，SiCMOSFET
峰值拉电流：10A
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行业应用：其他
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规格型号(MPN)：ZXGD3006E6QTA
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ECCN：EAR99
驱动通道数：1
下降时间：35ns
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负载类型：IGBT，SiCMOSFET
峰值拉电流：10A
电源电压：40V
峰值灌电流：10A
驱动配置：低端
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
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行业应用：其他
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销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXGD3005E6TA
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ECCN：EAR99
驱动通道数：1
下降时间：35ns
工作温度：-55℃~150℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：10A
电源电压：25V
峰值灌电流：10A
驱动配置：低端
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
